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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>UnitedSiC FET射流計算機消除SiC FET選擇中的猜忌

UnitedSiC FET射流計算機消除SiC FET選擇中的猜忌

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2022-08-05 10:31:171715

貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被?Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:351200

UnitedSiC FET-Jet計算器讓功率設(shè)計選擇FETSiC變得輕而易舉

該工具可以立即計算出整體效率、動態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能,以便預(yù)測結(jié)溫。
2022-10-11 09:00:391059

UnitedSiC FET-Jet計算器成為更好的器件選擇工具

UnitedSiC FET-Jet計算器讓為功率設(shè)計選擇SiC FETSiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計工程師只需:
2022-10-11 09:03:281322

貿(mào)澤電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

和靈感。以下是本周新品情報,請及時查收: 可同時實現(xiàn)多功能性與低傳導(dǎo)損耗 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET 貿(mào)澤電子即日起開售UnitedSiC(現(xiàn)已
2022-10-27 16:33:291632

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進(jìn)行了對比。
2022-10-31 09:03:231598

SiC FET性能和優(yōu)勢及起源和發(fā)展介紹

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展,直至最新一代產(chǎn)品,并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:552371

SiC FET的起源和發(fā)展

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:271708

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢,但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比,它的潛在損耗較高,整體效率低。
2022-11-14 09:05:171750

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET,能夠在100kHz的頻率下實現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效,且每個開關(guān)位置并聯(lián)三個器件。
2022-12-12 09:25:091279

OBC 充電器SiC FET

OBC 充電器SiC FET
2022-12-28 09:51:071842

充分挖掘 SiC FET 的性能

在電源轉(zhuǎn)換這一語境下,性能主要歸結(jié)為兩個互為相關(guān)的值:效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實例表明,SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:011045

SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)

從人類的角度來看,幾代人過得很慢,在人們的記憶,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體領(lǐng)域,代際發(fā)展更快,自 4 年 750 月推出 2020V SiC FET 以來,SiC FET 現(xiàn)已達(dá)到第 <> 代。
2023-02-17 09:20:03569

SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化

比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢,但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗更高,整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877

最大限度降低SiC FET的EMI的開關(guān)損耗

對高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡單性的需求增加,使得碳化硅 (SiCFET 因其快速開關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS(開啟)和高壓額定值。
2023-02-21 09:26:421301

OBC 充電器SiC FET 封裝小巧,功能強大

Mike Zhu,Qorvo 高級產(chǎn)品應(yīng)用工程師 EV 車載充電器和表貼器件的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時,可實現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。 引言 在功率水平為
2023-03-22 20:30:031212

碳化硅(SiC)技術(shù)取代舊的硅FET和IGBT

所有類型的電動汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng),需要更高的碳化硅(SiC)技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動器來實現(xiàn),許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:503175

UnitedSiC FET-Jet 計算器,讓 SiC FET選擇過程不再全憑猜測

仿真器可以提供許多信息,但無法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計,也無法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會損壞。這就是在線 FET-Jet 計算器的優(yōu)勢所在。閱讀本博客,了解該軟件如何簡化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:021040

UnitedSiC 推出第 2 版 FET-Jet 計算器,性能邁向新高度

進(jìn)行功率設(shè)計時,如何選擇合適的部件可能非常棘手,有時還讓人極度煩惱。對于 SiC FETSiC 肖特基二極管,利用 FET-Jet 計算器(第 2 版)可以幫您免除盲目猜測的煩惱。閱讀本博文
2023-05-19 13:45:021006

使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類封裝的連接往往會導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文,了解如何謹(jǐn)慎使用開爾文連接技術(shù)以
2023-05-25 00:25:022017

更豐富的 SiC FET 選擇,帶來更靈活的經(jīng)濟高效解決方案

許多選擇的決定因素或許頗為主觀,且在不斷變化。不過,若要為電動汽車電源轉(zhuǎn)換器選擇半導(dǎo)體,你或許會希望用更科學(xué)的方法來判斷。UnitedSiC(如今為 Qorvo)提供了一種權(quán)衡得失的方法,可幫助計算
2023-06-08 12:15:02757

使用SiC FET替代機械斷路器的固態(tài)解決方案

機械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題,并且損耗也會持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:021361

什么是工業(yè)計算機及其在工業(yè)計算的作用?

工業(yè)計算機是一種特定類型的計算系統(tǒng),旨在管理機器自動化、制造設(shè)備和新時代自主機器人技術(shù)的各種工廠和工業(yè)工作負(fù)載。工業(yè)計算機的一大優(yōu)勢是能夠在最惡劣的工業(yè)環(huán)境以高可靠性運行。大多數(shù)工業(yè)計算機都采用
2022-04-14 17:41:221872

SiC FET — “圖騰” 象征?

圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個構(gòu)想,許多工程師都在尋找能夠有效實現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今,人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢的理想開關(guān)。了解應(yīng)對方式。 這篇博客文章最初由
2023-06-21 09:10:021053

計算機組成與設(shè)計

組成與設(shè)計的一些基本概念和內(nèi)容,同時探討這門課程的重要性以及對未來的影響。 一、計算機組成原理 計算機組成原理是計算機科學(xué)的一個重要分支,它主要研究計算機的硬件組成和基本工作原理。計算機包括了多個硬件設(shè)備,
2023-08-17 12:37:312243

如何選擇適合教育用途的單板計算機?

在當(dāng)今數(shù)字化時代,計算機科學(xué)和編程已經(jīng)成為教育不可或缺的一部分。為了幫助學(xué)生培養(yǎng)解決問題的能力、創(chuàng)造力和創(chuàng)新思維,單板計算機(SBCs)成為了一種強大的工具。單板計算機(SBCs)是一種集成
2023-09-01 10:26:031351

聯(lián)合SiCFET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇得出猜算結(jié)果

聯(lián)合SiCFET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:171191

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — 進(jìn)行正確的比較

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較
2023-09-27 15:08:291010

如何設(shè)計一種適用于SiC FET的PCB呢?

SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58740

還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!

還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
2023-11-29 16:49:231395

SiC FET神應(yīng)用,在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率

SiC FET神應(yīng)用,在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11888

UnitedSiC SiC FET用戶指南

UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:241153

充分挖掘SiC FET的性能

充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21956

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34918

Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo,全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商,近日發(fā)布了其全新車規(guī)級碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:061404

工業(yè)計算機與普通計算機的區(qū)別

在信息化和自動化日益發(fā)展的今天,計算機已經(jīng)成為了我們?nèi)粘I詈凸ぷ?b class="flag-6" style="color: red">中不可或缺的工具。然而,在計算機領(lǐng)域中,工業(yè)計算機和普通計算機雖然都具備基本的計算和信息處理能力,但它們在設(shè)計、功能、應(yīng)用環(huán)境等方面存在著顯著的區(qū)別。本文將從多個方面對工業(yè)計算機與普通計算機的區(qū)別進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-06-06 16:45:153237

DRAM在計算機中的應(yīng)用

DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器)在計算機系統(tǒng)扮演著至關(guān)重要的角色。它是一種半導(dǎo)體存儲器,用于存儲和快速訪問數(shù)據(jù),是計算機主內(nèi)存的主要組成部分。以下是對DRAM在計算機中的詳細(xì)解析。
2024-07-24 17:04:425947

工業(yè)中使用哪種計算機?

使其成為工廠、倉庫和其他要求苛刻的工業(yè)環(huán)境的理想選擇。通過提供高性能和可靠性,工業(yè)計算機可確保高效、連續(xù)的運行。工業(yè)計算機的類型在工業(yè)環(huán)境,人們使用各種專用計算機來滿
2024-11-29 14:07:531098

1200V-23mΩ SiC FET(UF4SC120023B7S):高性能功率開關(guān)的新選擇

在電子工程師的日常工作選擇合適的功率開關(guān)器件至關(guān)重要。今天,我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET,看看它能為我們的設(shè)計帶來哪些驚喜。
2025-12-02 11:19:40431

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