基于氮化鎵的電力電子器件和轉換器

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轉換器(155558) 轉換器(155558)
電力電子器件(11201) 電力電子器件(11201)
氮化鎵(119343) 氮化鎵(119343)

電力電子器件之晶閘管結構

電力電子器件之晶閘管結構　　電力半導體可控器件，始于1957年通用公司開發(fā)的SCR。然后進入晶閘管大容量化時期，同時又開發(fā)

2009-12-10 14:11:11

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基于增強型氮化鎵（eGaN?技術）的電源轉換器設計

基于增強型氮化鎵（eGaN?技術）的電源轉換器的優(yōu)點，其現(xiàn)有數(shù)據中心和集中于低至1VDC負載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構解決方案。

2021-01-20 15:34:59

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大功率電力電子器件散熱研究綜述

電子器件散熱研究現(xiàn)狀，分析了進一步的發(fā)展方向; 發(fā)現(xiàn)針對電力電子器件散熱技術的基礎理論研究成果較為豐富，并且在散熱器的幾何和結構優(yōu)化及散熱系統(tǒng)風道設計等方面的研究也已十分深入，不少論文針對性的提出了多種

2023-11-07 09:37:08

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氮化鎵器件介紹與仿真

本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。

2023-11-27 17:12:01

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氮化鎵: 歷史與未來

的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。在光子學之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關技術，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要

2023-06-15 15:50:54

氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快

65W氮化鎵2C1A充電器62、XinSPower新斯寶100W氮化鎵1A3C充電器63、XinSPower新斯寶100W氮化鎵2A2C充電器64、ZENDURE 30W氮化鎵轉換插座65

2020-03-18 22:34:23

氮化鎵GaN技術助力電源管理革新

結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應用(如集成電機驅動)的有吸引力的選擇

2018-11-20 10:56:25

氮化鎵一瓦已經不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動氮化鎵價格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式

2022-06-14 11:11:16

氮化鎵充電器

是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化

2021-09-14 08:35:58

氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢

更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常

2023-06-15 15:32:41

氮化鎵發(fā)展評估

。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優(yōu)化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本

2017-08-15 17:47:34

氮化鎵技術推動電源管理不斷革新

。與典型的PN結MOSFET不同，GaN器件的雙向結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為

2019-03-14 06:45:11

氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？

降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調試方便、高頻工作實現(xiàn)高轉換效率等優(yōu)點，可以簡化設計，降低GaN快充的開發(fā)難度，有助于實現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種

2023-08-21 17:06:18

電力電子器件分類怎么規(guī)定的

電力電子器件的分類共有四大類其中每類又能分出多種不同類型：一、按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類：1、半控型器件，例如晶閘管；2、全控型器件，例如（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力

2017-01-19 20:49:04

電力電子器件的工作開關狀態(tài)

電力電子技術總結第二章1 電力電子器件工作在開關狀態(tài)，為了減小損耗。通態(tài)損耗，斷態(tài)損耗，開關損耗。2 不可控器件—電力二極管，利用單向導電性，可以在交流變直流過程中實現(xiàn)整流。和電感在一起，一般

2021-11-16 06:34:43

電力電子器件的問題

【不懂就問】在書上看到的說，電力電子器件工作在開關狀態(tài)，這樣損耗很小，但是不是說功率器件在不停開關過程中有大量損耗嗎？這個矛盾嗎？而且開關電源的功率管工作在飽和區(qū)，而線性電源的功率管工作在線性區(qū)，這個和上面又有什么關系？

2018-01-23 16:10:48

電力電子器件課件

電力電子器件1.1　電力電子器件概述1.2　不可控器件——電力二極管1.3　半控型器件——晶閘管1.4  典型全控型器件 1.5  其他新型電力電子器件 小結

2009-09-16 12:09:44

電子器件是指什么？電子器件可分為哪幾種

電子器件是指什么？電子器件可分為哪幾種？電子器件有何作用？

2021-11-05 08:32:42

IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開

功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機

2018-11-05 09:51:35

MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢

不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸

2017-09-04 15:02:41

【技術干貨】氮化鎵IC如何改變電動汽車市場

：如前所述，氮化鎵器件以射頻速度開關。比現(xiàn)有的電力電子開關速度快得多。鑒于此，具有高共模瞬變抑制（CMTI）的高速柵極驅動器對優(yōu)化Transphorm GaN FET的性能至關重要。為此，Si827x

2018-07-19 16:30:38

為什么氮化鎵(GaN)很重要？

氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比，不僅性能優(yōu)異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理

2023-06-15 15:47:44

為什么氮化鎵比硅更好？

，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。

2023-06-15 15:53:16

什么是氮化鎵功率芯片？

氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到

2023-06-15 14:17:56

什么是氮化鎵功率芯片？

通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out

2023-06-15 16:03:16

什么是氮化鎵技術

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級

2020-10-27 09:28:22

什么是氮化鎵（GaN）？

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅

2023-06-15 15:41:16

什么是氮化鎵（GaN）？

、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？

2019-07-31 06:53:03

什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展

的應用[color=rgb(51, 51, 51) !important]激光雷達（LiDAR）使用鐳射脈沖快速形成三維圖像或為周圍環(huán)境制作電子地圖。氮化鎵場效應相較MOSFET器件而言，開關速度快十倍，使得

2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身

2021-09-23 15:02:11

光子器件與電子器件的性能有哪些不同

光子學是什么？納米光子學又是什么？光子器件與電子器件的性能有哪些不同？

2021-08-31 06:37:56

平面磁件如何提高電力電子器件性能

電子功率轉換器非常重要，電子功率轉換器包括磁性器件，例如：用于功率傳輸?shù)淖儔?b class="flag-6" style="color: red">器和用于能量存儲的電感器。本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。

2023-09-06 06:38:52

有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念

氮化鎵器件于2010年3月開始進行商業(yè)化生產，激光雷達是第一種應用能夠發(fā)揮氮化鎵晶體管的高速開關和小尺寸優(yōu)勢，以實現(xiàn)最高性能，成為“殺手級應用”。緊隨其后，是用于高密度計算的48 V DC/DC轉換器

2023-06-25 14:17:47

現(xiàn)代電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢

電子系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可以像小型的DC-DC轉換器一樣簡單，也可以像大型的分布式電力系統(tǒng)那樣復雜。一個系統(tǒng)中PEBB的數(shù)量可以從一個到任何多個。多個PEBB模塊一起工作可以完成電壓轉換、能量的儲存和轉換

2017-11-07 11:11:09

現(xiàn)代電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢

能量接口和通訊接口。通過這兩種接口，幾個PEBB可以組成電力電子系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可以像小型的DC-DC轉換器一樣簡單，也可以像大型的分布式電力系統(tǒng)那樣復雜。一個系統(tǒng)中PEBB的數(shù)量可以從一個到任何多個

2017-05-25 14:10:51

請問氮化鎵GaN是什么？

氮化鎵GaN是什么？

2021-06-16 08:03:56

請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？

2019-11-29 16:04:02

誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片？

擁有豐富的研發(fā)經驗。另外，Dan 也是首屆 ISPSD 電力電子名人堂的入選者。 Marco Giandalia在電源轉換和電機驅動領域，擁有超過 20 年的高壓集成電路設計經驗，他在定義、建模

2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件

了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導體的摻雜溝道導電，而是通過在兩個帶隙不同的半導體

2023-02-27 15:46:36

高壓氮化鎵的未來是怎么樣的

就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳

2018-08-30 15:05:50

電力電子器件試卷

1.電力電子器件一般工作在________狀態(tài)?！　?.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為________，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為________?！　?.電力電子器件組成

2009-01-12 11:31:46

電力電子器件及應用

電力電子器件及應用1.1　電力電子器件概述一、電力電子器件的分類按照器件的控制能力分為以下三類：半控型器件：晶閘管（Thyristor or SCR）及其大部分派生器件其特

2009-04-14 21:08:49

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電力電子器件電子教案

電力電子器件電子教案:第一節(jié) 電力電子器件概述第二節(jié) 不可控器件——二極管第三節(jié) 半控型器件——晶閘管第四節(jié) 典型全控型器件第五節(jié) 其他新型電力電子器件第

2009-09-19 19:40:32

電力電子器件概述

1.1 電力電子器件概述1.2 不可控器件——電力二極管1.3 半控型器件——晶閘管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型電力電子器件

2010-03-21 09:34:00

電力電子器件的保護

較之電工產品，電力電子器件承受過電壓、過電流的能力要弱得多，極短時間的過電壓和過電流就會導致器件永久性的損壞。因此電力電子電路中過電壓和過電流的保護裝置

2010-06-28 14:35:53

電力電子器件的分類

電力電子器件的分類按照器件的控制能力分為以下三類：半控型器件：晶閘管（Thyristor or SCR）及其大部分派生器件其

2009-04-14 21:10:09

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電力電子器件與應用

電力電子器件與應用

2012-06-19 13:39:42

34443

第2章電力電子器件

第2章電力電子器件

2016-12-15 22:08:53

采用氮化鎵材料的電子器件介紹

氮化鎵功率器件及其應用(一)氮化鎵器件的介紹

2019-04-03 06:10:00

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采用氮化鎵材料的電子器件在無橋PFC電路中的應用(2)

氮化鎵功率器件及其應用(四)TI氮化鎵器件在無橋PFC設計中的應用(下)

2019-04-03 06:20:00

3496

采用氮化鎵材料的電子器件在無橋PFC電路中的應用(1)

氮化鎵功率器件及其應用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設計中的應用(上)

2019-04-03 06:14:00

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電力電子器件的換流方式有哪些

由于采用電力電子器件作為開關器件，各支路間電流的轉移必然包含著電力電子器件開關狀態(tài)的變化，它包括關斷退出工作的已處通態(tài)的器件和接通進入工作的原處斷態(tài)的器件。由于器件和電路元件都具有慣性，上述器件開關

2019-10-01 17:05:00

25165

電力電子器件的學習課件免費下載

本文檔的主要內容詳細介紹的是電力電子器件的學習課件免費下載包括了：1 電力電子器件概述，2 不可控器件——電力二極管，3 半控型器件——晶閘管，4 典型全控型器件，5 其他新型電力電子器件，6 功率集成電路與集成電力電子模塊

2020-01-09 15:28:00

電力電子器件的學習教程課件詳細概述

本文檔的主要內容詳細介紹的是電力電子器件的學習教程課件詳細概述包括了：1 電力電子器件概述，2 不可控器件——電力二極管，3 半控型器件——晶閘管，4 典型全控型器件，5 其他新型電力電子器件，6 功率集成電路與集成電力電子模塊

2020-04-27 08:00:00

電力電子器件分類_電力電子器件的特點

上電力電子器件可分為電真空器件和半導體器件兩類。自20世紀50年代以來，真空管僅還在頻率很高（如微波）的大功率高頻電源中在使用，而電力半導體器件已取代了汞弧整流器

2021-01-07 15:31:12

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氮化鎵器件的應用與集成化綜述

2021-07-22 09:52:38

好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛，助力氮化鎵先進應用

未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件

2022-11-30 14:52:25

1383

什么是氮化鎵技術

什么是氮化鎵技術氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件

2023-02-03 14:14:45

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氮化鎵用途和性質

第三代半導體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，下游應用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明等)。不過，第三代半導體材料中，受技術與工藝水平限制，氮化鎵材料作為襯底實現(xiàn)

2023-02-03 14:38:46

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氮化鎵芯片應用領域有哪些

相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量

2023-02-05 14:30:08

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氮化鎵是什么晶體，氮化鎵（GaN）的重要性分析

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。

2023-02-05 15:38:18

10907

氮化鎵技術是什么原理

氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。

2023-02-06 09:46:09

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氮化鎵的用途是什么

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，　氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微電子（微波功率和電力電子器件），場效電晶體（MOSFET）。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。

2023-02-06 17:38:13

6684

氮化鎵半導體技術制造

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表，研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業(yè)鏈已經初步形成，相關器件快速發(fā)展。第三代半導體氮化鎵產業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。

2023-02-07 09:36:56

2410

氮化鎵行業(yè)發(fā)展前景如何？

氮化鎵根據襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領域；硅基氮化鎵功率器件主要應用于電力電子器件領域。雖然

2023-02-10 10:52:52

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氮化鎵和碳化硅的對比

2023-02-13 16:49:56

14118

什么是氮化鎵，氮化鎵有哪些好處

　　氮化鎵是一種無機化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點、高硬度和良好的電學性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性材料、磁性薄膜和磁性線圈。

2023-02-14 13:56:19

10382

氮化鎵外延片是什么氮化鎵有哪些分類

氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。

2023-02-14 14:05:41

5426

硅基氮化鎵技術原理硅基氮化鎵的優(yōu)缺點

　　硅基氮化鎵技術原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結合在一起，形成一種新的復合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。

2023-02-14 14:46:58

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什么是硅基氮化鎵用途有哪些

　　硅基氮化鎵是一種新型復合材料，它是由硅和氮化鎵結合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件和電子零件等。它具有低溫制備、低成本、低污染等優(yōu)點，可以滿足不同應用領域的需求。

2023-02-14 15:14:17

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硅基氮化鎵的生產技術和工藝流程

　　硅基氮化鎵是一種由硅和氮化鎵組成的復合材料，它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外，硅基氮化鎵還可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。

2023-02-14 15:26:10

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碳化硅大功率高頻電子器件上的薄氮化鎵

在碳化硅(SiC)上開發(fā)了更薄的III族氮化物結構，以期實現(xiàn)高功率和高性能高頻薄高電子遷移率晶體管和其他器件。新結構使用高質量的60納米無晶界氮化鋁成核層來避免大面積的擴展缺陷，而不是1-2米厚的氮化鎵緩沖層(圖1)。成核層允許在0.2 m內生長高質量的氮化鎵。

2023-02-15 15:34:52

氮化鎵用途和性質

氮化鎵是一種半導體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 18:01:01

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電力電子器件的概念及分類

電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導體器件兩類，目前往往專指電力

2023-04-04 15:31:43

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永銘電子導電性電容在采用氮化鎵的AC/DC轉換器中的應用

隨著氮化鎵技術的逐漸成熟，越來越多的AC/DC轉換器采用氮化鎵作為開關元件，以取代傳統(tǒng)的硅元件。在這種新技術的應用中，導電性電容器也扮演著重要的角色。

2023-05-10 13:34:25

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氮化鎵在射頻領域的優(yōu)勢盤點

2023-05-26 10:10:41

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氮化鎵功率器件結構和原理功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。

2023-08-24 16:09:15

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氮化鎵(GaN)技術創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料

2023-09-04 10:16:40

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氮化鎵是用來做什么的，它有什么特點呢？

氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)

2023-09-12 15:31:55

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氮化鎵功率器件測試方案

在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規(guī)范的測試方案至關重要。

2023-10-08 15:13:23

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第三代半導體氮化鎵成為電子領域的焦點

隨著科技的不斷進步，電力電子領域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導體氮化鎵（GaN）技術成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件

2023-10-11 16:30:48

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氮化鎵材料在電力電子器件中的應用

隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設備中的應用，以及氮化鎵解決方案如何實現(xiàn)更高的能效。

2023-10-13 16:02:05

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氮化鎵功率芯片功率曲線分析氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應用。

2023-10-16 14:52:44

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氮化鎵的技術日漸壯大

鎵技術在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下具有優(yōu)異的表現(xiàn)，被廣泛應用于電力電子器件、光電子器件、射頻器件等領域。

2023-11-07 15:48:01

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氮化鎵芯片到底是怎么做的呢？

氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領域。隨著科技的不斷發(fā)展，氮化鎵芯片的應用前景越來越廣闊，例如在新能源

2023-11-10 14:35:09

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電力電子器件大全及使用方法

電子發(fā)燒友網站提供《電力電子器件大全及使用方法.pdf》資料免費下載

2023-11-18 14:46:04

什么是氮化鎵合封芯片科普，氮化鎵合封芯片的應用范圍和優(yōu)點

氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...

2023-11-24 16:49:22

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氮化鎵mos管驅動芯片有哪些

氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導體）管驅動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅動芯片廣泛應用于功率電子

2023-12-27 14:43:23

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氮化鎵功率器件結構和原理

氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。一、氮化鎵功率器件結構氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率

2024-01-09 18:06:41

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氮化鎵芯片生產工藝有哪些

氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，由于其優(yōu)良的電學性能，廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯片制備、工廠測試和封裝等。首先，氮化鎵芯片

2024-01-10 10:09:41

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Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件

全球氮化鎵功率半導體行業(yè)的領軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與去年偉詮電子

2024-05-23 11:20:00

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氮化鎵（GaN）的最新技術進展

寬禁帶半導體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經常用于一些轉換器和驅動器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電

2024-07-06 08:13:18

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電壓驅動的電力電子器件有哪些

電壓驅動的電力電子器件是一類重要的電力電子元件，它們廣泛應用于各種電力電子系統(tǒng)和設備中，如變頻器、逆變器、整流器、開關電源等。電壓驅動的電力電子器件的基本概念電壓驅動的電力電子器件是指通過施加

2024-07-17 15:18:35

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電壓驅動型電力電子器件的優(yōu)點

引言電力電子器件是電力電子技術中的核心組成部分，其性能和可靠性直接影響到電力電子系統(tǒng)的整體性能。電壓驅動型電力電子器件作為一種重要的電力電子器件，具有許多優(yōu)點，如高效率、高功率密度、高可靠性等

2024-07-17 15:23:24

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基于氮化鎵的電力電子器件和轉換器

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