采用的芯片特別設(shè)計于驅(qū)動六個N-MOSFET應(yīng)用，看哪些大神能分析出電路應(yīng)用及芯片關(guān)鍵參數(shù)指標(biāo)？
2019-01-02 15:26:17
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柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動電源的要求。
2025-05-06 15:54:461465 
本文圍繞基于SiC分立器件和功率模塊的功率因數(shù)校正器（PFC）級，分析并比較了二者在車載充電器（OBC）應(yīng)用中的性能。
2025-10-18 09:30:265624 
這些問題，很可能是因為你沒有真正理解示波器的三大關(guān)鍵指標(biāo)：帶寬、采樣率和存儲深度。今天，我們就來徹底搞懂這三個參數(shù)，讓你的調(diào)試工作事半功倍！
2025-10-29 17:45:263531 
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件，需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中，以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要，本文主要討論動態(tài)特性。動態(tài)特性決定了器件的開關(guān)性能。這些動態(tài)性能的幾個參數(shù)高度依賴于測量條件。
2018-09-26 10:16:045936 
RRU都有哪些關(guān)鍵技術(shù)？影響RRU性能的關(guān)鍵指標(biāo)有哪些？本文對此進(jìn)行簡單的分析。
2019-10-09 10:04:1934864 
很多高頻應(yīng)用，比如鎖相環(huán)、5G應(yīng)用，都離不開時鐘信號。而這些高頻應(yīng)用的相位噪聲往往是一個項目成敗與否的關(guān)鍵因素。本文通過比較理想時鐘信號與實(shí)際時鐘信號，講解相位噪聲的概念；然后介紹相位噪聲的兩個關(guān)鍵指標(biāo)——誤差矢量幅度（EVM）與VCO阻塞；最后介紹應(yīng)該如何選擇低相位噪聲晶振。
2022-07-14 10:12:066129 本期，我們接著介紹運(yùn)放的關(guān)鍵指標(biāo)，主要分為輸入輸出電壓范圍、共模抑制比、電源電壓抑制比和全諧波失真加噪聲。
2023-06-20 09:29:043788 
本期，我們接著介紹運(yùn)放關(guān)鍵指標(biāo)最后一部分，主要分為開環(huán)電壓增益、增益帶寬積和-3dB帶寬、壓擺率和建立時間。
2023-06-25 09:40:1312281 
解基站最重要的組成部分——RRU： ① 什么是RRU？ ② RRU的作用是什么？ ③?RRU有哪些關(guān)鍵指標(biāo)？ 一體化基站的落幕 RRU，也就是遠(yuǎn)端射頻單元，是現(xiàn)代基站的兩大核心（BBU和RRU）之一
2023-08-01 09:15:2222021 
帶寬、采樣率和存儲深度是數(shù)字示波器的三大關(guān)鍵指標(biāo)。相對于工程師們對示波器帶寬的熟悉和重視，采樣率和存儲深度往往在示波器的選型、評估和測試中為大家所忽視。這篇文章的目的是通過簡單介紹采樣率和存儲深度
2023-09-19 14:43:263421 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:193288 
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管（SBD）擴(kuò)大了設(shè)計人員對交通、能源和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓電力電子產(chǎn)品的選擇范圍。
2022-03-22 11:12:561258 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近在第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會（ISPSD?2025）上，瞻芯電子與浙江大學(xué)以大會全體報告的形式聯(lián)合發(fā)表了10kV等級SiC MOSFET的最新研究成果
2025-06-10 00:09:006692 
摘要：英飛凌3.3kV的IGBT模塊已被客戶廣泛使用，它的驅(qū)動設(shè)計在許多方面都有別于1.7kV和1.2kV的模塊。所以需要對該電壓等級的IGBT的驅(qū)動電路作些細(xì)節(jié)分析。關(guān)鍵詞：3.3kV的IGBT
2018-12-06 10:06:18
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC-MOSFET體二極管的正向特性Vf比Si-MOSFET大。?SiC-MOSFET體二極管的trr更高速，與Si-MOSFET相比可大幅降低恢復(fù)損耗。與IGBT的區(qū)別所謂
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
的SiC-MOSFET由于寄生雙極晶體管的電流放大倍數(shù)hFE較低，因而不會發(fā)生電流放大，截至目前的調(diào)查中，即使在50kV/μs左右的工作條件下，也未發(fā)生這種損壞模式。關(guān)于體二極管快速恢復(fù)時的dV/dt，一般認(rèn)為
2018-11-30 11:30:41
/100以下）?高重復(fù)頻率應(yīng)用例?荷電粒子加速器?醫(yī)療用設(shè)備電源?等離子發(fā)生器等?1～10kV隨機(jī)脈沖發(fā)生器：13.2kV SiC開關(guān)關(guān)鍵要點(diǎn):?通過SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例，思考
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發(fā)活動的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點(diǎn)仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實(shí)踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴(kuò)展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
些情況下，也觀察到最小偏差，證實(shí)了SiC MOSFET在這些條件下的性能和可靠性。柵極氧化物是碳化硅MOSFET的關(guān)鍵元素，因此其可靠性非常重要。柵極氧化物可靠性的評估分為兩部分。第一部分基于TDDB（時間
2019-07-30 15:15:17
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
ADC參數(shù)釋義AD芯片的選取針對高精度測量類的AD高速 ADC 關(guān)鍵指標(biāo)的定義
2021-01-25 07:05:15
功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從
2018-10-23 16:22:24
PWM的說明PWM有三個關(guān)鍵指標(biāo): PWM頻率, 占空比, 區(qū)分度對于同一個時鐘頻率下工作的單片機(jī), 區(qū)分度是和PWM工作頻率相關(guān)的, 因為總頻率是固定的, PWM工作頻率越高, 留下給區(qū)分度的部分
2021-12-13 07:50:27
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
概述 為了能夠給用戶提供可靠的通信保證，移動通信系統(tǒng)的無線網(wǎng)絡(luò)必須滿足合適的性能指標(biāo)。覆蓋、容量、切換性能，都是衡量一個移動通信系統(tǒng)無線網(wǎng)絡(luò)性能的關(guān)鍵指標(biāo)(KPI)?！ τ赥D-SCDMA系統(tǒng)
2019-06-05 08:14:59
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對兩個波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
控制器進(jìn)行編程，使用數(shù)字方案控制PWM以驅(qū)動SIC MOS實(shí)現(xiàn)雙向DC-DC變換器功能。4、使用設(shè)備儀器測試樣機(jī)的關(guān)鍵信號點(diǎn)，并分析數(shù)據(jù)。預(yù)計成果1、雙向DC-DC變換器樣機(jī)一臺。2、關(guān)鍵信號的波形圖、圖片或視頻。3、相關(guān)使用報告3篇以上。我將會分享本項目的開展，實(shí)施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果。
2020-04-24 18:08:05
MOSFET整流器和逆變器的工作頻率。另外，LC濾波器的截止頻率也可以提高，這意味著LC濾波器的容量將會降低，從而降低ACL和ACC濾波電路的損耗和重量。表1APS產(chǎn)品的規(guī)格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
先把所有端口配置為推挽輸出低電平。低功耗關(guān)鍵指令，兩條指令不可少。__HAL_RCC_PWR_CLK_ENABLE();HAL_PWR_EnterSTANDBYMode();待機(jī)模式
2021-08-04 07:55:12
在知道用電之前，人們用蠟燭照明。這在過去是常用的能在黑暗中視物的照明方式，但燈泡的發(fā)明顯然是更好的解決方案。像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立
2018-09-03 15:17:57
的全SiC功率模塊最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），以進(jìn)一步降低損耗。以下為示例。下一次計劃詳細(xì)介紹全SiC功率模塊的特點(diǎn)和優(yōu)勢。關(guān)鍵要點(diǎn)
2018-11-27 16:38:04
效果， 而且容易燒毀高音喇叭?！ ∫纛l功放的關(guān)鍵指標(biāo)? 音頻功放在蜂窩電話、便攜式設(shè)備以及音響等領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用。在不同的應(yīng)用領(lǐng)域，對于音頻功放的參數(shù)指標(biāo)的側(cè)重點(diǎn)會有所區(qū)別。例如在手機(jī)領(lǐng)域側(cè)重于
2021-01-28 17:19:15
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
的重點(diǎn)。然而，由于其應(yīng)用范圍極為廣泛，在使用中由功率MOSFET失效造成的系統(tǒng)故障數(shù)不勝數(shù)?？煽啃允钱a(chǎn)品的重要指標(biāo)，汽車工業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)格，這使SiC MOSFET可靠性問題成為亟待解決的重要問題。本文
2018-11-02 16:25:31
，由于時鐘信號的周期長度已經(jīng)跟時鐘的上升、下降沿接近，因此此時的時鐘信號就變成了正弦波。正弦波時鐘信號波形理解了上述關(guān)鍵指標(biāo)的涵義，就可以看懂所有的數(shù)字器件中最重要的時序信息，比如下面就是SPI接口
2019-07-21 21:43:14
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，開關(guān)頻率高達(dá) 500kHz緊湊高效的內(nèi)置隔離式偏置電源（具有 15V 和 –4V 輸出）分立式兩級關(guān)斷功能可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)，具有可調(diào)的電流限制和延遲（消隱）時間提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增強(qiáng)的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
2018-10-16 17:15:55
。關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM已實(shí)現(xiàn)采用獨(dú)有雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET的量產(chǎn)。?溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET與DMOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
評估，以改善動態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
80%的工程師使用泰克示波器來加快其設(shè)計的調(diào)試與測試工作。本文作者——泰克公司大中華區(qū)市場開發(fā)經(jīng)理張?zhí)焐诮邮車鴥?nèi)某知名媒體專訪時就示波器的一些關(guān)鍵指標(biāo)進(jìn)行了闡述，并在結(jié)尾作了趨勢展望。
2019-07-24 06:52:09
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作為SiC-MOSFET用IC最重要的關(guān)鍵點(diǎn)，接下來介紹其概要和特點(diǎn)。＜特點(diǎn)＞小型8引腳SOP-J8封裝低EMI準(zhǔn)諧振方式降頻功能待機(jī)時消耗電流低：19uA無負(fù)載時消耗電流低
2018-11-27 16:54:24
音頻功放的關(guān)鍵指標(biāo)是什么？
2021-06-03 06:00:03
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
異的高溫和高頻性能。
案例簡介：SiC MOSFET 的動態(tài)測試可用于獲取器件的開關(guān)速度、開關(guān)損耗等關(guān)鍵動態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開關(guān)特性
2025-04-08 16:00:57
解析LED背光電視 聚焦五項關(guān)鍵指標(biāo)
如今走進(jìn)各大家電賣場的電視專區(qū)，你一定會發(fā)現(xiàn)，液晶電視的普及方興未艾，但它已經(jīng)不是幾年前那種“高高在上”的姿態(tài)，變得
2009-11-27 09:18:471108 音頻功放的關(guān)鍵指標(biāo)
1 引言
音頻功放在蜂窩電話、便攜式設(shè)備以及音響等領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用。在不同的應(yīng)用領(lǐng)域，對于音頻功放的參數(shù)指
2009-12-24 16:45:482266 
由于ADC產(chǎn)品相對于網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品和服務(wù)器需求小很多，用戶和集成商在選擇產(chǎn)品時對關(guān)鍵指標(biāo)的理解難免有一些誤區(qū)，接下來就這些誤區(qū)和真正的關(guān)鍵指標(biāo)做一些探討
2011-06-13 11:06:321619 關(guān)鍵績效指標(biāo)法(Key Performance Indicator，KPI)，它把對績效的評估簡化為對幾個關(guān)鍵指標(biāo)的考核
2011-06-30 09:44:104183 為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開關(guān)損耗及分析寄生參數(shù)對其開關(guān)特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準(zhǔn)分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結(jié)電容
2018-03-13 15:58:38
13 MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件，需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中，以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要，本文主要討論靜態(tài)特性。
2018-06-29 11:10:4813361 
本視頻介紹了英特爾?VTune?放大器的一般探索分析的關(guān)鍵指標(biāo)和基本用法。
2018-11-08 06:16:004073 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-03-14 11:56:464889 ，通過天線發(fā)射出去；同時，接收用戶終端發(fā)送的信息，傳送到核心網(wǎng)完成信息交互。 RRU都有哪些關(guān)鍵技術(shù)？影響RRU性能的關(guān)鍵指標(biāo)有哪些？本文對此進(jìn)行簡單的分析。典型的RRU內(nèi)部一般由4個部分組成：電源單元、收發(fā)信單元、功放單元、濾波
2020-11-12 10:39:002 在高溫下，溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時，溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:585116 Linux運(yùn)維中常見的關(guān)鍵指標(biāo)參數(shù)匯總
2021-05-05 09:06:002159 寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設(shè)備的設(shè)計裕量，并且較長的振鈴時間會引入EMI。
2022-08-29 15:20:382086 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:571699 
對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:571675 工業(yè)ai質(zhì)檢的關(guān)鍵指標(biāo)有哪些
2023-11-02 15:10:242522 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:391498 
SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
圖1顯示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品。作為業(yè)界最高電壓阻斷能力（高達(dá)4700V）器件的制造商
2023-12-01 11:04:491123 
示波器的三大關(guān)鍵指標(biāo)有哪些？ 示波器是一種用來觀察和測量電信號的儀器。它通過顯示電壓隨時間變化的圖形，使我們能夠觀察信號的振幅、頻率、相位和波形等特征。在選擇和使用示波器時，有三個關(guān)鍵指標(biāo)需要我們
2024-01-17 15:14:242624 可靠保護(hù)電路。 # 2. 箝位電壓（Vc） 箝位電壓是TVS開始工作并穩(wěn)定電壓范圍的關(guān)鍵。根據(jù)需要抑制的過電壓范圍，選擇合適的箝位電壓，確保TVS有效抑制過電壓。 TVS選型四個關(guān)鍵指標(biāo)的大小選擇 關(guān)鍵詞：TVS選型、工作電壓、瞬態(tài)電流、箝位電壓、電容值 # 1. 工作電
2024-01-24 15:39:001517 
TVS選型四個關(guān)鍵指標(biāo)關(guān)鍵詞：TVS選型、工作電壓、瞬態(tài)電流、箝位電壓、電容值1.工作電壓(Vrwm)要選擇合適的TVS，工作電壓是首要考慮的指標(biāo)。根據(jù)電路的最高電壓，選擇工作電壓稍高于最高電壓
2024-01-26 08:03:322137 
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊，以滿足大型工業(yè)設(shè)備市場對高性能逆變器日益增長的需求。這兩款新模塊分別是3.3kV/400A和3.3kV/200A規(guī)格，將于6月10日起正式投入市場。
2024-06-12 14:51:071362 在電子設(shè)備日益普及的今天，電源濾波器作為保障電源質(zhì)量、抑制電磁干擾的重要器件，其選擇和應(yīng)用顯得尤為重要。本文維愛普電源濾波器小編將為您詳細(xì)介紹電源濾波器選擇時需要考慮的關(guān)鍵指標(biāo)，幫助您更好地理解和應(yīng)用電源濾波器。
2024-06-18 10:46:461150 
數(shù)據(jù)采集DAQ關(guān)鍵指標(biāo)有哪些
2024-09-03 13:52:361204 
SiC功率器件，但在工作原理、特性、應(yīng)用及優(yōu)缺點(diǎn)等方面存在顯著的差異。以下是對SiC MOSFET和SiC SBD之間區(qū)別的詳細(xì)分析。
2024-09-10 15:19:074705 為了確保高頻電路的高效運(yùn)行和可靠性，一系列性能指標(biāo)被提出并嚴(yán)格遵循。這些性能指標(biāo)涵蓋了增益、通頻帶、選擇性、噪聲系數(shù)和穩(wěn)定性等多個方面，下面將逐一探討這些關(guān)鍵指標(biāo)及其在高頻電路設(shè)計中的重要性。 增益
2024-09-20 16:31:411549 三菱電機(jī)新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD-Embedded）技術(shù)，可以滿足鐵路應(yīng)用的高可靠性、高功率和高效率要求
2024-10-31 16:47:491968 
數(shù)字化車間是智能制造的核心引擎，通過數(shù)字化技術(shù)和信息化手段，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)數(shù)據(jù)的實(shí)時采集、傳輸、分析和應(yīng)用，提高生產(chǎn)效率和管理水平，增強(qiáng)競爭力。影響其性能的關(guān)鍵指標(biāo)包括設(shè)備綜合效率（OEE）、時間開動率、性能開動率、合格品率等。
2024-12-23 11:01:511236 
ADC以其低功耗、高精度、小尺寸以及適中的速度和分辨率，在中等至高分辨率應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位。本文將詳細(xì)介紹SAR ADC的概念、工作過程、關(guān)鍵指標(biāo)以及其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。
2025-02-02 13:57:002445 BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用1.7 kV SiC MOSFET為工業(yè)和太陽能應(yīng)用提供輔助電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 13:55:280 Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
選擇和技術(shù)參數(shù)的考量。因此，了解這些儀器的關(guān)鍵指標(biāo)和實(shí)用技巧，能幫助您做出更明智的決策，滿足各類礦物分析需求。 定義與工作原理 便攜式礦物地物光譜儀是一種便于現(xiàn)場使用的設(shè)備，主要利用地物光譜技術(shù)進(jìn)行礦物成分分析
2025-08-19 11:31:18618 
BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹
2025-09-01 16:16:110 傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15393 
傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-24 09:00:23495 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 正憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NTBG014N120M3P SiC MOSFET，這款器件在多個關(guān)鍵指標(biāo)上表現(xiàn)出色，為各類電力應(yīng)用提供了強(qiáng)大的支持。
2025-12-05 11:04:55433 
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