美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
~150攝氏度。6N65的電性參數(shù)是：連續(xù)二極管正向電流(IS)為6A，漏源電壓為650V，二極管正向電壓(VSD)為1.4V，其中有3條引線。 6N65參數(shù)描述型號：6N65封裝：TO-220特性
2021-10-23 15:17:05
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對
2018-11-29 14:35:50
產(chǎn)品架構(gòu)與核心特性
1. 高壓耐受與負壓免疫
650V開關(guān)節(jié)點耐壓 +50V/ns dv/dt抗擾 ：應(yīng)對電機反電動勢和MOSFET開關(guān)尖峰
-7V VS負壓承受 ：消除體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致的負壓擊穿
2025-06-25 08:34:07
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
)
XD040Y120AB1S3(1200V 40A應(yīng)用：快充/OBC/PCS/BMS/充電樁,電機控制)
XD006Y065AB1L2 (650V 6A應(yīng)用：快充/OBC/PCS/BMS/充電樁,電機控制
2024-12-19 15:03:24
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)（通用應(yīng)用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
650nm紅光鐳射二極管
2009-11-11 16:16:06
20 *6 電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作溫度范圍-
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371526 (1)可用特性相同，參數(shù)指標(biāo)不低于原件的二極管代用。比如可用Ru2(650V、1A、1.5v)代用$5295J(650V、1A、1.5V)、RG2(400V、1.5A、1.5v)代用S5295G(400V、1A、1.5V)。
2011-01-28 17:43:2731868 
英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26975 
FRED Pt? Gen 4 Ultrafast快恢復(fù)二極管，這些器件適用于電源模塊、電機驅(qū)動、UPS、太陽能逆變器、焊機逆變器里的高頻轉(zhuǎn)換器。
2015-06-02 15:10:531320 ---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2016-05-12 14:01:14924 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 3A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:149 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計和開發(fā)更具價格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 2020年7月4日 華潤微電子（CR MICRO）正式向市場投入1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時宣布國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤微電子
2020-07-04 22:28:508397 森國科針對大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產(chǎn)品。該兩款產(chǎn)品型號為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A），KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。
2021-03-10 16:24:213243 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:203459 
工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級部件。
2021-11-05 16:18:341116 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:551515 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
產(chǎn)品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一項 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產(chǎn)品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 額定電壓 (2A、5A 和 10A) 產(chǎn)品。
2023-02-16 12:09:031185 SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:244172 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:571193 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。 低開關(guān)損耗：采用先進的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342034 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V
2023-09-22 09:25:32840 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:062 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065H：DPAK R2P中的650 V、10 A SiC肖特基二極管產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費下載
2023-12-19 16:06:240 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場景。
2024-02-01 10:50:021808 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-08 16:35:253 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費下載
2024-04-08 17:15:311 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:08:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:10:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:49:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:52:381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:53:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:56:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:57:221 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:01:090 2024年7月10日，半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)Nexperia隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境設(shè)計的650V超快速恢復(fù)整流二極管，這些產(chǎn)品采用了獨特的D2 PAK真雙引腳（R2P）封裝技術(shù)，旨在廣泛應(yīng)用于工業(yè)及消費領(lǐng)域，如充電適配器、光伏（PV）系統(tǒng)、逆變器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器以及開關(guān)模式電源（SMPS）等。
2024-07-11 15:02:0111753 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出了采用D2PAK真雙引腳 (R2P) 封裝的650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管，可用于各種工業(yè)和消費應(yīng)用，包括充電適配器、光伏 (PV)、逆變器、服務(wù)器和開關(guān)模式
2024-07-11 16:10:111291 在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新浪潮中，Nexperia再次站在了行業(yè)的前沿，隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境精心設(shè)計的650V超快速恢復(fù)整流二極管。這兩款產(chǎn)品不僅代表了Nexperia在高壓半導(dǎo)體元件領(lǐng)域的深厚積累，也預(yù)示著工業(yè)及消費領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀咝А⒏煽康碾娏D(zhuǎn)換解決方案。
2024-07-12 15:20:431381 ：2ED2388S06F產(chǎn)品特點工作電壓（相對于VS）高達+650V負VS瞬態(tài)抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應(yīng)用價值集成自舉
2024-07-27 08:14:36869 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2024-09-05 11:36:560 森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機驅(qū)動和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:131162 
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表貼封裝、實現(xiàn)了寬爬電距離的SiC肖特基勢壘二極管。雖為小型表貼封裝，但通過確保足夠的爬電距離，可減輕采取特殊絕緣對策（灌
2024-12-19 09:43:181316 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)
2025-02-25 15:44:15792 
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 17:23:30763 
：SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻操作
2025-02-25 17:44:07773 
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS
2025-02-25 18:13:42813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流
2025-02-26 17:07:13727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806 
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774 
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854 
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2，具備超快速
2025-02-27 17:11:28678 
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220I - 2，具有超
2025-02-27 17:32:44805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06715 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08851 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15813 
：SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認證 TO-263-2 封裝 超快速
2025-02-28 18:21:04900 
PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品，可提供與其相當(dāng)?shù)男屎碗妷航殿~性能，同時具有硅二極管的價格優(yōu)勢和供應(yīng)保證。
2025-03-27 13:46:55864 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34900 第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)森國科推出的碳化硅二極管 KS10065（650V/10A），針對不同場景的散熱、空間及絕緣要求，提供7種封裝形態(tài)，靈活覆蓋車規(guī)、工業(yè)電源、消費電子三大領(lǐng)域。通過
2025-08-16 15:55:442377 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611 
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