的性能和功耗優(yōu)化。 采用5納米的新工藝，與公司的7納米工藝相比，相同的Cortex-A72內(nèi)核可實(shí)現(xiàn)1.8倍的邏輯密度和15％的速度提升。 5nm工藝采用EUV光刻（極紫外曝光）制造，與公司以前的節(jié)點(diǎn)相比，通過簡化制造工藝和在同一發(fā)展階段實(shí)現(xiàn)出色的技術(shù)成熟度，可
2019-04-10 09:18:16
1470 已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:477186 共享一些設(shè)計(jì)規(guī)則。新的N5工藝將提供7nm變體以上的完整節(jié)點(diǎn)增加，并在10層以上的層中廣泛使用EUV技術(shù)，從而減少了7nm以上的生產(chǎn)總步驟。新的5nm工藝還采用了臺(tái)積電的下一代FinFET技術(shù)。 芯片命名 公開資料顯示，臺(tái)積電5nm EUV工藝可提供整體邏輯密度增加約1.84倍，功率
2019-12-13 11:18:575736 TSMC 表示，其 5nm EUV 可將密度提升約 1.84 倍、能效提升 15%（功耗降低 30%）。當(dāng)前測試的芯片有 256 Mb SRAM 和一些邏輯器件，平均良率為 80%、峰值為 90% 。
2019-12-16 08:41:306280 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:091381 · 新思科技Custom Design Platform為三星7LPP工藝技術(shù)提供經(jīng)認(rèn)證的工具、PDK、仿真模型、運(yùn)行集（runsets）以及定制參考流程。
· 新思科技Custom
2018-07-18 11:46:358001 在7nm及以下節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電的進(jìn)展是最快的，今年量產(chǎn)7nm不說，最快明年4月份就要試產(chǎn)5nm EUV工藝了，不過這個(gè)節(jié)點(diǎn)的投資花費(fèi)也是驚人的，臺(tái)積電投資250億美元建廠，5nm芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用也要比7nm工藝提升50%。
2018-10-08 09:52:334230 10月10日晚間消息，著名半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在六個(gè)月后開始試產(chǎn)！
2018-10-11 11:45:234223 1月12日晚間，三星舉辦了全球線上發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布了 5nm 芯片 Exynos 2100。Exynos 2100 是三星首款集成 5G 的移動(dòng)芯片組，基于 5nm EUV 工藝。與采用 7nm 工藝的前代產(chǎn)品相比，Exynos 2100 功耗降低 20%，整體性能提高了 10%。
2021-01-13 11:06:103594 5nm工藝。不過，最近有消息傳出，三星遇到麻煩了，其5nm工藝的良率竟然低于50%。 韓國媒體報(bào)道，三星電子華城園區(qū)V1廠，最近面臨晶圓代工良率改善難題，5nm等部分工藝良率低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠，其中V1為EUV專用廠，于201
2021-07-05 18:35:594334 3nm 時(shí)代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是
2023-05-19 16:25:121405 
基于10nm++開發(fā)7nm工藝、基于7nm設(shè)計(jì)開發(fā)5nm工藝，基于5nm工藝來開發(fā)3nm工藝，毫無疑問，每一個(gè)“+”或者“++”所擁有的技術(shù)更新都將有可能進(jìn)入下一代節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)之中?！ ≡?nm節(jié)點(diǎn)之后
2020-07-07 11:38:14
是通過提升技術(shù)成本來平衡工序成本和周期成本。例如，按照格羅方德的測算，啟用EUV技術(shù)，在7nm和5nm節(jié)點(diǎn)，都僅需要1個(gè)光罩即可生產(chǎn)。這樣理論上來說，就可以起到簡化工藝流程，減少生產(chǎn)周期的作用。對此，芯謀
2017-11-14 16:24:44
想問一下，TSMC350nm的工藝庫是不是不太適合做LC-VCO啊，庫里就一個(gè)電容能選的，也沒有電感可以選。（因?yàn)檎n程提供的工藝庫就只有這個(gè)350nm的，想做LC-VCO感覺又不太適合，好像只能做ring-VCO了）請問350nm有RF工藝嘛，或者您有什么其他的工藝推薦？
2021-06-24 08:06:46
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
Research、東京電子和中微半導(dǎo)體，而通過臺(tái)積電5nm工藝認(rèn)證的則更少。在這個(gè)領(lǐng)域，中國大陸的中微半導(dǎo)體取得了可喜的進(jìn)步，其5nm蝕刻機(jī)已經(jīng)打入臺(tái)積電供應(yīng)鏈。中微半導(dǎo)體主要生產(chǎn)蝕刻機(jī)、MOCVD等設(shè)備
2020-03-09 10:13:54
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
臺(tái)積電宣布5nm基本完工開始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
求TSMC90nm的工藝庫，請問可以分享一下嗎？
2021-06-22 06:21:52
新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通過芯片驗(yàn)證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09899 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:302301 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:462224 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)
2012-10-08 16:00:141265 FinFET制程的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊（DRM）第0.5版的認(rèn)證，同時(shí)從即刻起可以提供一套TSMC 16-nm可互通制程設(shè)計(jì)套件（iPDK）。憑借其對iPDK標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)大的支持，Synopsys的Laker定制解決方案為用戶提供了從180-nm到16-nm的多種TSMC工藝技術(shù)的全面對接。
2013-09-23 14:45:301379 ? Analog FastSPICE? 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級和器件級認(rèn)證，Olympus-SoC? 數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)正在進(jìn)行提升，以幫助設(shè)計(jì)工程師利用 TSMC 10nm FinFET 技術(shù)更有效地驗(yàn)證和優(yōu)化其設(shè)計(jì)。10nm V1.0 工藝的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2015 年第 4 季度完成。
2015-09-21 15:37:101664 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:423456 EUV被認(rèn)為是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造更小芯片的重要里程碑，但是根據(jù)目前的EUV微影技術(shù)發(fā)展進(jìn)程來看，10奈米（nm）和7nm制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，就是5nm仍存在很大的挑戰(zhàn)。
2018-01-24 10:52:392922 
TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:004493 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對
2018-05-17 06:59:005644 Intel 10nm工藝還在苦苦掙扎，臺(tái)積電和三星已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm，下一步自然就是5nm，臺(tái)積電近日也首次公開了5nm的部分關(guān)鍵指標(biāo)，看起來不是很樂觀。 明年，臺(tái)積電的第二代7nm工藝會(huì)在部分非
2018-05-15 14:35:134690 
5nm、4nm、3nm工藝，直逼 這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:004661 Synopsys Synopsys近日宣布， Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證，可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過與TSMC的早期密切協(xié)作，IC CompilerII
2018-06-01 09:35:004920 10月10日晚間消息，著名半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在六個(gè)月后開始試產(chǎn)！
2018-10-11 08:44:335539 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:217324 IC Compiler II和Design Compiler Graphical提供了統(tǒng)一流程，實(shí)現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。
StarRC、PrimeTime和PrimeTime PX支持全流程設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)并提供時(shí)序和功耗分析的signoff支持。
2018-10-23 14:29:146019 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232042 國內(nèi)的中微電子已經(jīng)研發(fā)成功5nm等離子刻蝕機(jī)，并通過了臺(tái)積電的認(rèn)證，將用于全球首條5nm工藝。
2018-12-20 08:55:2626103 工智能（AI）市場。 臺(tái)積電表示，相較7nm制程，5nm的微縮功能在Arm的Cortex-A72核心上能夠提供1.8倍的邏輯密度，性能可提升15%。此外，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)，因此可帶來EUV技術(shù)提供的制程簡化效益。 臺(tái)積電指出，5nm制程能提供芯片設(shè)計(jì)業(yè)者
2019-04-04 11:16:023456 臺(tái)積電指出，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，因此可帶來EUV技術(shù)提供的制程簡化效益。5nm制程能夠提供全新等級的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動(dòng)及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前，其他晶元廠的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時(shí)代臺(tái)積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:572115 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成，該技術(shù)可
2019-04-18 20:48:54636 新思科技近日宣布，三星(Samsung Electronics)認(rèn)證了新思科技Fusion Design Platform?，用于三星采用EUV光刻技術(shù)的5納米Low-Power Early(早期
2019-06-12 13:48:354326 臺(tái)積電計(jì)劃在明年第一季度開始量產(chǎn)5nm芯片，5nm較7nm晶體數(shù)量將增加1.8倍，性能提升15%。不過在今年，2019款iPhone還是繼續(xù)采用7nm工藝制程的芯片，性能較上代的A12有所提升。而高通下一代旗艦芯片驍龍865將由三星代工，也是7nm EUV工藝制造。
2019-06-17 10:36:281404 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473943 采用極紫外（EUV）光刻技術(shù)的Cadence 數(shù)字全流程解決方案已通過Samsung Foundry 5nm早期低功耗版（5LPE）工藝認(rèn)證。
2019-07-11 16:36:474273 近兩年先進(jìn)半導(dǎo)體制造主要是也終于迎來了EUV光刻機(jī)，這也使7nm之后的工藝發(fā)展得以持續(xù)進(jìn)行下去。臺(tái)積電和三星都對自家工藝發(fā)展進(jìn)行了規(guī)劃，現(xiàn)在兩家已經(jīng)逐步開始進(jìn)行7nm EUV工藝的量產(chǎn)，隨后還有5nm工藝及3nm工藝。
2019-07-24 11:45:423224 7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:115945 日前，高通發(fā)布了新一代旗艦平臺(tái)驍龍865、主流平臺(tái)驍龍765/765G，分別采用臺(tái)積電7nm、三星8nm工藝制造。那么，高通為何在兩個(gè)平臺(tái)上使用兩種工藝？驍龍865為何沒用最新的7nm EUV？5nm方面高通有何規(guī)劃？
2019-12-09 17:23:237069 在全球晶圓代工市場上，已經(jīng)沒有公司能超過臺(tái)積電了，他們的16/12nm訂單居高不下，7nm及改良版7nm EUV工藝如火如荼，下一代的5nm工藝進(jìn)展也非常順利，據(jù)悉現(xiàn)在的良率就比7nm工藝初期要好了。
2019-12-01 09:57:111047 高通昨晚發(fā)布了第三代5G基帶芯片——驍龍X50，使用的是5nm工藝。高通對5nm工藝的代工廠來源守口如瓶，不過外媒報(bào)道稱驍龍X60首發(fā)了三星的5nm工藝。
2020-02-19 15:09:363574 臺(tái)積電作為5nm芯片生產(chǎn)規(guī)模最大的代工廠之一，根據(jù)其計(jì)劃，5nm工藝芯片將在今年上半年正式量產(chǎn)。
2020-03-06 13:54:305366 臺(tái)積電將會(huì)在今年年中開始進(jìn)行5nm EUV工藝的量產(chǎn)，屆時(shí)臺(tái)積電的主要5nm工藝客戶有蘋果和華為兩家。根據(jù)MyDrivers報(bào)道，華為的下一代旗艦處理器可能命名為麒麟1020，有5nm EUV工藝加持后性能會(huì)比麒麟990 5G SoC提升50%！
2020-03-07 15:52:093150 臺(tái)積電5nm制造工藝基于ULV，也就是紫外線光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)，之前的7nm EUV工藝同樣也是基于這項(xiàng)技術(shù)。那么制程的縮小又意味著什么？相比于7nm工藝，5nm工藝可以進(jìn)一步提升芯片的晶體管密度，提升性能并降低功耗，可廣泛用于PC、智能手機(jī)等設(shè)備的元器件中。
2020-03-12 14:10:443184 在開發(fā)5nm制程技術(shù)僅一年之后，三星就開始了 5nm EUV（極紫外）生產(chǎn)線的建設(shè)。三星公司希望在2030年之前擊敗臺(tái)積電，并成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者。
2020-03-12 14:30:362526 2020年，全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝要從7nm升級到5nm了，臺(tái)積電最近上半年就開始量產(chǎn)5nm EUV工藝，而三星也加碼投資，預(yù)計(jì)6月底完成5nm EUV生產(chǎn)線。
2020-03-13 08:35:013238 臺(tái)積電上周發(fā)布了3月及Q1季度財(cái)報(bào)，營收同比大漲了42%，淡季不淡。不過接下來的日子半導(dǎo)體行業(yè)可能不太好過了，ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)斷貨，要延期交付，好在臺(tái)積電今年已經(jīng)在5nm工藝上搶先三星了。
2020-04-15 08:55:173633 4月20日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，按計(jì)劃，在7nm工藝量產(chǎn)近兩年之后，芯片代工商臺(tái)積電今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，臺(tái)積電方面日前也透露，他們的5nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，良品率也非?？捎^。
2020-04-20 17:00:033185 ，雖然整體多少還是受到疫情影響，但臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)5nm工藝技術(shù)影響程度不大，僅接下來的3nm工藝試產(chǎn)可能會(huì)有延后情況。
2020-04-21 15:56:232913 CFan曾在《芯希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個(gè)關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒有
2020-09-01 14:00:293544 基于5nm EUV工藝。 到底哪家的5nm工藝更穩(wěn)，要等雙雙有終端上市后才能掰一掰腕子。 另外，AMD的Zen3和RDNA2都沒有上馬5nm，而是7nm增強(qiáng)版。除了
2020-09-17 13:58:01979 芯片是三星與vivo聯(lián)手定制，有望被vivo X60系列首發(fā)。 和三星去年同期推出的Exynos 980（8nm）相比，Exynos 1080在最新5nm工藝的加持下可以讓性能提升14%，功耗降低30
2020-11-14 09:58:0514683 （功耗、性能和面積）優(yōu)勢，同時(shí)加快產(chǎn)品上市時(shí)間 ● 新思科技進(jìn)一步強(qiáng)化關(guān)鍵產(chǎn)品，以支持TSMC N3制造的進(jìn)階要求 新思科技（Synopsys）近日宣布，其數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)已獲得TSMC 3nm制造技術(shù)驗(yàn)證。此次驗(yàn)證基于TSMC的最新設(shè)計(jì)參考手冊（DRM）和工藝設(shè)計(jì)工具包（
2020-10-14 10:47:572543 重點(diǎn) ● TSMC認(rèn)證基于新思科技3DIC Compiler統(tǒng)一平臺(tái)的CoWoS和InFO設(shè)計(jì)流程 ● 3DIC Compiler可提高先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)生產(chǎn)率 ● 集成Ansys芯片封裝協(xié)同分析解決方案
2020-10-14 11:11:212815 5nm工藝是7nm之后臺(tái)積電又一項(xiàng)行業(yè)領(lǐng)先、可帶來持久營收的重要工藝，隨著投產(chǎn)時(shí)間的延長，其產(chǎn)能也會(huì)有明顯提升，會(huì)有更多的客戶獲得產(chǎn)能，5nm工藝為臺(tái)積電帶來的營收也會(huì)大幅增加。
2020-10-16 16:40:022297 在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電已經(jīng)一騎絕塵了，其他人望不到尾燈了，今年量產(chǎn)了5nm，明年就輪到3nm了。
2020-10-17 09:12:382410 為臺(tái)積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣，臺(tái)積電的 5nm 工藝也不只一代，他們還將推出第二代的 5nm 工藝，也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間，臺(tái)積電曾披露，同第一代 5nm 工藝相比，第二代 5nm 工藝所制造的芯片，理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:022235 蘋果的iPhone 12系列及華為的Mate40系列都用上了5nm工藝，A14、麒麟9000是臺(tái)積電5nm工藝最早的兩個(gè)產(chǎn)品之一，接下來三星、聯(lián)發(fā)科的5nm旗艦芯片也快了。
2020-11-09 10:49:192076 1080處理器是三星首款基于最新的5nm EUV FinFET工藝制造的處理器，進(jìn)一步提高設(shè)備的電源效率和性能。 三星Exynos在11月12日在上海舉行首場國內(nèi)線下發(fā)布會(huì)；據(jù)介紹，vivo將首發(fā)搭載
2020-11-12 18:13:204092 Shin稱，通過采用和集成現(xiàn)有的最先進(jìn)技術(shù)，例如5nm EUV和最新的處理內(nèi)核，Exynos 1080可以在移動(dòng)設(shè)備中提供5G，設(shè)備內(nèi)置AI技術(shù)
2020-11-12 16:48:022150 制造工藝EUV（極紫外光刻）。Exynos 1080 所采用的 5nm EUV 工藝與 8nm LPP（成熟低功耗）相比，性能提升 14%，功耗降低 30%；與 7nm DUV（深紫外光刻）相比，
2020-11-12 16:48:292309 今天高通的驍龍888 5G平臺(tái)刷屏了，不論CPU還是GPU、AI提升都很大，制程工藝也升級到了5nm。只不過高通在發(fā)布會(huì)上對5nm工藝的代工廠一直閉口不提，今天才確認(rèn)是三星5nm工藝。
2020-12-03 09:03:482892 昨天高通的驍龍888 5G平臺(tái)刷屏了，不論CPU還是GPU、AI提升都很大，制程工藝也升級到了5nm。只不過高通在發(fā)布會(huì)上對5nm工藝的代工廠一直閉口不提，今天才確認(rèn)是三星5nm工藝。
2020-12-03 10:37:025772 ，AMD、NVIDIA等公司也會(huì)跟進(jìn)5nm，不過至少要到2021年底了，在此之前臺(tái)積電的5nm工藝會(huì)有一段空缺，有報(bào)告稱明年Q2季度5nm利用率會(huì)降至80%以下。 誰能來填補(bǔ)這個(gè)空缺？礦機(jī)廠商現(xiàn)在已經(jīng)找到機(jī)會(huì)了，一方面是最近比特幣價(jià)格大漲，數(shù)字貨幣市場全面復(fù)興
2020-12-22 14:12:282103 從 2020 年下半年開始，各家手機(jī)芯片廠商就開始了激烈的 5nm 芯片角逐，蘋果、華為、高通、三星相繼推出旗艦級 5nm 移動(dòng)處理器，并宣稱無論是在性能上還是在功耗上都有著優(yōu)秀的表現(xiàn)。 不過
2021-01-20 14:57:5442511 
昨天聯(lián)發(fā)科發(fā)布了天璣1200、天璣1000系列處理器，使用的是臺(tái)積電6nm EUV工藝，相當(dāng)于7nm的改進(jìn)版，而友商的旗艦5G處理器大都說用了更先進(jìn)的5nm工藝，甚至還有更強(qiáng)的X1架構(gòu)。
2021-01-21 15:38:282067 5nm是EUV（極紫外線）光刻機(jī)能實(shí)現(xiàn)的目前最先進(jìn)芯片制程工藝，也是智能手機(jī)廠商爭搶的宣傳賣點(diǎn)，進(jìn)入2020年下半年后，蘋果A14、麒麟9000、驍龍888等5nm工藝芯片相繼粉墨登場。
2021-01-25 13:45:5610690 從制程工藝來講，以手機(jī)為代表的消費(fèi)電子產(chǎn)品要遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于車載芯片。但在昨晚，這一局面發(fā)生了改變。 高通發(fā)布了第4代驍龍汽車數(shù)字座艙平臺(tái)，并帶來了全球第一款5nm汽車芯片，為下一代汽車架構(gòu)演進(jìn)指明方向
2021-01-27 11:48:443121 作為臺(tái)積電的頭號(hào)客戶，蘋果每年都可以用上臺(tái)積電最先進(jìn)的工藝，iPhone 12的A14又是首發(fā)5nm工藝。 上馬新工藝不是簡單一句話的事，因?yàn)榕_(tái)積電的新工藝價(jià)格越來越貴，此前CSET分析過不同工藝
2021-01-28 09:44:061997 功耗是芯片制造工藝演進(jìn)時(shí)備受關(guān)注的指標(biāo)之一。比起7nm工藝節(jié)點(diǎn)，5nm工藝可以使產(chǎn)品性能提高15%，晶體管密度最多提高1.8倍。三星獵戶座1080、華為麒麟9000、驍龍888和蘋果的A14芯片都
2021-02-04 14:33:108222 SoC 設(shè)計(jì)與應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商Socionext Inc.(以下“Socionext”)宣布，公司將采用臺(tái)積電最新5nm制程工藝(N5P)用于下一代汽車定制芯片業(yè)務(wù)。Socionext汽車定制芯片
2021-02-05 11:50:272703 ）宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程已獲得 TSMC N3 和 N4 工藝技術(shù)認(rèn)證，支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊（DRM）。通過持續(xù)合作，Cadence 和 TSMC 發(fā)布了 TSMC N3 和 N
2021-10-26 15:10:583128 ”）已在5nm、4nm和3nm工藝技術(shù)中認(rèn)證了新思科技的PrimeLib統(tǒng)一庫表征和驗(yàn)證解決方案，可滿足高性能計(jì)算、5G、汽車、超連接、以及人工智能芯片等下一代設(shè)計(jì)的高級計(jì)算需求。此次認(rèn)證還包括
2021-11-09 16:59:262372 技（Synopsys）近日宣布其數(shù)字定制設(shè)計(jì)平臺(tái)已獲臺(tái)積公司N3制程技術(shù)認(rèn)證，雙方將共同優(yōu)化下一代芯片的功耗、性能和面積（PPA）?；诙嗄甑拿芮泻献?，本次經(jīng)嚴(yán)格驗(yàn)證的認(rèn)證是基于臺(tái)積公司最新版本的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊（DRM）和制程設(shè)計(jì)套件（PDK）。此外，新思科技
2021-11-16 11:06:322328 Siemens Digital Industries Software 宣布，其用于模擬、數(shù)字和混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)的電源完整性分析的全新 mPower? 解決方案現(xiàn)已通過 TSMC 的 N7 和 N5 工藝技術(shù)認(rèn)證。
2022-03-16 14:36:142279 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）今日宣布，其數(shù)字和定制 / 模擬設(shè)計(jì)流程已獲得 TSMC N3E 和 N4P 工藝認(rèn)證，支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊（DRM）。
2022-06-17 17:33:056035 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）今日宣布，其面向 TSMC N7、N6 和 N5 工藝技術(shù) PCI Express?（PCIe?） 5.0 規(guī)范的 PHY 和控制器
2022-06-23 10:17:302557 新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)流程獲得臺(tái)積公司的N3E和N4P工藝認(rèn)證，并已推出面向該工藝的廣泛IP核組合。
2022-07-12 11:10:511782 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，Cadence 數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)流程已通過 TSMC N3E 和 N2 先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊（DRM）認(rèn)證。兩家公司還發(fā)
2023-05-09 10:09:232046 最新節(jié)點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化 中國上海, 2023 年 7 月 5 日——楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程已通過 Samsung Foundry
2023-07-05 10:12:141327 流程現(xiàn)已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術(shù)認(rèn)證，其 Design IP 現(xiàn)可支持 Intel Foundry Services（IFS）的此工藝節(jié)點(diǎn)。 與此同時(shí)，Cadence 和 Intel 共同發(fā)布
2023-07-14 12:50:021450 
Cadence近日宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術(shù)上成功通過認(rèn)證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設(shè)計(jì)IP將全面支持Intel的代工廠在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的工作，并提
2024-02-27 14:02:181332 概倫電子(股票代碼：688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術(shù)認(rèn)證，滿足雙方共同客戶對高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。
2024-06-26 09:49:141378 ）計(jì)劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對3nm、5nm等先進(jìn)制程技術(shù)訂單漲價(jià)，漲幅在3%到8%之間，而AI相關(guān)高性能計(jì)算產(chǎn)品的訂單漲幅可能高達(dá)8%到10%。此外，臺(tái)積電還計(jì)劃對CoWoS先進(jìn)封裝服務(wù)進(jìn)行漲
2025-01-03 10:35:351088
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