寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:34
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鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測量24、 納米、微米臺(tái)階測量25、 電阻、方阻、電阻率測量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47
普遍預(yù)期將開始成長的超輕薄筆電(Ultrabook)，即將對(duì)半導(dǎo)體市場中的幾個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)其影響力，包括感測器、電源和類比晶片等，都預(yù)計(jì)將受益于這個(gè)由英特爾(Intel)力推的全新低功耗筆電產(chǎn)品;然而
2011-11-24 18:14:48
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風(fēng)柜/廚、CDS化學(xué)品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
，瑞薩電子、意法半導(dǎo)體、飛思卡爾、英飛凌、以及國內(nèi)芯片商如偉詮、義晶等，等半導(dǎo)體業(yè)者都在自身優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)之上積極開發(fā)更創(chuàng)新的ADAS應(yīng)用芯片，包括專用影像處理器或數(shù)字信號(hào)處理器。ADAS關(guān)鍵技術(shù)應(yīng)用與方案
2020-06-02 15:09:59
的晶振等廣泛應(yīng)用于射頻、雷達(dá)、軍工、通信、工業(yè)控制等領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片及解決方案。為客戶提供高質(zhì)量的產(chǎn)品及優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，歡迎聯(lián)系！翁先生，TEL *** QQ491961438
2012-06-13 17:05:12
民幣5220元）以下的晶圓才適用于功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)。成功獲得適用于量產(chǎn)功率半導(dǎo)體的、高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵晶圓氮化鎵晶片存在以上問題的根源是其晶體生長方式。目前批量生產(chǎn)的 Bulk氮化鎵晶片采用以下方式制造，利用
2023-02-23 15:46:22
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載
非本征
半導(dǎo)體。它們是正（P）型
半導(dǎo)體或負(fù)（N）型
半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的
半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
已廣泛應(yīng)用于汽車電子、新能源、工控、電源、家電、照明、安防、網(wǎng)通、消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域，并具有UL、RoHS和REACH等多項(xiàng)認(rèn)證，可為客戶提供可靠、優(yōu)質(zhì)和定制化的半導(dǎo)體解決方案商。自成立以來，MDD
2022-11-11 11:50:23
本文將介紹應(yīng)用于32位MCU的新產(chǎn)品的解決方案。
2021-05-17 06:26:09
單片機(jī)廣泛應(yīng)用于哪些領(lǐng)域?它可以做什么？
2022-02-23 07:54:06
Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應(yīng)用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導(dǎo)體解決方案的特點(diǎn)是在單一IC上高度集成各種元件，配合高效和先進(jìn)的電路拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">廣泛應(yīng)用于1W或以
2011-07-15 21:47:14
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
領(lǐng)域稱冠全球。本文將列舉一些物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵應(yīng)用采用安森美半導(dǎo)體圖像傳感器的例子?！ ∥锫?lián)網(wǎng)圖像傳感器用于智能家庭應(yīng)用 智能家庭應(yīng)用包括家居安防、智能門鎖/門鈴、可穿戴、智能家電、智能照明、嬰兒監(jiān)護(hù)等多個(gè)
2018-11-08 16:23:34
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
。實(shí)際上，CMOS圖像傳感器最初應(yīng)用于工業(yè)圖像處理；在那些旨在提高生產(chǎn)率、質(zhì)量和生產(chǎn)工藝經(jīng)濟(jì)性的全新自動(dòng)化解決方案中，它至今仍然是至關(guān)重要的圖像解決方案?！ “采?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)及定制CMOS圖像傳感器
2018-11-05 15:22:10
安森美半導(dǎo)體將于下周在德國紐倫堡舉辦的Embedded World展示應(yīng)用于汽車、工業(yè)及消費(fèi)的的基于半導(dǎo)體的集成系統(tǒng)方案。我們將重點(diǎn)展示物聯(lián)網(wǎng)(IoT) 及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT) 或工業(yè)4.0，以及
2018-10-11 14:28:55
。此外，用于汽車功能電子化的電源半導(dǎo)體方案也已達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的水平。數(shù)據(jù)來源：IHS Markit, WSTS, public web sites as of August 2017雖然一些汽車半導(dǎo)體
2018-10-25 08:53:48
配置和調(diào)校用EEPROM方案：智能電表涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的問題，需要使用安全可靠的存儲(chǔ)器。安森美半導(dǎo)體為智能電表應(yīng)用提供了豐富的存儲(chǔ)器（如EEPROM、SRAM）解決方案。其中的EEPROM主要用于智能電表
2019-05-15 10:57:14
非微控制器的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商和第一大汽車自適應(yīng)前照燈供應(yīng)商，安森美半導(dǎo)體提供全面的高能效LED汽車照明方案，用于汽車內(nèi)部照明如閱讀燈、RGB氛圍燈、儀表盤背光燈等，和外部照明如前大燈、日間行車燈(DRL)、轉(zhuǎn)向燈、尾燈、標(biāo)識(shí)燈等。本文將著重介紹其最新的創(chuàng)新方案。
2019-07-25 06:23:01
，意法半導(dǎo)體將展示廣泛的汽車產(chǎn)品組合，并演示用于改進(jìn)道路安全和用戶出行體驗(yàn)的V2X（車對(duì)外界的信息交換）通信解決方案、ADAS（先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)）、雷達(dá)以及信息娛樂和車載信息服務(wù)等創(chuàng)新方案。參觀上述
2018-06-28 10:59:23
掃描式激光在線測厚儀廣泛應(yīng)用于各種透明及非透明板材、片材、泡沫板、中空板材、地板、金屬板、薄膜等產(chǎn)品在運(yùn)行過程中的厚度測量控制
2015-11-27 12:15:01
影響。至于需求面，受疫情影響，筆記本電腦以及智能手機(jī)已經(jīng)有比較明顯的出貨下修；但不管是DRAM還是NAND Flash，目前都是即將要轉(zhuǎn)為供貨吃緊的市況，但是采購端的購貨意愿還是很強(qiáng)。 需要指出的是，半導(dǎo)體
2020-02-27 10:45:14
半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商。·新生的瑞薩電子以強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力、設(shè)計(jì)開發(fā)平臺(tái)、多種制造技術(shù)為基礎(chǔ)，以世界占有率NO.1的MCU為中心，提供系統(tǒng)LSI、模擬及功率半導(dǎo)體等頗具競爭實(shí)力的產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于汽車、PC
2020-05-28 09:28:17
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
美國國家半導(dǎo)體溫度傳感器芯片開發(fā)概覽及產(chǎn)品簡介美國國家半導(dǎo)體的溫度傳感器芯片發(fā)展有四大方向：模擬(應(yīng)用于無線類、硬盤機(jī)、空調(diào)等的產(chǎn)品)，數(shù)字(應(yīng)用于硬盤機(jī)、空調(diào)、醫(yī)療設(shè)備、計(jì)算機(jī)類的產(chǎn)品)、遠(yuǎn)程
2018-11-19 17:10:41
解決方案的特點(diǎn)是在單一IC上高度集成各種元件，配合高效和先進(jìn)的電路拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">廣泛應(yīng)用于1W或以上功率范圍照明應(yīng)用。飛兆半導(dǎo)體備可為大、中、小功率范圍的LED照明應(yīng)用提供高能效的多種拓?fù)浼夹g(shù)解決方案。這些
2011-07-13 08:52:45
半導(dǎo)體生產(chǎn)用高純度原料高純氧化硼（Boron Oxide，B2O3 ）
2022-01-17 14:16:58
研究了不同反應(yīng)溫度對(duì)苯熱合成立方氮化硼的影響，研究結(jié)果表明：以Li3N和BBr3為原料制備立方氮化硼時(shí)，溫度對(duì)產(chǎn)物中立方相含量有很大影響，在200~400℃，產(chǎn)物主要為六方相氮
2009-04-26 22:18:59
23 用RF磁控濺射的方法在Si（100）基底上沉積了納米氮化硼薄膜，然后分別用氫、氧等離子體對(duì)薄膜表面進(jìn)行了處理，用紅外光譜、原子力顯微鏡、光電子能譜以及場發(fā)射試驗(yàn)對(duì)薄膜
2009-04-26 22:23:3728 摘 要：用RF磁控濺射的方法在最佳沉積條件下在Si（100）基底上沉積了納米氮化硼薄膜，然后對(duì)薄膜在真空度低于5×10-4Pa、溫度分別為800℃和1000℃條件下進(jìn)行了表面熱處理，分別
2009-05-16 01:54:1620 TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測量。通過晶圓的測溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。 WD4000半導(dǎo)體晶圓幾何表面形貌檢測設(shè)備可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢
2025-01-06 14:34:08
氮化硼納米管在TIM中的應(yīng)用隨著電子設(shè)備的性能不斷提升，芯片的散熱問題日益突出。傳統(tǒng)的熱界面材料（TIM）如熱環(huán)氧和硅樹脂雖成本低，但導(dǎo)熱性能有限，已在散熱效率上已逐漸接近極限，因此需要
2025-04-07 13:56:41
材料由一種名叫C60的微粒制成，C60是半導(dǎo)體，上面涂有其它材料，比如石墨烯和六方氮化硼。為什么這種獨(dú)特的結(jié)合行得通？因?yàn)榱?b class="flag-6" style="color: red">氮化硼讓材料更穩(wěn)定、具備電子兼容性，C60可以將陽光轉(zhuǎn)化為電能。
2017-06-03 11:08:042399 俄國立研究型技術(shù)大學(xué)（NUST MISIS）莫斯科鋼鐵冶金學(xué)院與北京交通大學(xué)、澳大利亞昆士蘭科技大學(xué)和日本國立材料科學(xué)研究所的科學(xué)家一起，制成厚度為一個(gè)分子的氮化硼新型半導(dǎo)體材料。
2017-08-22 10:56:255248 根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的專文報(bào)導(dǎo)說到，由于市場預(yù)測，半導(dǎo)體價(jià)格已達(dá)到高點(diǎn)并開始下跌，未來韓國半導(dǎo)體出口價(jià)格將呈下降的趨勢(shì)。特別是NAND Flash快閃存儲(chǔ)器價(jià)格的下降，越來越有可能連帶影響DRAM價(jià)格下跌。
2018-08-15 10:45:033847 本次會(huì)議將介紹恩智浦成熟的射頻產(chǎn)品解決方案，廣泛應(yīng)用于DAS和小型基站，功率范圍從0.5W、10W到20W和40W。
2019-01-21 07:10:003265 
本次會(huì)議將介紹恩智浦成熟的射頻產(chǎn)品解決方案，廣泛應(yīng)用于DAS和小型基站，功率范圍從0.5W、10W到20W和40W。
2019-01-08 07:08:003600 
本次會(huì)議將介紹恩智浦成熟的射頻產(chǎn)品解決方案，廣泛應(yīng)用于DAS和小型基站，功率范圍從0.5W、10W到20W和40W。
2019-01-07 07:06:004783 
晶圓（wafer） 是制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)性原材料。 極高純度的半導(dǎo)體經(jīng)過拉晶、切片等工序制備成為晶圓，晶圓經(jīng)過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成極微小的電路結(jié)構(gòu)，再經(jīng)切割、封裝、測試成為芯片，廣泛應(yīng)用到各類電子設(shè)備當(dāng)中。
2018-12-29 08:50:5628480 
近年來，VR虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)成為全球風(fēng)頭無兩的高新技術(shù)，廣泛應(yīng)用于VR+教育、VR+軍事、VR+工業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域，造就了一個(gè)巨大的行業(yè)風(fēng)口，而這些高新技術(shù)領(lǐng)域更是延伸到全球各地城市，積極活躍于群眾生活中。
2019-08-20 15:39:533385 據(jù)悉，六方氮化硼是一類重要的二維半導(dǎo)體層狀材料，如何在晶圓上實(shí)現(xiàn)單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應(yīng)用于集成電路中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
2020-03-17 15:21:383174 所示。除了硅片與玻璃，陽極鍵合技術(shù)還廣泛應(yīng)用于金屬與玻璃、半導(dǎo)體與合金、半導(dǎo)體與玻璃間的鍵合，且所需環(huán)境溫度相對(duì)較低（200~500 ℃）。憑借其優(yōu)點(diǎn)，陽極鍵合技術(shù)廣泛應(yīng)用于MEMS器件的制備過程中，如激光器、微干涉儀、壓力傳感器以及SOI結(jié)構(gòu)制作等。
2020-06-17 11:33:1414918 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192372 在金電極之間夾著一層原子薄的六方氮化硼層，可以作為傳輸5G甚至更高頻率的開關(guān)。
2020-07-30 10:30:311027 資料顯示，作為大陸領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司，東芯半導(dǎo)體聚焦于中小容量存儲(chǔ)芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是大陸少數(shù)可以同時(shí)提供Nand、Nor、Dram等主要存儲(chǔ)芯片完整解決方案的公司。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信
2020-09-16 15:06:494147 朋友測土配方施肥的需求，同時(shí)也為肥料生產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)專業(yè)化、系統(tǒng)化、信息化、數(shù)據(jù)化提供了可靠的依據(jù)，是農(nóng)業(yè)部門測土配方施肥的首選儀器。 廣泛應(yīng)用于各級(jí)農(nóng)業(yè)檢測中心、農(nóng)業(yè)科研院校、肥料生產(chǎn)、農(nóng)資經(jīng)營、農(nóng)技服務(wù)、種植
2021-08-20 11:06:25412 導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜是當(dāng)前5G射頻芯片、毫米波天線、AI、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域最為有效的散熱材料，具有不可替代性。
2022-10-24 08:57:104485 
生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導(dǎo)體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場，這降低了輻射復(fù)合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進(jìn)行對(duì)非極性或半極性氮化鎵基半導(dǎo)體層的研究。
2023-02-05 14:23:454374 
近日，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導(dǎo)體”)簽署授權(quán)代理協(xié)議，代理其旗下工業(yè)級(jí)氮化鎵功率驅(qū)動(dòng)芯片、智能氮化鎵功率開關(guān)等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、數(shù)據(jù)中心電源、光伏儲(chǔ)能、快充電源等行業(yè)。
2023-03-08 09:56:002123 類似的石墨層狀結(jié)構(gòu),呈現(xiàn)松散、潤滑、易吸潮、質(zhì)輕等性狀的白色粉末，所以又稱“白色石墨”。理論密度2.27g/cm3,比重：2.43，莫式硬度為2.六方氮化硼是具有良
2022-01-21 09:39:005059 
關(guān)鍵詞：高導(dǎo)熱絕緣，TIM材料，氮化硼，高端材料導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜
2022-05-31 10:42:411899 
關(guān)鍵詞：六方氮化硼，納米材料，5G,低介電，絕緣，透波，高導(dǎo)熱，國產(chǎn)高端導(dǎo)言：六方氮化硼（ｈ?ＢＮ）納米材料，如氮化硼納米顆粒（ＢＮＮＰｓ）、氮化硼納米管（ＢＮＮＴｓ）、氮化硼納米纖維（ＢＮＮＦｓ
2022-03-28 17:05:0412027 關(guān)鍵詞：高導(dǎo)熱絕緣，TIM材料，氮化硼，高端材料導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜
2022-07-29 09:59:362120 關(guān)鍵詞：六方氮化硼納米片，TIM熱界面材料，5G新材料，低介電新材料摘要：隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導(dǎo)熱復(fù)合材料的重要原料
2022-10-10 09:54:192399 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，低介電材料，氮化硼高端材料導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-10 10:04:112786 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-11 10:04:574010 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-13 10:07:244208 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-20 11:13:343058 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-27 11:50:543097 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-11-04 09:51:403381 摘要：為了系統(tǒng)地了解氮化硼在填充聚合物導(dǎo)熱復(fù)合材料中的應(yīng)用研究現(xiàn)狀，介紹了聚合物／氮化硼復(fù)合材料的導(dǎo)熱機(jī)理，綜述了氮化硼的粒徑、含量、表面改性以及與其他填料雜化復(fù)合等因素對(duì)聚合物復(fù)合材料導(dǎo)熱性
2022-11-17 17:40:567645 關(guān)鍵詞：六方氮化硼納米片，TIM熱界面材料，5G新材料，低介電，高端材料摘要：隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導(dǎo)熱復(fù)合材料的重要
2023-02-22 10:11:336213 關(guān)鍵詞：六方氮化硼納米片，二維材料，TIM熱界面材料，低介電，新能源材料摘要：隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導(dǎo)熱復(fù)合材料的重要
2023-06-30 10:03:005882 7月4日，vivoiQOO11S正式發(fā)布！200W快充再創(chuàng)速度紀(jì)錄，航天級(jí)氮化硼散熱材料功不可沒！在科技飛速更新的移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，vivoiQOO11S以200W的快充實(shí)非業(yè)內(nèi)首屈一指的。這款新型手機(jī)
2023-07-06 10:03:334256 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:438297 應(yīng)用氮化硼技術(shù)為用戶帶來了前所未有的使用體驗(yàn)。vivoiQOO11S作為iQOO品牌的重要產(chǎn)品，憑借其超快的200W快充技術(shù)和先進(jìn)的氮化硼散熱解決方案
2023-08-18 08:12:506518 上海伯東提供半導(dǎo)體新材料和設(shè)備管道檢漏解決方案, 助力企業(yè)生產(chǎn)高質(zhì)量的六氯乙硅烷 Si?Cl?. 六氯乙硅烷廣泛應(yīng)用于有機(jī)硅化合物的合成, 電子半導(dǎo)體材料制造.
2023-11-09 15:31:41877 
的嵌入式處理器（如用于機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能或數(shù)據(jù)中心的? CPU? 和? GPU ）和高并行性 測試（如? DRAM? 和? NAND ）等應(yīng)用進(jìn)行晶圓溫度針測時(shí)，需要耗散大量
2023-11-14 14:41:49951 
在導(dǎo)熱填料中，氮化硼因其化學(xué)穩(wěn)定性、絕緣性、高導(dǎo)熱性和高彈性模量等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是一種非常有前景的絕緣導(dǎo)熱填料。同時(shí)，它表現(xiàn)出了顯著的各向異性導(dǎo)熱性能，其中面內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)[300~600W/(m·K
2023-12-19 16:45:241365 氮化鋁（AlN）以其超寬禁帶寬度（~6.2 eV）和直接帶隙結(jié)構(gòu)，與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導(dǎo)體材料被并稱為超寬禁帶半導(dǎo)體，與氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料相比具有更優(yōu)異的耐高壓高溫、抗輻照性能。
2024-01-08 09:38:381815 
據(jù)悉，光學(xué)晶體被譽(yù)為激光技術(shù)的核心部件，廣泛運(yùn)用于微納加工、量子光源及生物檢測等領(lǐng)域。北京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過不斷嘗試，最終確定氮化硼作為最適合研發(fā)新型激光器的材料。
2024-04-26 10:41:401380 來源：中國科學(xué)院物理研究所 常見的六方相氮化硼（hBN）因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級(jí)平整等特點(diǎn)，被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN較多優(yōu)異性質(zhì)，并
2024-05-07 17:55:351332 
集成電路生產(chǎn)中，晶圓切割技術(shù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)切割技術(shù)難以滿足大規(guī)模生產(chǎn)需求，精密切割設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生。德國SycoTec提供多款高速電主軸，具有高轉(zhuǎn)速、高精度、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓切割等領(lǐng)域，提升切割質(zhì)量和效率。
2024-06-12 14:37:321208 
石墨片氮化硼散熱膜復(fù)合材料是一種結(jié)合了石墨片和氮化硼散熱膜各自優(yōu)異性能的新型復(fù)合材料。一、石墨片的基本特性石墨片是一種由天然石墨或人造石墨經(jīng)過精細(xì)加工而成的薄片材料，具有以下特性：高熱導(dǎo)率：石墨片在
2024-10-05 08:01:211256 基于二維氮化硼納米片的復(fù)合薄膜，此散熱膜具有透電磁波、高導(dǎo)熱、高柔性、高絕緣、低介電系數(shù)、低介電損耗等優(yōu)異特性，是5G射頻芯片、毫米波天線領(lǐng)域最為有效的散熱材料之一。高導(dǎo)熱透波絕緣氮化硼膜材主要
2024-10-31 08:04:002053 一、六方氮化硼（h-BN）六方氮化硼(h-BN)是由氮原子和硼原子構(gòu)成的共價(jià)鍵型晶體，具有類似石墨的層狀結(jié)構(gòu)，呈現(xiàn)松散、潤滑、易吸潮、質(zhì)輕等性狀的白色粉末，所以又稱“白色石墨”。它的理論密度
2024-11-15 01:02:342715 作為散熱材料雖然有一定效果，但其性能已逐漸無法滿足更高功率和更高效能的需求。在此背景下，氮化硼（BN）散熱膜作為一種新型散熱材料，因其獨(dú)特的物理特性，逐漸成為替代
2025-02-13 08:20:461036 引言：氮化硼，散熱界的“六邊形戰(zhàn)士”氮化硼材料的高導(dǎo)熱+強(qiáng)絕緣，完美適配5G射頻芯片、新能源電池、半導(dǎo)體封裝等高功率場景，是高性能絕緣導(dǎo)熱材料的首選，為高功率電子設(shè)備熱管理提供新的解決方案。六方
2025-04-05 08:20:141219 晟鵬公司研發(fā)的氮化硼導(dǎo)熱絕緣片憑借其高導(dǎo)熱性、耐高壓及輕量化等特性，在電動(dòng)汽車OBC車載充電橋IGBT模組中展現(xiàn)出關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值。OBC的熱管理需求:OBC將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為直流電并為電池充電，其核心
2025-04-30 18:17:42681 NOR Flash等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、可穿戴、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。 ? 東芯聚焦利基型存儲(chǔ)，構(gòu)建了六大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。包括，SPI NAND Flash，可提供單顆粒芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案，在同一
2025-09-04 15:38:035389 
定子與線圈插入環(huán)節(jié)的關(guān)鍵絕緣散熱材料，有效破解了電機(jī)內(nèi)部“絕緣”與“散熱”的雙重難題。氮化硼PI散熱膜的核心特性：絕緣與散熱的雙重賦能氮化硼PI散熱膜是將納米級(jí)氮
2025-12-01 07:22:23432 屏蔽罩或石墨烯散熱方案存在電磁干擾、厚度限制或?qū)岱较騿我?b class="flag-6" style="color: red">等問題。氮化硼散熱膜，憑借其獨(dú)特的材料特性，精準(zhǔn)地解決了這些挑戰(zhàn)問題。氮化硼是優(yōu)秀的絕緣體，將其應(yīng)用于天線
2025-12-25 08:33:12125 
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