寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:34
5697 
鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測(cè)量24、 納米、微米臺(tái)階測(cè)量25、 電阻、方阻、電阻率測(cè)量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47
直在尋求更好的方法去優(yōu)化和改善這一問(wèn)題。政策層面，我國(guó)對(duì)氧化鎵的關(guān)注度也不斷增強(qiáng)。早在2018年，我國(guó)已啟動(dòng)了包括氧化鎵、金剛石、氮化硼等在內(nèi)的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的探索和研究。2022年，科技部將氧化鎵列入
2023-03-15 11:09:59
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
常見(jiàn)的一類缺陷。位錯(cuò)密度用來(lái)衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對(duì)于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒(méi)有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別 ，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至統(tǒng)一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國(guó)還專程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來(lái)了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長(zhǎng)征程中的一個(gè)里程碑。截至今天，MACOM通過(guò)化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗(yàn)證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
之間移動(dòng)的電子稱為帶隙能量。絕緣體、導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能可以從它們帶隙的不同來(lái)理解。圖 1 和圖 2 說(shuō)明了摻雜劑如何影響半導(dǎo)體的電阻率/電導(dǎo)率。在圖 1 中，摻雜劑產(chǎn)生了一個(gè)空穴，因?yàn)樗鄙倥c四價(jià)
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
今年7月，東南大學(xué)有序物質(zhì)科學(xué)研究中心研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一類新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達(dá)到了傳統(tǒng)無(wú)機(jī)壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產(chǎn)品體積進(jìn)一步縮小、彎折衣服就可對(duì)手機(jī)充電等應(yīng)用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優(yōu)勢(shì)？
2020-08-19 07:58:38
成分差異。u 顏色來(lái)源：導(dǎo)熱硅膠片的顏色主要由導(dǎo)熱填料（如氧化鋁、氮化硼）和著色劑決定。例如： 白色：常用氧化鋁（Al?O?）或氮化鋁（AlN）填料。 灰色/黑色：可能含石墨烯、碳化硅等高導(dǎo)熱材料
2025-03-11 13:39:49
”，“5-10年”和“10年以上”分為4個(gè)級(jí)別。并用這5個(gè)階段和4個(gè)級(jí)別完成一個(gè)優(yōu)先權(quán)矩陣，用于評(píng)估投資該市場(chǎng)的風(fēng)險(xiǎn)。2016技術(shù)成熟度曲線（來(lái)源：Gartner 2016年7月）新型半導(dǎo)體材料主要是以砷
2017-02-22 14:59:09
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體生產(chǎn)用高純度原料高純氧化硼（Boron Oxide，B2O3 ）
2022-01-17 14:16:58
研究了不同反應(yīng)溫度對(duì)苯熱合成立方氮化硼的影響，研究結(jié)果表明：以Li3N和BBr3為原料制備立方氮化硼時(shí)，溫度對(duì)產(chǎn)物中立方相含量有很大影響，在200~400℃，產(chǎn)物主要為六方相氮
2009-04-26 22:18:59
23 用RF磁控濺射的方法在Si（100）基底上沉積了納米氮化硼薄膜，然后分別用氫、氧等離子體對(duì)薄膜表面進(jìn)行了處理，用紅外光譜、原子力顯微鏡、光電子能譜以及場(chǎng)發(fā)射試驗(yàn)對(duì)薄膜
2009-04-26 22:23:3728 摘 要：用RF磁控濺射的方法在最佳沉積條件下在Si（100）基底上沉積了納米氮化硼薄膜，然后對(duì)薄膜在真空度低于5×10-4Pa、溫度分別為800℃和1000℃條件下進(jìn)行了表面熱處理，分別
2009-05-16 01:54:1620 新的材料來(lái)進(jìn)一步提升散熱性能。氮化硼納米管（BNNT）作為一種新型的高導(dǎo)熱填料，正在成為優(yōu)化芯片散熱的關(guān)鍵材料。在芯片封裝中，TIM1和TIM2是關(guān)鍵的散熱材料。
2025-04-07 13:56:41
什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗慕麕挾榷荚?個(gè)電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487717 材料由一種名叫C60的微粒制成，C60是半導(dǎo)體，上面涂有其它材料，比如石墨烯和六方氮化硼。為什么這種獨(dú)特的結(jié)合行得通？因?yàn)榱?b class="flag-6" style="color: red">氮化硼讓材料更穩(wěn)定、具備電子兼容性，C60可以將陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能。
2017-06-03 11:08:042399 據(jù)悉，六方氮化硼是一類重要的二維半導(dǎo)體層狀材料，如何在晶圓上實(shí)現(xiàn)單晶六方氮化硼薄膜的可控生長(zhǎng)是六方氮化硼未來(lái)應(yīng)用于集成電路中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
2020-03-17 15:21:383174 7月，三星電子宣布，三星高級(jí)技術(shù)學(xué)院（SAIT）的研究人員與蔚山國(guó)家科學(xué)技術(shù)學(xué)院（UNIST）、劍橋大學(xué)兩家高校合作，發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼（a-BN）的新材料，此項(xiàng)研究可能加速下一代半導(dǎo)體材料的問(wèn)世。
2020-07-09 15:00:041693 在金電極之間夾著一層原子薄的六方氮化硼層，可以作為傳輸5G甚至更高頻率的開(kāi)關(guān)。
2020-07-30 10:30:311027 該混合波導(dǎo)由美國(guó)范德堡大學(xué)制成，由六方氮化硼（hBN）異質(zhì)結(jié)構(gòu)和硅組成。范德堡大學(xué)的工程學(xué)教授Joshua D. Caldwell表示，異質(zhì)結(jié)構(gòu)就是“兩種不同材料堆疊在一起形成的結(jié)構(gòu)”，在他們所研發(fā)的混合波導(dǎo)中，這兩種材料分別是硅和氮化硼；其中氮化硼以一種類似于石墨的六方晶格的最穩(wěn)定形式存在。
2021-04-12 09:04:113291 
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢(shì)是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一
2022-03-23 14:15:082074 
常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:086802 導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜是當(dāng)前5G射頻芯片、毫米波天線、AI、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域最為有效的散熱材料，具有不可替代性。
2022-10-24 08:57:104486 
氮化硼（h-BN）液晶具有巨磁光效應(yīng)，其磁光克頓-穆頓效應(yīng)高出傳統(tǒng)深紫外雙折射介質(zhì)近5個(gè)數(shù)量級(jí)，進(jìn)而研制出穩(wěn)定工作在深紫外日盲區(qū)的透射式液晶光調(diào)制器。
2022-11-16 14:44:491610 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對(duì)硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 有機(jī)半導(dǎo)體材料可廣泛應(yīng)用于OLED、OPVC或OFET中，為開(kāi)發(fā)具有優(yōu)異光電性能的新型有機(jī)半導(dǎo)體材料，需要深入研究有機(jī)半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系。
2023-05-23 14:17:123089 
和散熱器之間的間隙被空氣占據(jù)，而空氣的導(dǎo)熱系數(shù)非常低，導(dǎo)致熱量不能及時(shí)散出。因此需要使用熱界面材料(TIM)填充微間隙，TIMs基于聚合物樹(shù)脂，通過(guò)引入導(dǎo)熱料優(yōu)化導(dǎo)熱系數(shù)。 ? 六方氮化硼(h-BN)它具有層狀結(jié)構(gòu)，在平面方向上具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)(600 W/m K)，而在垂直方向上具有
2023-05-25 09:10:371167 
關(guān)鍵詞：氮化硼，片狀氮化硼，球形氮化硼，TIM熱管理材料氮化硼是由氮原子和硼原子構(gòu)成的晶體，該晶體結(jié)構(gòu)分為：六方氮化硼(HBN)、密排六方氮化硼(WBN)和立方氮化硼，其中六方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)具有
2022-01-21 09:39:005059 
關(guān)鍵詞：高導(dǎo)熱絕緣，TIM材料，氮化硼，高端材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜
2022-05-31 10:42:411899 
關(guān)鍵詞：六方氮化硼，納米材料，5G,低介電，絕緣，透波，高導(dǎo)熱，國(guó)產(chǎn)高端導(dǎo)言：六方氮化硼（ｈ?ＢＮ）納米材料，如氮化硼納米顆粒（ＢＮＮＰｓ）、氮化硼納米管（ＢＮＮＴｓ）、氮化硼納米纖維（ＢＮＮＦｓ
2022-03-28 17:05:0412027 是當(dāng)前5G射頻芯片、毫米波天線、AI、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域最為有效的散熱材料，具有不可替代性。本產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)首創(chuàng)自主研發(fā)的高質(zhì)量二維氮化硼納米片，成功制備了大面積、厚度可控的二
2022-05-25 18:26:151809 的急劇增加。BN氮化硼散熱膜是當(dāng)前5G射頻芯片、毫米波天線、無(wú)線充電、無(wú)線傳輸、IGBT、印刷線路板、AI、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域最為有效的散熱材料，具有不可替代性。本產(chǎn)品是
2022-01-06 15:29:312897 氮化硼散熱膜是當(dāng)前5G射頻芯片、毫米波天線、無(wú)線充電、無(wú)線傳輸、IGBT、印刷線路板、AI、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域最為有效的散熱材料，具有不可替代性。本產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)首創(chuàng)自主研
2021-12-06 09:49:011582 設(shè)備等高性能移動(dòng)產(chǎn)品，由于采用高性能IC和追求減輕重量的高度集成設(shè)計(jì)，導(dǎo)致散熱部件的安裝空間受到限制，因此利用高導(dǎo)熱墊片和導(dǎo)熱凝膠等TIM材料來(lái)更好地散熱。氮化硼導(dǎo)
2022-03-30 13:48:329226 關(guān)鍵詞：高導(dǎo)熱絕緣，TIM材料，氮化硼，高端材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜
2022-07-29 09:59:362120 之一,而類似石墨烯結(jié)構(gòu)的六方氮化硼納米片(BNNS)具有比h-BN更加優(yōu)異的性能。本文綜述了BNNS的制備方法、表面修飾以及其聚合物基導(dǎo)熱復(fù)合材料類型,并展望了基于
2022-10-10 09:54:192399 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，低介電材料，氮化硼高端材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-10 10:04:112786 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-11 10:04:574010 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-13 10:07:244208 關(guān)鍵詞：IGBT,大功率器件，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，氮化硼材料導(dǎo)語(yǔ)：新通訊技術(shù)邁向全面普及，消費(fèi)電子產(chǎn)品向高功率、高集成、輕薄化和智能化方向加速發(fā)展。由于集成度、功率密度和組裝密度等指標(biāo)持續(xù)上升
2022-10-14 09:54:263860 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-20 11:13:343058 關(guān)鍵詞：高導(dǎo)熱絕緣氮化硼，5G新材料，元宇宙，VR/AR/MR,導(dǎo)語(yǔ)：IT之家2022年6月5日消息，據(jù)《紐約時(shí)報(bào)》援引知情人士的話報(bào)道，由于與處理器計(jì)算能力相關(guān)的散熱問(wèn)題，蘋果被迫將其傳聞已久
2022-10-27 11:48:301614 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-27 11:50:543097 關(guān)鍵詞：5G材料，絕緣散熱膜，毫米波，低介電透波材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜
2022-10-31 16:08:401691 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語(yǔ)：5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時(shí)，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-11-04 09:51:403381 摘要：為了系統(tǒng)地了解氮化硼在填充聚合物導(dǎo)熱復(fù)合材料中的應(yīng)用研究現(xiàn)狀，介紹了聚合物／氮化硼復(fù)合材料的導(dǎo)熱機(jī)理，綜述了氮化硼的粒徑、含量、表面改性以及與其他填料雜化復(fù)合等因素對(duì)聚合物復(fù)合材料導(dǎo)熱性
2022-11-17 17:40:567645 摘要：聚偏氟乙烯（PVDF）等聚合物因具有較低的熱導(dǎo)率限制了其使用范圍，添加高導(dǎo)熱填料可以提升聚合物材料的導(dǎo)熱性能，所制備的聚合物基導(dǎo)熱復(fù)合材料在熱管理領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文采用六方氮化硼納米
2022-11-22 15:30:483693 關(guān)鍵詞：高導(dǎo)熱絕緣，TIM材料，氮化硼，高端材料導(dǎo)語(yǔ)：新通訊技術(shù)邁向全面普及，消費(fèi)電子產(chǎn)品向高功率、高集成、輕薄化和智能化方向加速發(fā)展。由于集成度、功率密度和組裝密度等指標(biāo)持續(xù)上升，5G時(shí)代
2022-12-19 10:45:301815 原料之一,而類似石墨烯結(jié)構(gòu)的六方氮化硼納米片(BNNS)具有比h-BN更加優(yōu)異的性能。本文綜述了BNNS的制備方法、表面修飾以及其聚合物基導(dǎo)熱復(fù)合材料類型,并展望了
2023-02-22 10:11:336213 原料之一,而類似石墨烯結(jié)構(gòu)的六方氮化硼納米片(BNNS)具有比h-BN更加優(yōu)異的性能。本文綜述了BNNS的制備方法、表面修飾以及其聚合物基導(dǎo)熱復(fù)合材料類型,并展望了
2023-06-30 10:03:005882 7月4日，vivoiQOO11S正式發(fā)布！200W快充再創(chuàng)速度紀(jì)錄，航天級(jí)氮化硼散熱材料功不可沒(méi)！在科技飛速更新的移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，vivoiQOO11S以200W的快充實(shí)非業(yè)內(nèi)首屈一指的。這款新型手機(jī)
2023-07-06 10:03:334256 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過(guò)摻雜來(lái)調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:438300 200W快充再創(chuàng)速度紀(jì)錄，航天級(jí)氮化硼散熱材料功不可沒(méi)！在科技飛速更新的移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，vivoiQOO11S以200W的快充實(shí)非業(yè)內(nèi)首屈一指的。這款手機(jī)的劃時(shí)代技術(shù)不僅在充電效率上達(dá)到了新高度，成功
2023-08-18 08:12:506518 六方氮化硼和石墨烯都是僅一個(gè)原子厚度的層狀二維材料，不同之處在于石墨烯結(jié)合純屬碳原子之間的共價(jià)鍵，而六方氮化硼晶體中的結(jié)合則是硼、氮異類原子間的共價(jià)結(jié)合。如上圖所示，左圖為石墨烯，右圖為六方氮化硼。
2023-09-12 09:32:115089 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:123281 
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:101213 
氮化硼熱管理材料項(xiàng)目】和其他19個(gè)優(yōu)質(zhì)高科技創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目一同脫穎而出，最終戰(zhàn)入決賽。?比賽現(xiàn)場(chǎng)，7位來(lái)自各領(lǐng)域的資深投資人、行業(yè)專家等專業(yè)評(píng)委當(dāng)場(chǎng)打分。【二維氮化硼熱管
2023-11-18 08:10:03851 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:206429 )]遠(yuǎn)高于面外[30W/(m·K)]，因此，在制備氮化硼高分子導(dǎo)熱復(fù)合材料時(shí)，需要對(duì)氮化硼填料進(jìn)行校準(zhǔn)，最大限度地減小傳熱方向上的熱阻，從而獲得更高的導(dǎo)熱系數(shù)。3D打印技術(shù)可以有效實(shí)現(xiàn)氮化硼填料的有序?qū)R
2023-12-19 16:45:241365 鎵（GaN）半導(dǎo)體： 氮化鎵是一種二元復(fù)合半導(dǎo)體（由氮和鎵元素構(gòu)成），具有較大的禁帶寬度（3.4電子伏特）。它是一個(gè)具有六方晶系結(jié)構(gòu)的材料，并且具有較高的熱穩(wěn)定性和寬溫度范圍的應(yīng)用特性。 碳化硅（SiC）半導(dǎo)體： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:184062 不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過(guò)化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:242956 氮化鋁（AlN）以其超寬禁帶寬度（~6.2 eV）和直接帶隙結(jié)構(gòu)，與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導(dǎo)體材料被并稱為超寬禁帶半導(dǎo)體，與氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料相比具有更優(yōu)異的耐高壓高溫、抗輻照性能。
2024-01-08 09:38:381815 
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 下，VC等相變傳熱技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用切實(shí)決定著通信產(chǎn)品散熱可靠性與性能升級(jí)空間，具有至關(guān)重要的意義。關(guān)鍵字：二維氮化硼材料，5G,絕緣導(dǎo)熱均熱膜，VC均熱板1散熱器
2024-04-02 08:09:082116 據(jù)悉，光學(xué)晶體被譽(yù)為激光技術(shù)的核心部件，廣泛運(yùn)用于微納加工、量子光源及生物檢測(cè)等領(lǐng)域。北京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)不斷嘗試，最終確定氮化硼作為最適合研發(fā)新型激光器的材料。
2024-04-26 10:41:401380 來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院物理研究所 常見(jiàn)的六方相氮化硼（hBN）因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無(wú)懸掛鍵原子級(jí)平整等特點(diǎn)，被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN較多優(yōu)異性質(zhì)，并
2024-05-07 17:55:351332 
和六方氮化硼納米片（BNNS）因其超高的平面熱導(dǎo)率而備受關(guān)注，已被廣泛用于散熱膜進(jìn)行高效均熱。然而，當(dāng)這些二維材料用作熱界面材料（TIM），高接觸熱阻嚴(yán)重限制其應(yīng)
2024-05-15 08:10:001629 “卡脖子”問(wèn)題，大幅擴(kuò)展了國(guó)產(chǎn)氮化硼原料的應(yīng)用前景，從二維材料角度突破國(guó)際專利壁壘，助力我國(guó)半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。依托清華大學(xué)蓋姆石墨烯中心、中科院深圳
2024-06-05 08:10:142854 “卡脖子”問(wèn)題，大幅擴(kuò)展了國(guó)產(chǎn)氮化硼原料的應(yīng)用前景，從二維材料角度突破國(guó)際專利壁壘，助力我國(guó)半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。依托清華大學(xué)蓋姆石墨烯中心、中科院深圳
2024-06-06 08:10:101447 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
2024-09-16 08:02:252050 石墨片氮化硼散熱膜復(fù)合材料是一種結(jié)合了石墨片和氮化硼散熱膜各自優(yōu)異性能的新型復(fù)合材料。一、石墨片的基本特性石墨片是一種由天然石墨或人造石墨經(jīng)過(guò)精細(xì)加工而成的薄片材料，具有以下特性：高熱導(dǎo)率：石墨片在
2024-10-05 08:01:211256 基于二維氮化硼納米片的復(fù)合薄膜，此散熱膜具有透電磁波、高導(dǎo)熱、高柔性、高絕緣、低介電系數(shù)、低介電損耗等優(yōu)異特性，是5G射頻芯片、毫米波天線領(lǐng)域最為有效的散熱材料之一。高導(dǎo)熱透波絕緣氮化硼膜材主要
2024-10-31 08:04:002053 一、六方氮化硼（h-BN）六方氮化硼(h-BN)是由氮原子和硼原子構(gòu)成的共價(jià)鍵型晶體，具有類似石墨的層狀結(jié)構(gòu)，呈現(xiàn)松散、潤(rùn)滑、易吸潮、質(zhì)輕等性狀的白色粉末，所以又稱“白色石墨”。它的理論密度
2024-11-15 01:02:342715 引言 ? 有機(jī)高分子半導(dǎo)體材料，作為一類具有半導(dǎo)體特性的有機(jī)高分子化合物，近年來(lái)在電子器件、光電器件、傳感器以及能量轉(zhuǎn)換與存儲(chǔ)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。這些材料不僅具有質(zhì)量輕、柔韌性好、可溶
2024-11-27 09:12:092512 
W/mK）難以滿足現(xiàn)代散熱需求。研究表明，添加高熱導(dǎo)率填料（如石墨烯、碳納米管和氮化硼等）可以顯著提高聚合物復(fù)合材料的熱導(dǎo)率，但需要大量填料來(lái)建立導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)，這通常會(huì)導(dǎo)致介電常數(shù)和介電損耗的增加。因此，迫切需要新的解決方
2024-12-07 10:25:331306 
作為散熱材料雖然有一定效果，但其性能已逐漸無(wú)法滿足更高功率和更高效能的需求。在此背景下，氮化硼（BN）散熱膜作為一種新型散熱材料，因其獨(dú)特的物理特性，逐漸成為替代
2025-02-12 06:20:13931 作為散熱材料雖然有一定效果，但其性能已逐漸無(wú)法滿足更高功率和更高效能的需求。在此背景下，氮化硼（BN）散熱膜作為一種新型散熱材料，因其獨(dú)特的物理特性，逐漸成為替代
2025-02-13 08:20:461036 作為散熱材料雖然有一定效果，但其性能已逐漸無(wú)法滿足更高功率和更高效能的需求。在此背景下，氮化硼（BN）散熱膜作為一種新型散熱材料，因其獨(dú)特的物理特性，逐漸成為替代
2025-02-21 06:20:58773 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491184 處理器散熱系統(tǒng)中，熱界面材料（TIM）至關(guān)重要，用于高效傳遞芯片與散熱器之間的熱量。傳統(tǒng)TIM材料如熱環(huán)氧和硅樹(shù)脂雖成本低，導(dǎo)熱性能有限。大連義邦的氮化硼納米管（BNNT）作為新型高導(dǎo)熱材料，具有出色的導(dǎo)熱性能、輕量化和電絕緣性，可將TIM的導(dǎo)熱效率提高10-20%，成本僅增加1-2%。
2025-04-03 13:55:04856 
引言：氮化硼，散熱界的“六邊形戰(zhàn)士”氮化硼材料的高導(dǎo)熱+強(qiáng)絕緣，完美適配5G射頻芯片、新能源電池、半導(dǎo)體封裝等高功率場(chǎng)景，是高性能絕緣導(dǎo)熱材料的首選，為高功率電子設(shè)備熱管理提供新的解決方案。六方
2025-04-05 08:20:141220 晟鵬公司研發(fā)的氮化硼導(dǎo)熱絕緣片憑借其高導(dǎo)熱性、耐高壓及輕量化等特性，在電動(dòng)汽車OBC車載充電橋IGBT模組中展現(xiàn)出關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值。OBC的熱管理需求:OBC將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為直流電并為電池充電，其核心
2025-04-30 18:17:42681 光子源的理想基質(zhì)。 想要在六方氮化硼中實(shí)現(xiàn)單光子源的高精度制備、穩(wěn)定篩選與性能調(diào)控，始終繞不開(kāi)微觀尺度精準(zhǔn)操控這一核心需求。芯明天壓電納米定位臺(tái)正是這一研究過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，為實(shí)驗(yàn)提供了穩(wěn)定、高精度的定位與掃
2025-10-23 10:21:58190 
定子與線圈插入環(huán)節(jié)的關(guān)鍵絕緣散熱材料，有效破解了電機(jī)內(nèi)部“絕緣”與“散熱”的雙重難題。氮化硼PI散熱膜的核心特性：絕緣與散熱的雙重賦能氮化硼PI散熱膜是將納米級(jí)氮
2025-12-01 07:22:23432 屏蔽罩或石墨烯散熱方案存在電磁干擾、厚度限制或?qū)岱较騿?b class="flag-6" style="color: red">一等問(wèn)題。氮化硼散熱膜，憑借其獨(dú)特的材料特性，精準(zhǔn)地解決了這些挑戰(zhàn)問(wèn)題。氮化硼是優(yōu)秀的絕緣體，將其應(yīng)用于天線
2025-12-25 08:33:12125
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