是GaN 功率管； 2. 從氮化鎵GaN產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上對(duì)比 如下圖所示，納微GaN產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，包含HV GaNFET，和Integrated Circuit；電容電阻和LV GaNFET組成
2020-05-12 01:31:00
27189 
第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場(chǎng)強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-06 15:26:411139 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30794 
本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:015665 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054789 
目錄 什么是光隔離探頭？ 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應(yīng)用場(chǎng)景 寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)前景 光隔離探頭的典型測(cè)試案例——上管測(cè)試（high-side
2025-03-19 09:09:161616 
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
范圍；4.Vgs信號(hào)上升時(shí)間240ns左右。（以上數(shù)據(jù)通過(guò)截屏讀數(shù)）▲圖4：測(cè)試結(jié)果截屏結(jié)論1.客戶目標(biāo)板設(shè)計(jì)合理，Vgs控制信號(hào)近乎完美；2.測(cè)試顯示Vgs信號(hào)無(wú)任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測(cè)試氮化鎵半橋上管Vgs，沒(méi)有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對(duì)測(cè)試過(guò)程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景：3C消費(fèi)類產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測(cè)試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來(lái)（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍(lán)
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開(kāi)始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢(shì)，針對(duì) 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過(guò) 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開(kāi)發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開(kāi)關(guān)設(shè)備。因此，開(kāi)始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
。在此基礎(chǔ)上，增加單管激光器的發(fā)光區(qū)寬度和長(zhǎng)度，單管激光器的光功率可以進(jìn)一步提升，并結(jié)合正在發(fā)展的GaN激光器的光束整形和合束技術(shù)，將實(shí)現(xiàn)更高功率的激光器模組。氮化鎵激光器的應(yīng)用也將更加廣泛。 垂直腔GaN
2020-11-27 16:32:53
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開(kāi)始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無(wú)疑問(wèn)，它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC的精彩報(bào)告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
（GaN）那么，問(wèn)題來(lái)了，怎么解決高昂的價(jià)格？首先，先了解下什么是硅基氮化鎵，與硅器件相比，由于氮化鎵的晶體具備更強(qiáng)的化學(xué)鍵，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場(chǎng)而不會(huì)崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
、測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào): TGF2977-SM產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
）。因此，硅注入毫無(wú)疑問(wèn)對(duì)ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利?！ 」ぷ骶w管 為了測(cè)試這種方法，我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術(shù)應(yīng)用到了真正的氮化鎵晶體管上，其設(shè)計(jì)如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
電源和信號(hào)，一直是業(yè)界無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣杵骷拈_(kāi)關(guān)速度太慢，而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器，導(dǎo)致了硅器件無(wú)法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
產(chǎn)的Guidance Enhanced Missile-TBM（GEM-T）攔截器中使用氮化鎵（GaN）計(jì)算機(jī)芯片，以取代目前在導(dǎo)彈發(fā)射器中使用的行波管（TWT）。雷神希望通過(guò)使用GaN芯片升級(jí)
2019-07-08 04:20:32
鎵技術(shù)作為III-V族化合物半導(dǎo)體，氮化鎵(GaN) 具有禁帶寬度大、電子遷移率高、介電系數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)，用其制作成的氮化鎵晶體管(GaN FET)具有導(dǎo)通電阻小、結(jié)電容小和頻率高的優(yōu)點(diǎn)，因此
2019-03-14 06:45:08
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無(wú)需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過(guò)合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
材料特性對(duì)比展開(kāi)，通過(guò)泰克儀器測(cè)試英飛凌GaN器件來(lái)進(jìn)行氮化鎵特性的測(cè)量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設(shè)計(jì)和PCB
2020-11-18 06:30:50
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過(guò)共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
高壓差分探頭輸入端時(shí)就會(huì)導(dǎo)致震蕩，有時(shí)候這個(gè)震蕩超過(guò)了一定極限，就會(huì)引起氮化鎵器件瞬間燒毀炸管。而光隔離探頭采用MCX或MMCX連接，引線極短，幾乎沒(méi)有天線效應(yīng)，寄生電容在幾pF以內(nèi)，斷絕了測(cè)試導(dǎo)致的寄生
2024-06-12 17:00:55
設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換器研發(fā)、電子鎮(zhèn)流器測(cè)試，以及氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設(shè)備的設(shè)計(jì)與分析等專業(yè)領(lǐng)域，均發(fā)揮著不可或缺的作用。
四、服務(wù)與支持
麥科信為MOIP系列光隔離探頭提供完善的售后保障體系。探頭主體提供1年保修服務(wù)，并支持延保；光纖與衰減器（贈(zèng)品）也提供3個(gè)月質(zhì)保，非人為損壞可免費(fèi)維修
2025-06-27 18:39:18
PCB布局設(shè)計(jì)的最佳工程實(shí)踐。介紹了以下四種電路配置的布局指南： 用于單GaN E-HEMT的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電路 用于并聯(lián)氮化鎵E-HEMT的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電路 半橋自舉柵極驅(qū)動(dòng)器電路
2023-02-21 16:30:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
測(cè)試中，光隔離探頭測(cè)量的是上管Vgs。這個(gè)模塊是電機(jī)控制器的核心部分，其開(kāi)關(guān)速度非常快，通常在納秒級(jí)別。在測(cè)試過(guò)程中，由于高速開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果造成影響。光隔離探頭的高共模抑制比
2025-01-09 16:58:30
，一開(kāi)始抱著試試看的想法，實(shí)測(cè)后效果非常不錯(cuò)，測(cè)試點(diǎn)位的波形跟我們的理論很相似，解決了我們研發(fā)中的大問(wèn)題?！ 】偨Y(jié) 麥科信(Micsig)基于獨(dú)家SigOFIT?技術(shù)的光隔離探頭MOIP1000P
2024-10-31 17:04:15
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
采用ADMU4121來(lái)驅(qū)動(dòng)氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動(dòng)方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因?yàn)轵?qū)動(dòng)芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
的電壓信號(hào)出現(xiàn)明顯振蕩或過(guò)沖。同時(shí)，探頭的寄生電容可能引入位移電流，使被測(cè)電流信號(hào)疊加額外的寄生電流，影響測(cè)量準(zhǔn)確性。
采用麥科信光隔離探頭MOIP200P的SiC MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試平臺(tái)
測(cè)試效果
2025-04-08 16:00:57
當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您的測(cè)量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量的最佳實(shí)踐方法。
2017-04-18 12:34:043878 
力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測(cè)試軟件，與高精度示波器 （HDO） 結(jié)合使用時(shí)，可提供最準(zhǔn)確的氮化鎵 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 功率半導(dǎo)體器件的電氣特性表征。
2022-04-13 15:04:024471 （GaN）。在這些潛在材料中，氮化鎵或氮化鎵正得到廣泛認(rèn)可和青睞。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN晶體管與材料晶體管相比具有幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。
2022-12-13 10:00:083919 氮化鎵工藝優(yōu)點(diǎn)是什么呢？ AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）是開(kāi)關(guān)功率晶體管的有希望的候選者，因?yàn)樗鼈兙哂懈叩臄鄳B(tài)擊穿強(qiáng)度以及導(dǎo)通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導(dǎo)電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料AlGaN的組合。最重要的
2023-02-05 11:43:472725 氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預(yù)計(jì)的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們?cè)谳^低速度、650V，非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)治地位。
2023-02-12 17:09:491031 氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412177 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-04-03 11:12:171326 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)[氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-05-17 10:19:131734 
第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場(chǎng)強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-03-13 17:42:581340 
測(cè)試背景地點(diǎn)：國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭：麥科信OIP
2023-03-13 17:43:362079 
光隔離探頭主要用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等由功率半導(dǎo)體組成的高壓高頻電路的測(cè)試，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半/全橋電路的測(cè)試。
2023-06-27 17:32:331910 
論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎？ 當(dāng)涉及到驅(qū)動(dòng)氮化鎵（GaN）MOS管時(shí)，需要考慮多個(gè)因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常情況下，GaN MOS管需要專門(mén)的驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)
2023-11-22 16:27:583222 什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:117181 來(lái)了解一下氮化鎵開(kāi)關(guān)管的基本結(jié)構(gòu)。它由氮化鎵（GaN）和鋁鎵氮化物（AlGaN）等半導(dǎo)體材料組成，這些材料具有優(yōu)異的電特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高電壓、高頻率和高功率的開(kāi)關(guān)操作。而四個(gè)電極則起到了不同的作用。 首先是柵極（G）：柵極是氮化鎵開(kāi)關(guān)管的控制電極，通過(guò)
2023-12-27 14:39:182373 氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動(dòng)芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅(qū)動(dòng)芯片廣泛應(yīng)用于功率電子
2023-12-27 14:43:233430 氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性，下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)點(diǎn)： 高電子流動(dòng)性：氮化鎵具有很高的電子流
2024-01-09 17:26:4911219 晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)，合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:025949 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:154274 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336030 本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
光隔離探頭和高壓差分探頭在測(cè)試中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn)，光隔離探頭具有高共模抑制比和最真實(shí)地呈現(xiàn)信號(hào)的全部特征，適合測(cè)試第三代半導(dǎo)體器件。相比之下，高壓差分探頭可能產(chǎn)生信號(hào)失真，且僅適用于高壓信號(hào)的測(cè)量。
2024-07-30 16:04:131807 
的新技術(shù)和解決方案，同時(shí)在電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)上，憑借硬核研發(fā)實(shí)力與超高品質(zhì)的產(chǎn)品， 榮獲光隔離探頭卓越獎(jiǎng) 。 現(xiàn)場(chǎng)直擊 論壇當(dāng)天，麥科信(Micsig)展臺(tái)熱鬧非凡，大家圍繞電源技術(shù)實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)各抒己見(jiàn)，更有專業(yè)大咖"有備而來(lái)"，帶著測(cè)試板現(xiàn)場(chǎng)使用光
2024-12-13 09:43:361861 
共模電壓下獨(dú)立浮動(dòng)。 還原真實(shí)信號(hào) 差分探頭由于引線較長(zhǎng)，接在電路上測(cè)量高頻信號(hào)容易引起問(wèn)題，如耦合周邊的高 dv/dt信號(hào)使測(cè)試波形不準(zhǔn)確；探棒寄生電容的存在，可能引起被測(cè)電路的振蕩甚至?xí)?b class="flag-6" style="color: red">管。光隔離探頭采用衰減
2025-01-11 15:19:14975 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料不僅在耐高溫和耐高壓方面表現(xiàn)出色，還具備低損耗、快速開(kāi)關(guān)頻率等特性。然而，要充分發(fā)揮這些先進(jìn)材料的潛力，精確的測(cè)試和測(cè)量技術(shù)
2025-11-14 16:46:063489 
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