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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中

英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中

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2020-09-24 16:22:14

D10LC40是快速恢復(fù)二極管嗎?怎樣測(cè)好壞?

`二極管檔,在路測(cè)1、3腳是通的。黑表筆接中間,紅表筆分別接兩邊,顯示500多的值。三個(gè)腳的二極管實(shí)質(zhì)就是兩個(gè)二極管組合吧。有共陰極的,有共陽(yáng)極的。D10LC40從圖上看是共陰極的吧。但是1、3腳為什么是連通的?難道是兩個(gè)二極管的并聯(lián)?`
2013-11-11 09:10:18

英飛凌40V和60V MOSFET

,新一代MOSFET的通態(tài)電壓大幅降低(例如,在10A二極管電流下,通態(tài)電壓為0.45V,而不是0.65V。);另一方面,由于沒(méi)有需要充電的體二極管,反向恢復(fù)電荷(Qrr)可以忽略不計(jì)。新型號(hào)可通過(guò)
2018-12-06 09:46:29

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內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT的車(chē)載充電器案例 開(kāi)關(guān)損耗降低67%

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2021-07-30 14:36:39

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摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹(shù)立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過(guò)程的體二極管
2018-12-03 13:43:55

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2023-02-21 10:12:244172

D2PAK的N溝道 40 V 7.6mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R0-40BS

D2PAK 的 N 溝道 40 V 7.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:590

D2PAK的N溝道 40 V 2.9mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R8-40BS

D2PAK 的 N 溝道 40 V 2.9 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:290

D2PAK的N溝道 40 V 4.5mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R5-40BS

D2PAK 的 N 溝道 40 V 4.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:460

D2PAK的N溝道 40 V 2.2mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40BS

D2PAK 的 N 溝道 40 V 2.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:590

D2PAK的N溝道 40 V 1.3mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R1-40BS

D2PAK 的 N 溝道 40 V 1.3 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:000

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。 日前發(fā)布的新一代 SiC 二極管包括 4A40A 器件,采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封
2023-05-26 03:05:021596

SMAJ3.3(C)A 瞬態(tài)二極管 SMA封裝 3.3V

低電壓TVS瞬變抑制二極管在實(shí)際應(yīng)用,很常用,比如3.3V、5V、6V、6.5V、7V、7.5V、8V、8.5V、9V等等。關(guān)于3.3V的TVS二極管,之前TVS廠家東沃電子(DOWOSEMI)向
2022-09-29 17:40:505642

為快充而生的650V/4A &amp; 650V/6A SiC二極管

圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A
2023-07-12 17:06:272049

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙型晶體SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473

伯恩半導(dǎo)體 肖特基二極管 SS34數(shù)據(jù)手冊(cè)

肖特基二極管SMA(DO-214AC)40V3A0.2mA封裝:SMA
2022-08-19 15:44:573

伯恩半導(dǎo)體 肖特基二極管 SS14數(shù)據(jù)手冊(cè)

肖特基二極管SMA(DO-214AC)40V1A0.5mA封裝:SMA
2022-08-19 15:44:594

伯恩半導(dǎo)體 肖特基二極管 SS54數(shù)據(jù)手冊(cè)

肖特基二極管SMB(DO-214AA)40V5A0.5mA封裝:SMB
2022-08-19 15:45:061

伯恩半導(dǎo)體 肖特基二極管 DSS24數(shù)據(jù)手冊(cè)

肖特基二極管SOD-123FL40V2A0.5mA封裝:SOD123FL
2022-08-19 15:45:270

伯恩半導(dǎo)體 肖特基二極管 SS54SMA數(shù)據(jù)手冊(cè)

肖特基二極管SMA40V5A1mA封裝:SMA
2022-08-19 15:45:434

PSC1065H:DPAK R2P650 V、10 A SiC肖特基二極管產(chǎn)品介紹

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2023-12-19 16:06:240

英飛凌發(fā)布650V軟特性發(fā)射控制高速二極管EC7

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝,具有2個(gè)引腳,不僅增加了安規(guī)距離,提高了可靠性,而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:021808

介紹一款用于光伏儲(chǔ)能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT;
2024-03-15 14:26:0746430

650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:08:180

650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:09:161

650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:10:360

Nexperia推出兩款650V超快速恢復(fù)整流二極管

2024年7月10日,半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)Nexperia隆重推出了兩款專(zhuān)為高壓環(huán)境設(shè)計(jì)的650V超快速恢復(fù)整流二極管,這些產(chǎn)品采用了獨(dú)特的D2 PAK真雙引腳(R2P)封裝技術(shù),旨在廣泛應(yīng)用于工業(yè)及消費(fèi)領(lǐng)域,如充電適配器、光伏(PV)系統(tǒng)、逆變器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器以及開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:0111753

Nexperia推出650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出了采用D2PAK真雙引腳 (R2P) 封裝650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管,可用于各種工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用,包括充電適配器、光伏 (PV)、逆變器、服務(wù)器和開(kāi)關(guān)模式
2024-07-11 16:10:111291

MBR4040CT肖特基二極管40A電流40V規(guī)格介紹

MBR4040CT肖特基二極管40A電流40V規(guī)格介紹
2024-11-13 16:26:401412

新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊

新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開(kāi)關(guān)IGBT模塊經(jīng)過(guò)了重大改進(jìn),以滿(mǎn)足牽引和工業(yè)應(yīng)用(如壓傳動(dòng)或HVDC)當(dāng)前和未來(lái)的要求。這是首次擴(kuò)展二極管產(chǎn)品組合
2024-12-12 17:03:21895

NGW40T65M3DFP 40A溝槽場(chǎng)停止IGBT與全額定硅二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-18 16:58:120

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)
2025-02-25 15:44:15792

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-25 17:44:07773

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P6D06004T2650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS
2025-02-25 18:13:42813

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13727

SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854

Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應(yīng)用效率

40 A至240 A二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35763

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2,具備超快速
2025-02-27 17:11:28678

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44805

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08851

SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15813

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性,正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04900

森國(guó)科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)

第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)森國(guó)科推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對(duì)不同場(chǎng)景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種封裝形態(tài),靈活覆蓋車(chē)規(guī)、工業(yè)電源、消費(fèi)電子三大領(lǐng)域。通過(guò)
2025-08-16 15:55:442377

探索LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基二極管:性能與應(yīng)用的深度解析

LSIC2SD065D40CC是一款耐壓650V,每路20A的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管。它采用TO - 263 - 2L封裝,這種封裝形式在實(shí)際應(yīng)用較為常見(jiàn),方便
2025-12-15 16:10:20275

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