英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
2572 
快恢復(fù)二極管HFD2020ED(可完全替換D94-02/FML4204S),電壓400V,電流20A,快恢復(fù)時(shí)間短(25ns),開(kāi)關(guān)速度快,高浪涌特性,低開(kāi)關(guān)損耗和電磁干擾,可靠性高??蓱?yīng)用
2020-09-24 16:21:10
STTH30R04快恢復(fù)二極管,電壓400V,電流30A,TO-220封裝,反向恢復(fù)時(shí)間快,降低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,快速開(kāi)關(guān),低反向漏電流,結(jié)溫高。主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等
2020-09-24 16:18:20
功率密度。得益于此,英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的D2PAK封裝產(chǎn)品,這個(gè)新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場(chǎng)上的所有其他產(chǎn)品,其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率?! £P(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
`二極管檔,在路測(cè)1、3腳是通的。黑表筆接中間,紅表筆分別接兩邊,顯示500多的值。三個(gè)腳的二極管實(shí)質(zhì)就是兩個(gè)二極管的組合吧。有共陰極的,有共陽(yáng)極的。D10LC40從圖上看是共陰極的吧。但是1、3腳為什么是連通的?難道是兩個(gè)二極管的并聯(lián)?`
2013-11-11 09:10:18
,新一代MOSFET的通態(tài)電壓大幅降低(例如,在10A二極管電流下,通態(tài)電壓為0.45V,而不是0.65V。);另一方面,由于沒(méi)有需要充電的體二極管,反向恢復(fù)電荷(Qrr)可以忽略不計(jì)。新型號(hào)可通過(guò)
2018-12-06 09:46:29
`編輯-Z不同類(lèi)型的二極管有不同的特性參數(shù)。選用DH40-18A二極管必須了解以下幾個(gè)主要參數(shù): DH40-18A參數(shù)描述型號(hào):DH40-18A封裝:TO-247特性:大功率快恢復(fù)二極管電性參數(shù)
2021-07-24 13:48:34
產(chǎn)品架構(gòu)與核心特性
1. 高壓耐受與負(fù)壓免疫
650V開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)耐壓 +50V/ns dv/dt抗擾 :應(yīng)對(duì)電機(jī)反電動(dòng)勢(shì)和MOSFET開(kāi)關(guān)尖峰
-7V VS負(fù)壓承受 :消除體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致的負(fù)壓擊穿
2025-06-25 08:34:07
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A~40A的產(chǎn)品,具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外,ROHM正在開(kāi)發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
所無(wú)法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式
2010-08-17 09:31:20
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR(30A)、RGW80TS65CHR(40A)、RGW00TS65CHR(50A)。<內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
如題。整流二極管的IF=3A,VB>40V,Ir
2021-04-02 13:57:56
穩(wěn)壓二極管1)DO-41封裝:1N4728A-Z1330A、1N5919B-1N5956B;2)SMA/DO-214AC封裝:SMA4728A-SZ1330A、SMA5919B-SMA5956B;3
2021-09-27 17:25:16
92-02參數(shù)描述型號(hào):D92-02封裝:TO-247/3P特性:超快恢復(fù)二極管電性參數(shù):20A,200V芯片材質(zhì):抗沖擊硅芯片正向電流(Io):20A芯片個(gè)數(shù):2正向電壓(VF):0.85V芯片尺寸:110
2021-09-09 16:34:24
泄露電流 高浪涌特性 外延芯片結(jié)構(gòu) 工作結(jié)溫度175℃ 功耗低,射頻干擾和電磁干擾少 600V30A二極管主要參數(shù) 600V30A二極管特性曲線(xiàn) 600V30A二極管封裝結(jié)構(gòu)
2020-09-24 16:10:01
整流二極管M7與A7,都是整流二極管,在電子電路中的應(yīng)用有哪些區(qū)別呢?M7和A7最大的區(qū)別在于封裝形式,二極管M7封裝是SMA/DO-214AC,二極管A7封裝是SOD-123FL,M7的體積要比
2022-04-29 11:49:16
肖特基二極管DSS32 DSS34 DSS36 D36 DSS38DSS310 DFLS230-7肖特基 二極管, Io=1A, Vrev=30V, 2引腳 PowerDI 123封裝
2020-11-02 10:14:46
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)(通用應(yīng)用的典型范圍),其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
請(qǐng)教高手如下電路中二類(lèi)二極管組合的作用:1. D1~D5這5個(gè)二極管的組合,并在二個(gè)電路之間,從這些二極管方向看,在任何時(shí)候都不會(huì)導(dǎo)通,不知起到什么作用?2.圖片中部的Q6 BAV199的二個(gè)串聯(lián)
2020-04-08 22:01:04
型號(hào):DH40-18A封裝:TO-247特性:大功率快恢復(fù)二極管電性參數(shù):40A1800V正向電流(Io):40A正向電壓(VF):1.38V浪涌電流Ifsm:400A漏電流(Ir):100uA反向恢復(fù)時(shí)間(Trr
2021-07-30 14:36:39
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹(shù)立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過(guò)程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
LT3970 具2.5μA 靜態(tài)電流和集成二極管的40V、350mA 降壓型穩(wěn)壓器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 350mA、40V 降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)
2009-09-20 07:27:52
1003 
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列,以滿(mǎn)足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:37
1526 (1)可用特性相同,參數(shù)指標(biāo)不低于原件的二極管代用。比如可用Ru2(650V、1A、1.5v)代用$5295J(650V、1A、1.5V)、RG2(400V、1.5A、1.5v)代用S5295G(400V、1A、1.5V)。
2011-01-28 17:43:27
31867 
英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:17
2280 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。
2014-06-09 10:33:26
975 
?正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 3A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 ?正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:19
0 帶反并聯(lián)二極管IGBT中的二極管設(shè)計(jì)
2017-01-24 16:35:05
42 1N5819是肖特基二極管,反向耐壓40V,額定正向電流1A,可以用指標(biāo)高于它的肖特基二極管如1N5822(40V/3A)、MBR150(50V/1A)、MBR160(60V/1A)等來(lái)代替。
2017-11-07 16:51:58
42606 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果,讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì),性能一代更比一代強(qiáng)。因此,G6是英飛凌最具有性?xún)r(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代,在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:52
4926 
以肖特基二極管SS14型為例,它的電流是1A電壓是40V的肖特基二極管,此電路輸入電壓應(yīng)該小于40V,可能為12V輸入。肖特基二極管又稱(chēng)為快恢復(fù)二極管,特點(diǎn)是是工作速度快,電流大,但反向耐壓小。
2020-04-04 17:54:00
4375 
相應(yīng)的二極管,選用ROHM生產(chǎn)的快速恢復(fù)二極管RFN10T2D(共陰極雙芯型、200V/10A、TO-220FN封裝)。
2020-04-05 10:59:00
2547 
前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:20
3459 
LT3970:40V、350 MA降壓穩(wěn)壓器,2.5μA靜態(tài)電流和集成二極管數(shù)據(jù)表
2021-04-22 20:44:04
5 Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證 與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤(rùn)濕
2021-10-19 16:57:52
2958 
穩(wěn)壓二極管(Zener Diod 齊納二極管) A原理:它工作在電壓反向擊穿狀態(tài),當(dāng)反向電壓達(dá)到并超過(guò)穩(wěn)定電壓時(shí),反向電流突然增大,而二極管兩端電壓恒定B分類(lèi): 從穩(wěn)壓高低分:低壓穩(wěn)壓二極管(<40V); 高壓穩(wěn)壓二極管(>200V) 從材料分:N型;P型 ...
2021-11-08 09:51:01
16 RB501V-40 SOD-323封裝二極管規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
功能
RB501V-40肖特基勢(shì)壘二極管
護(hù)環(huán)保護(hù)
低正向壓降
用于低壓、高頻逆變器
2022-05-25 15:01:49
2 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
1160 
40 V、0.2 A 肖特基勢(shì)壘二極管-1PS79SB30
2023-02-07 19:24:51
0 通用雙肖特基二極管-BAS40-07V
2023-02-07 20:03:03
0 通用四重肖特基二極管-BAS40-05V
2023-02-07 20:03:57
0 40 V、200 mA 肖特基勢(shì)壘雙二極管-BAT721A-Q
2023-02-07 20:14:15
0 40 V、200 mA 肖特基勢(shì)壘雙二極管-BAT721A
2023-02-08 18:51:26
0 肖特基勢(shì)壘二極管-RB751V40
2023-02-08 18:52:48
0 40 V、0.2 A 肖特基勢(shì)壘二極管-1PS79SB30-Q
2023-02-09 21:24:40
0 通用肖特基二極管-BAS40
2023-02-09 21:59:57
0 肖特基勢(shì)壘二極管-RB751V40-Q
2023-02-15 19:33:00
0 TO-252-2L封裝,最小包裝2500只每盤(pán));KN3D10065F(650V碳化硅二極管,電流10A,貼片TO-252-2L封裝,最小包裝2500只每盤(pán));KN3D10065E(650V碳化硅二極管,電流10A,貼片TO-263-2L封裝,最小包裝2500只每盤(pán));KN3D06065N(650V碳化硅
2023-02-21 10:12:24
4172 
D2PAK 中的 N 溝道 40 V 7.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:59
0 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.9 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:29
0 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 4.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:46
0 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:59
0 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 1.3 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:00
0 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。 日前發(fā)布的新一代 SiC 二極管包括 4A 至 40A 器件,采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝和 D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封
2023-05-26 03:05:02
1596 
低電壓TVS瞬變抑制二極管在實(shí)際應(yīng)用中,很常用,比如3.3V、5V、6V、6.5V、7V、7.5V、8V、8.5V、9V等等。關(guān)于3.3V的TVS二極管,之前TVS廠家東沃電子(DOWOSEMI)向
2022-09-29 17:40:50
5642 
圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
2049 
供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:47
3 肖特基二極管SMA(DO-214AC)40V3A0.2mA封裝:SMA
2022-08-19 15:44:57
3 肖特基二極管SMA(DO-214AC)40V1A0.5mA封裝:SMA
2022-08-19 15:44:59
4 肖特基二極管SMB(DO-214AA)40V5A0.5mA封裝:SMB
2022-08-19 15:45:06
1 肖特基二極管SOD-123FL40V2A0.5mA封裝:SOD123FL
2022-08-19 15:45:27
0 肖特基二極管SMA40V5A1mA封裝:SMA
2022-08-19 15:45:43
4 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065H:DPAK R2P中的650 V、10 A SiC肖特基二極管產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 16:06:24
0 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝,具有2個(gè)引腳,不僅增加了安規(guī)距離,提高了可靠性,而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02
1808 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:08:18
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:09:16
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:10:36
0 2024年7月10日,半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)Nexperia隆重推出了兩款專(zhuān)為高壓環(huán)境設(shè)計(jì)的650V超快速恢復(fù)整流二極管,這些產(chǎn)品采用了獨(dú)特的D2 PAK真雙引腳(R2P)封裝技術(shù),旨在廣泛應(yīng)用于工業(yè)及消費(fèi)領(lǐng)域,如充電適配器、光伏(PV)系統(tǒng)、逆變器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器以及開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:01
11753 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出了采用D2PAK真雙引腳 (R2P) 封裝的650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管,可用于各種工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用,包括充電適配器、光伏 (PV)、逆變器、服務(wù)器和開(kāi)關(guān)模式
2024-07-11 16:10:11
1291 MBR4040CT肖特基二極管40A電流40V規(guī)格介紹
2024-11-13 16:26:40
1412 
新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開(kāi)關(guān)IGBT模塊經(jīng)過(guò)了重大改進(jìn),以滿(mǎn)足牽引和工業(yè)應(yīng)用(如中壓傳動(dòng)或HVDC)當(dāng)前和未來(lái)的要求。這是首次擴(kuò)展二極管產(chǎn)品組合
2024-12-12 17:03:21
895 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NGW40T65M3DFP 40A溝槽場(chǎng)停止IGBT與全額定硅二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-18 16:58:12
0 P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58
844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)
2025-02-25 15:44:15
792 
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30
888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23
871 
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-25 17:44:07
773 
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS
2025-02-25 18:13:42
813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52
783 
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13
727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48
806 
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46
774 
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16
854 
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35
763 
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2,具備超快速
2025-02-27 17:11:28
678 
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44
805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06
713 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13
833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48
792 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08
851 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15
813 
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性,正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04
900 
第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)森國(guó)科推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對(duì)不同場(chǎng)景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種封裝形態(tài),靈活覆蓋車(chē)規(guī)、工業(yè)電源、消費(fèi)電子三大領(lǐng)域。通過(guò)
2025-08-16 15:55:44
2377 
LSIC2SD065D40CC是一款耐壓650V,每路20A的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管。它采用TO - 263 - 2L封裝,這種封裝形式在實(shí)際應(yīng)用中較為常見(jiàn),方便
2025-12-15 16:10:20
275
評(píng)論