開疆拓土的先鋒-Shockley

承擔開疆拓土工作的，最為人們稱道的就是William Shockley和美國的貝爾實驗室。對半導(dǎo)體物理比較關(guān)注的人肯定聽說過William Shockley，作為晶體管之父、諾貝爾物理學獎獲得者（1956年）、點燃硅谷星星之火的人，自然是滿身光環(huán)。

他在1955年離開了貝爾實驗室并在加利福尼亞的Palo Alto創(chuàng)建了肖克利實驗室。雖然肖克利試驗室最終未能延續(xù)往昔的輝煌，但是它在西海岸建立了半導(dǎo)體制造業(yè)并為后來著名的硅谷奠定了基礎(chǔ)。我們從這里也可以看到：一個產(chǎn)業(yè)的繁榮前期必定要有靈魂人物為其奠基，無疑，Shockley就是這樣的人。

我們的中關(guān)村雖然是向硅谷看齊，但終究難以超越硅谷，一定程度上正是缺少了像Shockley這樣的巨人為其注入靈魂！

硅時代“到來

早期的半導(dǎo)體器件是用鍺半導(dǎo)體材料來制造的。德州儀器（TI）公司在1954年引入了第一個硅晶體管，從而改變了這一趨勢。

可以說，TI公司將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)引向了今天的道路上來。而在1956年和1957年貝爾實驗室的兩個技術(shù)進步，即擴散結(jié)和氧化掩膜的出現(xiàn)，使人們更加堅定的走向“硅時代”。

二氧化硅（SiO2）可以在硅表面上均勻產(chǎn)生，并且有和硅相近的膨脹系數(shù)，使得在進行高溫處理時不會出現(xiàn)翹起變形，二氧化硅還是良好的絕緣材料，可以在硅表面上充當絕緣層。另外，它對形成N型和P型區(qū)所需的摻雜物有良好的阻擋作用。

由于這些技術(shù)的進步，Fairchild Camera公司在1960年引入了平面技術(shù)，以此可以在制造過程中形成和保護PN結(jié)。氧化掩膜的開發(fā)也使得可以通過晶圓的表面形成兩個PN節(jié)，它們都位于同一平（plane）中，這種工藝將半導(dǎo)體技術(shù)引入用薄膜連線開發(fā)的階段。

當然，這段時間的技術(shù)就像泉涌一樣從各大公司的工程師的腦中涌現(xiàn)。

貝爾實驗室又構(gòu)想出了在晶圓表面沉積一層稱為外延層的高純度膜，再在其上形成晶體管的技術(shù)，使用這種技術(shù)可制作出更高速度的晶體管，并提供一個使得在雙極型電路中元件封裝更緊密的方案。