意法半導(dǎo)體（ST）推出先進(jìn)單晶片數(shù)位動(dòng)作控制器，為工業(yè)自動(dòng)化和醫(yī)藥制造商實(shí)現(xiàn)更安靜、更精巧、更輕盈、更簡(jiǎn)單且更高效的精密動(dòng)作和定位系統(tǒng)。 意法半導(dǎo)體已與主要客戶合作將
2012-11-20 08:45:08
2338 次數(shù)多，其時(shí)間縮短、高精度化決定半導(dǎo)體的生產(chǎn)性和質(zhì)量。在單張式清洗中，用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉(zhuǎn)，一邊從裝置上部使干燥的空氣流過(guò)。在該方式中，逐個(gè)處理晶片。上一行程粒子的交錯(cuò)污染少。近年來(lái)，由于高壓噴氣和極低
2021-12-23 16:43:041564 
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會(huì)形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積膜。目前，在桔葉式設(shè)備中，冷卻晶片背面膜的方法
2022-01-05 14:23:201576 
提供了一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開(kāi)始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對(duì)表面之間產(chǎn)生第一流體的彎液面。基板在接近頭下方線性移動(dòng)。還提供了單晶片清潔系統(tǒng)。
2022-03-22 14:11:042063 
;>2012年阿姆斯特丹國(guó)際清潔與維護(hù)展覽會(huì)<br/>【展覽時(shí)間】： 2012年5月8-11日<br/>【展覽地點(diǎn)】：荷蘭阿姆斯特丹
2010-11-13 10:22:00
(Si-needle)。之后再硅晶片放在一單晶片蝕刻機(jī)臺(tái)(single wafer machine)上，以背面蝕刻方式(backside etching)去除晶片正面邊緣上的硅針?！ A持臂用以?shī)A持晶片至工作臺(tái)
2018-03-16 11:53:10
關(guān)于清潔度的標(biāo)準(zhǔn)是什么？關(guān)于IPC清潔度有哪些要求？
2021-04-20 06:35:47
PL88101產(chǎn)品介紹：PL88101是一款支持高達(dá)60V輸入電壓，最大可支持1.2A持續(xù)輸出電流的單晶片降壓轉(zhuǎn)換器。PL88101集成80v耐壓/550 mΩ的高側(cè)MOSFET及 80V耐壓
2022-10-28 17:03:44
基于 STM32F4芯片的校園清潔衛(wèi)士結(jié)合6軸機(jī)械臂，能夠自動(dòng)識(shí)別垃圾抓舉垃圾，上電后自檢，進(jìn)入工作模式，自動(dòng)避障自動(dòng)避開(kāi)過(guò)往車(chē)輛，實(shí)現(xiàn)無(wú)人操控的智能型清潔衛(wèi)士。
2015-11-11 11:02:41
。以固體傳導(dǎo)介質(zhì)為例，簡(jiǎn)要介紹以下三種探頭?！ 。?）單晶直探頭。俗稱直探頭，其壓電晶片采用PZT壓電陶瓷制作。發(fā)射超聲波時(shí)，將500V以上的高壓電脈沖加到壓電晶片上，利用逆壓電效應(yīng)，使晶片發(fā)射出一束
2022-08-24 17:59:52
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當(dāng)于將前者翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)， 故稱其為“倒裝晶片”。在晶圓盤(pán)（Waff1∝）上晶片植完球后，需要將其翻轉(zhuǎn)，送入貼片機(jī)，便于貼裝，也由 于這一翻轉(zhuǎn)過(guò)程，而被稱為“倒裝
2018-11-22 11:01:58
芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法 。業(yè)內(nèi)推出了無(wú)須清潔的助焊劑，晶片浸蘸助焊劑工藝成為廣泛使用的助焊技術(shù)。目前主要的替代方法是使用免 洗助焊劑，將元件浸蘸在助焊劑薄膜里讓元件焊球蘸取一定量
2018-11-23 16:00:22
WLP的命名上還存在分歧。CSP晶片級(jí)技術(shù)非常獨(dú)特，封裝內(nèi)部并沒(méi)有采用鍵合方式。封裝芯片的命名也存在分歧。常用名稱有：倒裝芯片(STMicroelectronics和Dalias
2018-08-27 15:45:31
是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流
2015-11-27 18:09:05
請(qǐng)問(wèn)一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位??？
2023-06-16 11:12:27
我對(duì)工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個(gè)思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
本文介紹如何使用VB程式透過(guò)RS232傳輸控制指令到89C51單晶片上，輸出派波訊號(hào)至放大電路，控制步進(jìn)馬達(dá)反轉(zhuǎn)，放大電路也就是所謂的步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，市售步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器借個(gè)在
2009-10-17 14:47:00
21 本研究對(duì)四足機(jī)器人在斜面靜態(tài)步行的穩(wěn)定性問(wèn)題進(jìn)行分析。針對(duì)機(jī)器人在斜面步行中存在繞支撐腳連線翻轉(zhuǎn)的現(xiàn)象，采用Sne 工具分析穩(wěn)定性，并提出了通過(guò)降低機(jī)器人重心高度來(lái)
2010-01-13 14:54:2111 綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對(duì)拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問(wèn)題,并對(duì)其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:210 單晶片PLL電路
ＰＬＬ用ＩＣ已快速的進(jìn)入高集積化，以往需要２～３晶片之情形，現(xiàn)在只需單晶片之專(zhuān)用ＩＣ就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:222489 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類(lèi)型
2009-03-09 13:23:4110170 LED晶片的組成,作用及分類(lèi)
一、LED晶片的作用：LED晶片為L(zhǎng)ED的主要原材料，LED主要依靠晶
2009-05-09 09:05:581920 
新唐科技，宣布推出業(yè)界第一顆單晶片數(shù)位音訊 IC-- ChipCorder ISD2100，協(xié)助工業(yè)與消費(fèi)性產(chǎn)品制造商以符合高經(jīng)濟(jì)效益的方式
2011-07-04 09:06:101207 德州儀器(TI)推出全新微型、單晶片電源管理積體電路(PMIC)系列產(chǎn)品，可以為固態(tài)硬碟(SSD)、混合驅(qū)動(dòng)和其他快閃記憶體管理應(yīng)用的所有電源軌供電。
2011-12-28 09:33:223003 威信科電(WonderMedia)宣布整合威信科電 PRIZM WM8720 系統(tǒng)單晶片平臺(tái)的 Intel WiDi 產(chǎn)品于2012年美國(guó)消費(fèi)電子展(CES)展出。其中包括英特爾將展示寶龍達(dá)制造的 WiDi 接收器及景智所制造的 WiDi 顯
2012-01-17 09:41:091909 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 ：Cypress推出PRoC-UI單晶片解決方案 結(jié)合2.4GHz、低功耗無(wú)線電及電容式觸控功能 Cypress宣佈推出新款整合無(wú)線電與觸控感測(cè)器電路的單晶片解決方案，能夠支援無(wú)線
2012-10-26 09:24:511988 美高森美公司（Microsemi Corporation） 推出世界第一個(gè)用于IEEE 802.11ac標(biāo)準(zhǔn)的第五代Wi-Fi產(chǎn)品的單晶片硅鍺（SiGe） RF前端（FE）元件。新型LX5586 RF FE元件憑藉高整合水準(zhǔn)和高性能SiGe製程技術(shù)
2012-11-13 08:51:041359 Silicon Laboratories （芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司）宣佈推出數(shù)位相對(duì)濕度（RH）和溫度「單晶片感測(cè)器」解決方案。新型Si7005感測(cè)器透過(guò)在標(biāo)準(zhǔn)CMOS基礎(chǔ)上融合混合訊號(hào)IC製造技術(shù)，并採(cǎi)用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
2012-11-13 09:26:571248 近日，中國(guó)周邊與零組件領(lǐng)導(dǎo)商中易騰達(dá)采用Cypress 2.4GHz WirelessUSB -NL無(wú)線電單晶片解決方案，開(kāi)發(fā)其無(wú)線滑鼠專(zhuān)用的完整模組。
2013-01-15 11:16:171352 TI的CC2430單晶片機(jī)的范例程式
非常實(shí)用的示例代碼
2015-12-29 15:43:281 VI晶片焊接建議. ，這上領(lǐng)域很有用的PDF資料。
2016-01-06 17:39:200 VI晶片PRM型號(hào) ，這上領(lǐng)域很有用的PDF資料。
2016-01-06 17:42:450 基于靜態(tài)平衡的四足機(jī)器人斜面步態(tài)規(guī)劃_張文宇
2017-03-16 08:00:003 積所檢測(cè)出的缺陷區(qū)域。由此，可以利用確實(shí)能提高氧化膜耐壓等電氣特性的CZ法，在穩(wěn)定的制造條件下，制造既不屬于富含空孔的V區(qū)域、OSF區(qū)域，也不屬于富含晶格間隙硅的I區(qū)域的硅單晶晶片。 絕緣體上的單晶硅（SOI）材料的制造方法 本發(fā)明
2017-09-28 16:35:3018 美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）日前推出世界首款單晶片硅鍺（SiGe）RF前端（FE）器件LX5586，該模塊用于IEEE
2018-04-27 09:49:001686 本文的主要內(nèi)容是介紹了TI的產(chǎn)品TMS320DM369數(shù)字媒體系統(tǒng)單晶片(DMSoC)的技術(shù)英文原版資料概述
2018-04-20 10:39:590 協(xié)議用于主動(dòng)式 3D 眼鏡的單晶片。AB1128 為一包含了基頻處理器、無(wú)線發(fā)射接收器、LCD 開(kāi)關(guān)控制、EEPROM、電池充電等器件的高整合度單晶片。 全球 3D 電視在2015年預(yù)期將有一億臺(tái)的銷(xiāo)售量。3D 眼鏡隨著 3D 技術(shù)的成熟而更顯得重要。和傳統(tǒng)的紅外線技術(shù)比較，藍(lán)牙有不受限
2018-10-13 11:14:01830 聯(lián)發(fā)科技 24 日宣布推出曦力 P70（Helio P70）系統(tǒng)單晶片，其結(jié)合 CPU 與GPU的升級(jí)，實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)大的 AI 處理能力，預(yù)計(jì)將搶在高通之前于今年 11 月上市。
2018-10-25 16:05:084735 單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按
2018-11-19 08:00:0024 本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō)，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:212674 通過(guò)對(duì) Si ， CaAs ， Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 ， 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3950 
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