和IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）組合。這一方法旨在讓英特爾加快創(chuàng)新步伐，并將扎根于六大戰(zhàn)略支柱： 英特爾公司處理器核心與視覺(jué)計(jì)算高級(jí)副總裁Raja Koduri 制程 擁有領(lǐng)先的制程技術(shù)，仍是建構(gòu)領(lǐng)先的產(chǎn)品之關(guān)鍵。先進(jìn)的封裝解決方案在三維空間中擴(kuò)展晶體管
2018-12-13 12:04:02
1012 8月13日，在2020年架構(gòu)日上，英特爾六大技術(shù)支柱持續(xù)創(chuàng)新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構(gòu)以及全新的晶體管技術(shù)。
2020-08-14 18:52:266294 阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">英特爾在立體晶體管（FinFET）技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績(jī)獲得好評(píng)。20nm工藝之前阿爾特拉一直將臺(tái)積電作為主要的代工企業(yè)，而14nm工藝的生產(chǎn)將只委托給英特爾
2013-03-05 08:51:201758 超微縮是英特爾用來(lái)描述從14納米到10納米制程，晶體管密度提高2.7倍的術(shù)語(yǔ)。超微縮為英特爾14納米和10納米制程提供了超乎常規(guī)的晶體管密度，并延長(zhǎng)了制程工藝的生命周期。盡管制程節(jié)點(diǎn)間的開(kāi)發(fā)時(shí)間超過(guò)兩年，但超微縮使其完全符合摩爾定律。
2017-09-20 09:23:416816 兩種晶體管一起造——英特爾正在研究的晶體管堆疊技術(shù)將大幅度提高芯片的計(jì)算密度。 ? 目前我們所熟知的臺(tái)積電、三星、英特爾、格芯、中芯國(guó)際等芯片代工廠量產(chǎn)的先進(jìn)工藝普遍采用基于多柵鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2021-01-06 16:31:206277 
近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:041184 。 ? 英特爾18A工藝堪稱芯片制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，處于業(yè)界2納米級(jí)節(jié)點(diǎn)水平。它采用了兩項(xiàng)極具創(chuàng)新性的基礎(chǔ)技術(shù)——RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技術(shù)
2025-10-21 08:52:004858 相似，英特爾一直在考慮新材料的引入、新的晶體管設(shè)計(jì)等。本屆IEDM上，出現(xiàn)了很多針對(duì)全柵極晶體管的討論，無(wú)論是納米片還是納米線，隨著FinFET技術(shù)在更新工藝下的逐漸失效，全柵極可能會(huì)逐漸成為主流。如果英特爾在
2020-07-07 11:38:14
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在半世紀(jì)前提出的摩爾定律，是指每代制程工藝都要讓芯片上的晶體管數(shù)量翻一番。縱觀芯片每代創(chuàng)新歷史，業(yè)界一直遵循這一定律，并按前一代制程工藝縮小約 0.7倍來(lái)對(duì)新制程節(jié)點(diǎn)命名
2019-07-17 06:27:10
` 中關(guān)村在線 據(jù)外媒Phone Arena報(bào)道，英特爾多款平板電腦CPU將于明年推出，達(dá)到擴(kuò)大產(chǎn)品的覆蓋范圍，同時(shí)也能擴(kuò)大產(chǎn)品的生產(chǎn)數(shù)量。相信在不久的明天，不管是在入門級(jí)還是旗艦級(jí)的平板電腦
2013-12-19 16:48:30
Bridge的處理器。這種處理器使用3D（三閘）晶體管?！ at Bliemer還證實(shí)稱，英特爾的Tick-Tock（工藝年-構(gòu)架年）戰(zhàn)略正在按計(jì)劃進(jìn)行。這意味著第一款采用14納米技術(shù)的處理器將在
2011-12-05 10:49:55
)和M2M(機(jī)器對(duì)機(jī)器)市場(chǎng)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">英特爾架構(gòu)事業(yè)部副總裁斯特凡·沃爾夫(Stefan Wolf)表示，這種系統(tǒng)芯片比類似的系統(tǒng)芯片體積小，將簡(jiǎn)化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和減少制作產(chǎn)品所需要的組件數(shù)量，為開(kāi)發(fā)商減少
2012-08-07 17:14:52
嗨伙計(jì)，我的英特爾愛(ài)迪生停止通過(guò)終端和ssh通過(guò)wifi訪問(wèn)，所以我決定閃存它。$ ./flashall.sh使用U-Boot目標(biāo)：edison-blankcdc現(xiàn)在等待dfu設(shè)備8087：0a99
2018-11-02 10:57:32
，是通信、數(shù)字標(biāo)牌、零售、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域嵌入式應(yīng)用開(kāi)發(fā)者的理想選擇；預(yù)計(jì)會(huì)有超過(guò)200種嵌入式應(yīng)用將基于該系列處理器研發(fā)。w w英特爾向嵌入式市場(chǎng)提供酷睿移動(dòng)處理器，以及其與移動(dòng)英特爾? QM57高速
2019-07-29 06:13:57
%的市場(chǎng)份額。 通信世界網(wǎng)總編輯劉啟誠(chéng)認(rèn)為，英特爾本身缺乏移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的DNA，其傳統(tǒng)PC時(shí)代的思維無(wú)法與當(dāng)前的移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代相契合。移動(dòng)芯片的技術(shù)研發(fā)并非一朝一夕，需要時(shí)間與技術(shù)的積累與沉淀，在這方面英特爾
2012-11-07 16:33:48
。但從技術(shù)層面來(lái)看，開(kāi)始領(lǐng)先于AMD的英特爾慢慢被后來(lái)者居上，AMD也使勁全力向頂層技術(shù)發(fā)起總攻，如10nm、7nm工藝。在AMD漫長(zhǎng)的奮斗下，英特爾稍顯疲態(tài)。有分析師預(yù)測(cè)，隨著英特爾緩慢的研發(fā)步伐
2018-09-29 17:42:03
了上市時(shí)間，提高了生產(chǎn)力。英特爾的 ABF 計(jì)劃如今，隨著 ABF 短缺問(wèn)題日益嚴(yán)重，英特爾的目標(biāo)是通過(guò)提高現(xiàn)有 ABF 制造工藝的生產(chǎn)率來(lái)彌補(bǔ)這一缺口。為了做到這一點(diǎn)，英特爾已經(jīng)宣布，其越南組裝和測(cè)試
2022-06-20 09:50:00
，2019年底發(fā)布時(shí)還是屬于探索的第一步，現(xiàn)在已經(jīng)轉(zhuǎn)正了。oneAPI計(jì)劃的跨架構(gòu)開(kāi)發(fā)模型基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和開(kāi)放規(guī)范，支持廣泛的行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)采納該技術(shù)來(lái)推動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的新演進(jìn)。英特爾? oneAPI beta
2020-10-26 13:51:43
是英特爾 VS ARM。英特爾發(fā)布三柵極3D晶體管之后，關(guān)于該技術(shù)能否左右二者之間的戰(zhàn)局業(yè)界已有很多評(píng)論文章。目前看來(lái)，ARM似乎肯定會(huì)采用平面的22nm工藝，而英特爾則會(huì)采用Tri-Gate三柵極3D
2011-12-24 17:00:32
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術(shù)）（圖 11）?！ D 11.英特爾的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
在這個(gè)高度依賴圖像的時(shí)代，英特爾? FPGA 可利用 OpenCL? 平臺(tái)滿足巨大的圖像處 理和分類需求簡(jiǎn)介從 2015 年到 2020 年，互聯(lián)網(wǎng)視頻流量將增長(zhǎng)四倍。[1] 鑒于可視數(shù)據(jù)的爆炸性
2019-07-17 06:34:16
蘋果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展英特爾高級(jí)院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度
2017-09-22 11:08:53
，10埃）開(kāi)始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識(shí)可能有助于下一代互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）的生產(chǎn)。
目前，領(lǐng)先的芯片制造商——英特爾、臺(tái)積電和三星——正在利用其 18A、N2
2025-06-20 10:40:07
近日，加入英特爾已有3個(gè)月的明星芯片架構(gòu)師Jim Keller接受了外媒VentureBeat的采訪，在采訪中談及了自己加入英特爾的始末和讓其為之興奮的新角色——英特爾公司技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶端事業(yè)部高級(jí)副總裁兼芯片工程事業(yè)部總經(jīng)理。
2019-07-25 07:31:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
你好。當(dāng)我在英特爾RST中啟用英特爾Optane，然后重新啟動(dòng)我的計(jì)算機(jī)時(shí)，Defraggler將加速驅(qū)動(dòng)器看作只是一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器，在任務(wù)管理器中，它將其視為“1.8TB硬盤+英特爾Optane”我
2018-10-31 10:12:53
幾個(gè)月前就有分析師援引彭博社的報(bào)道稱，AMD即將與宿敵英特爾達(dá)成顯卡芯片技術(shù)授權(quán)協(xié)議，上周更有匿名消息人士在一家PC愛(ài)好者網(wǎng)站上確認(rèn)了此事。然而，無(wú)論從AMD自身利益角度考慮，還是從該公司CEO
2017-05-27 16:12:29
英特爾的未來(lái)樂(lè)觀嗎？看一看英特爾的盲點(diǎn)在哪里？英特爾有哪些死角？
2021-06-18 08:08:01
蘋果首次舉行線上開(kāi)發(fā)者大會(huì)（WWDC20），在一系列iOS14、macOS等軟硬件更新宣布中，最重磅的莫過(guò)于蘋果電腦Mac未來(lái)將使用自研的ARM架構(gòu)芯片，逐步替代現(xiàn)有的英特爾芯片?！ ≡跇I(yè)
2020-06-23 08:53:12
騰訊科技訊，7 月 5 日據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾未來(lái)不會(huì)再向蘋果的 iPhone 智能手機(jī)提供基帶芯片了。英特爾剛剛確認(rèn)，公司已經(jīng)停止開(kāi)發(fā)部分原本計(jì)劃使用在蘋果 iPhone 上的 5G 通信基帶
2021-07-23 06:20:50
采用MMX技術(shù)的英特爾奔騰和奔騰
2019-02-26 08:05:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
“集成電子”之名在1968年7月18日共同創(chuàng)辦公司，將高端芯片設(shè)計(jì)能力與領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的制造能力結(jié)合在一起。英特爾也有開(kāi)發(fā)主板芯片組、網(wǎng)卡、閃存、繪圖芯片、嵌入式處理器，
2025-12-21 11:32:23
Achronix半導(dǎo)體公司宣布：該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術(shù)的使用權(quán)，并計(jì)劃開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29793 在本周于舊金山召開(kāi)的英特爾開(kāi)發(fā)者大會(huì)(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進(jìn)一步說(shuō)明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計(jì)概念。
2011-09-16 09:23:431145 從技術(shù)角度概括介紹用于快速開(kāi)發(fā)和部署啟動(dòng)加載器的英特爾 Boot Loader 開(kāi)發(fā)套件(英特爾 BLDK)，該套件基于英特爾 UEFI 開(kāi)發(fā)套件 2010(英特爾 UDK2010)標(biāo)準(zhǔn)，面向基于英特爾凌動(dòng)處理器的嵌
2011-12-07 14:57:53
59 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石，而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明，甚至可以說(shuō)是重新發(fā)明了晶體管。半個(gè)多世紀(jì)以來(lái)，晶體管一直都在使用2-D 平面結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52147 將特別采用英特爾的3-D三維晶體管尖端制造工藝
2012-04-16 08:52:00862 據(jù)英特爾的首席財(cái)政官 Stacy Smith 在一次新聞發(fā)布會(huì)上討論公司的第一季度財(cái)務(wù)情況時(shí)稱，英特爾的22nm制造工藝技術(shù)的FinFET晶體管將占英特爾半導(dǎo)體第二季度出貨量的25%。
2012-04-19 08:41:23745 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051560 英特爾凌動(dòng)處理器,Intel Atom是Intel的一個(gè)處理器系列，處理器采用45納米工藝制造，集成4700萬(wàn)個(gè)晶體管。
2012-05-25 14:06:174336 本文通過(guò)高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:180 本文核心議題： 通過(guò)本文介紹，我們將對(duì)Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:278565 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】：英特爾 終于祭出殺手锏——Haswell，將該CPU改善其電池壽命和圖形處理能力。英特爾稱其為首款采用22nm工藝的三柵極晶體管新架構(gòu)的CPU，其功耗最低將少
2012-09-12 17:33:071348 近日消息，英特爾計(jì)劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動(dòng)芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對(duì)于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國(guó)際電子產(chǎn)品大會(huì)的專家們
2012-12-11 09:05:451434 的onshore代工技術(shù)和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術(shù)，開(kāi)發(fā)先進(jìn)的高性能數(shù)字集成電路（IC）和系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）解決方案。
2013-05-09 11:15:581029 據(jù)消息，英特爾正計(jì)劃利用現(xiàn)有的硬件材料去開(kāi)發(fā)量子計(jì)算機(jī)。通過(guò)量子機(jī)制，量子計(jì)算機(jī)能帶來(lái)更強(qiáng)大的計(jì)算性能。 荷蘭代爾夫特理工大學(xué)與英特爾合作開(kāi)發(fā)的量子計(jì)算設(shè)備 競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手IBM、微軟和谷歌都在開(kāi)發(fā)量子計(jì)算機(jī)，但這些量子計(jì)算機(jī)與當(dāng)前的計(jì)算機(jī)有很大不同。英特爾則計(jì)劃利用當(dāng)前的硅晶體管材料來(lái)實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算機(jī)。
2016-12-23 02:39:111838 在英特爾制造日，英特爾發(fā)布了10nm晶圓。通過(guò)采用超微縮技術(shù)（hyper scaling），英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。超微縮技術(shù)
2018-03-12 11:48:00891 
Cannonlake架構(gòu)的Core i3-8121處理器，通過(guò)分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，是14nm節(jié)點(diǎn)的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:006886 模塊，包含英特爾公司領(lǐng)先的技術(shù)和IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）組合。這一方法旨在讓英特爾加快創(chuàng)新步伐，并將扎根于六大戰(zhàn)略支柱： 1. 制程——擁有領(lǐng)先的制程技術(shù)，仍是建構(gòu)領(lǐng)先的產(chǎn)品之關(guān)鍵。先進(jìn)的封裝解決方案在三維空間中擴(kuò)展晶體管密度，將賦予英特
2018-12-17 16:03:01186 英特爾的“初心”體現(xiàn)在，不斷推動(dòng)摩爾定律發(fā)揚(yáng)光大。芯片上的晶體管數(shù)量增加了100萬(wàn)倍，處理能力提高了45萬(wàn)倍，并將為處理海量數(shù)據(jù)提供領(lǐng)先的技術(shù)。
2020-04-30 17:22:362983 在2020年架構(gòu)日上，英特爾六大技術(shù)支柱持續(xù)創(chuàng)新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構(gòu)以及全新的晶體管技術(shù)。
2020-08-14 14:08:192332 在2020年架構(gòu)日上，英特爾六大技術(shù)支柱持續(xù)創(chuàng)新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構(gòu)以及全新的晶體管技術(shù)。
2020-08-14 17:55:333955 最近英特爾終于帶來(lái)了一些好消息，除了下一代（第11代）酷睿處理器的工藝制程全面進(jìn)軍10 nm節(jié)點(diǎn)以外，英特爾還將在10 nm工藝制程中加入全新的“SuperFin”晶體管?；谶@一新技術(shù)生產(chǎn)的第11
2020-08-17 15:22:173681 制程工藝是非常重要的基礎(chǔ)。在今年“架構(gòu)日”上，英特爾推出了創(chuàng)新的晶體管技術(shù)SuperFin。這項(xiàng)技術(shù)擁有行業(yè)顛覆意義，英特爾在底層晶體管設(shè)計(jì)上做了優(yōu)化，降低了電阻，提高了電流，同時(shí)在電容層級(jí)采用了Super MIM的大幅優(yōu)化技術(shù)，電容量提高了5倍，同時(shí)降低了壓降。
2020-08-27 11:14:582869 英特爾在2020年架構(gòu)日上推出10nm SuperFin晶體管技術(shù)，將實(shí)現(xiàn)其有史以來(lái)最強(qiáng)大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能增強(qiáng)。
2020-08-31 09:52:063204 
的軟件堆棧oneAPI Gold工具。英特爾此次同時(shí)推出了全新服務(wù)器GPU和oneAPI軟件，意味著英特爾開(kāi)始釋放XPU的強(qiáng)大實(shí)力。 英特爾率先定義XPU時(shí)代 10年前，美國(guó)數(shù)據(jù)科學(xué)家舍恩伯格在《大數(shù)據(jù)時(shí)代》一書中對(duì)大數(shù)據(jù)時(shí)代作出系統(tǒng)闡釋。 10年后，互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、
2020-11-12 10:48:152351 芯東西12月30日消息，英特爾在本周的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上展示了一項(xiàng)新的研究，或?yàn)槔m(xù)命摩爾定律提供下一步可行方向。 此項(xiàng)研究是英特爾一直熱衷的堆疊納米片晶體管技術(shù)，通過(guò)將PMOS和NMOS兩種
2021-01-02 09:03:002358 ，進(jìn)而大大降低了功耗。這些成對(duì)的晶體管已經(jīng)彼此櫛次鱗比在一起好幾十年，但是如果電路要繼續(xù)縮小，它們就必須靠得更近。 英特爾（Intel）在本周的IEEE 國(guó)際電子元件大會(huì)（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM）上展示全然不同的排列方式：把一對(duì)
2021-01-08 09:55:152732 的是，英特爾代工廠客戶將可以使用我們已準(zhǔn)備好部署的前沿封裝技術(shù)，包括2D、2.5D或3D技術(shù)。”據(jù)Johanna Swan介紹，在進(jìn)入到IDM 2.0時(shí)代后，英特爾將繼續(xù)開(kāi)發(fā)2D、2.5D 和 3D 等
2021-06-28 10:19:182533 
方法背后的依據(jù)。 未來(lái)之路 英特爾的路線圖是基于無(wú)與倫比的制程技術(shù)創(chuàng)新底蘊(yùn)制定而成。結(jié)合世界先進(jìn)的研發(fā)流程，英特爾推出過(guò)諸多深刻影響了半導(dǎo)體生態(tài)的行業(yè)首創(chuàng)技術(shù)，如應(yīng)變硅、高K金屬柵極和3D FinFET晶體管等。 如今，英特爾延
2021-08-09 10:40:315625 新聞重點(diǎn) 1. 英特爾制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng)新路線圖，為從現(xiàn)在到2025年乃至更遠(yuǎn)未來(lái)的下一波產(chǎn)品注入動(dòng)力。 2. 兩項(xiàng)突破性制程技術(shù)：英特爾近十多年來(lái)推出的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)RibbonFET，以及
2021-08-09 10:47:232233 英特爾向今年的國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）提交了幾篇研究論文，強(qiáng)調(diào)了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計(jì)劃。這些新信息支持了首席執(zhí)行官Pat Gelsinger之前關(guān)于英特爾即將進(jìn)行的微
2022-12-05 10:16:071723 
英特爾正在為 300 毫米硅基 GaN 晶圓打造一條可行的道路，讓世界離超越 5G 更近一步并解決能效挑戰(zhàn)。英特爾在這一領(lǐng)域的突破表明，增益是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) GaN 的 20 倍，并創(chuàng)下了高性能功率傳輸?shù)男袠I(yè)記錄。
2022-12-05 11:50:36735 ）上，英特爾發(fā)布了多項(xiàng)突破性研究成果，繼續(xù)探索技術(shù)創(chuàng)新，以在未來(lái)十年內(nèi)持續(xù)推進(jìn)摩爾定律，最終實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中集成一萬(wàn)億個(gè)晶體管。英特爾的研究人員展示了以下研究成果：3D封裝技術(shù)的新進(jìn)展，可將密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶體管微縮的新材料，包括僅三個(gè)
2022-12-06 15:50:211857 英特爾和Arm達(dá)成了一項(xiàng)合作協(xié)議，英特爾代工服務(wù)（Intel Foundry Services）和Arm將會(huì)進(jìn)行設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化，這意味著讓芯片設(shè)計(jì)者能夠基于英特爾18A制程打造低功耗的SoC
2023-04-19 14:31:231727 在比利時(shí)安特衛(wèi)普舉行的ITF World 2023上，英特爾技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展，最有趣的是英特爾將在未來(lái)采用堆疊CFET晶體管。
2023-05-20 10:01:14910 
將于2024年上半年在Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)上推出。通過(guò)將電源線移至晶圓背面，PowerVia解決了芯片單位面積微縮中日益嚴(yán)重的互連瓶頸問(wèn)題。 “ 英特爾正在積極推進(jìn)‘四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)’計(jì)劃，并致力于在2030年實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中集成一萬(wàn)億個(gè)晶體管，PowerVia對(duì)這兩大目標(biāo)而言都是重要里程
2023-06-09 20:10:03732 芯片效能。英特爾封裝/組裝/測(cè)試技術(shù)開(kāi)發(fā)資深總監(jiān)Pat Stover就表示：「我在封裝領(lǐng)域已有27年經(jīng)驗(yàn)，透過(guò)封裝延續(xù)了摩爾定律。」 半導(dǎo)體業(yè)者過(guò)去透過(guò)制程的微縮，追求在更小的芯片內(nèi)塞入更多電晶體，提升算力和效能，帶動(dòng)各項(xiàng)電子產(chǎn)品的迭代。然而微縮存在物理極限，半導(dǎo)體
2023-08-28 11:08:143347 ? ? ? ?在今年9月，英特爾宣布率先推出用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，并計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)向市場(chǎng)提供完整的解決方案，從而使單個(gè)封裝內(nèi)的晶體管數(shù)量不斷增加，繼續(xù)推動(dòng)摩爾定律，滿足以數(shù)據(jù)為中心
2023-12-06 09:31:42842 在IEDM 2023上，英特爾展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點(diǎn)的3D堆疊CMOS晶體管，這些開(kāi)創(chuàng)性的技術(shù)進(jìn)展將繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。
2023-12-11 16:31:051079 英特爾在2023年國(guó)際電子設(shè)備制造大會(huì)上宣布，他們已經(jīng)成功完成了一項(xiàng)名為PowerVia的背面供電技術(shù)的開(kāi)發(fā)。這個(gè)技術(shù)是基于英特爾的最新晶體管研究成果，它實(shí)現(xiàn)了互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-12-11 16:10:421642 
在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:062122 
帕特·基辛格進(jìn)一步預(yù)測(cè)，盡管摩爾定律顯著放緩，到2030年英特爾依然可以生產(chǎn)出包含1萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、PowerVIA電源傳輸、下一代工藝節(jié)點(diǎn)以及3D芯片堆疊等技術(shù)實(shí)現(xiàn)。目前單個(gè)封裝的最大芯片含有約1000億個(gè)晶體管。
2023-12-26 15:07:371221 12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議）上展示了使用背面電源觸點(diǎn)將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關(guān)鍵技術(shù)。英特爾表示將在2030年前實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝內(nèi)集成1萬(wàn)億個(gè)晶體管。
2023-12-28 13:58:431311 臺(tái)積電預(yù)計(jì)封裝技術(shù)（CoWoS、InFO、SoIC 等）將取得進(jìn)步，使其能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過(guò)一萬(wàn)億個(gè)晶體管的大規(guī)模多芯片解決方案。
2023-12-29 10:35:28868 
英特爾對(duì)此次活動(dòng)的定位如下： “誠(chéng)摯邀請(qǐng)您傾聽(tīng)英特爾高層精英、技術(shù)專才以及各方合作伙伴深度解讀我們的戰(zhàn)略布局、卓越工藝技術(shù)、尖端封裝技巧與生態(tài)建設(shè)。旨在讓您深入理解英特爾的代工廠服務(wù)如何助力貴司充分利用英特爾強(qiáng)大的彈性供應(yīng)實(shí)力構(gòu)筑芯片設(shè)計(jì)。”
2024-01-05 09:40:291149 眾所周知，整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域正邁進(jìn)一個(gè)同時(shí)整合多個(gè)‘芯?！–hiplets，也被稱為‘小芯片’）在同一封裝中的多元時(shí)代?；诖耍?b class="flag-6" style="color: red">英特爾的 Foveros 及新型 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）等高級(jí)封裝解決方案被譽(yù)為能將一萬(wàn)億個(gè)晶體管融于單一封裝之內(nèi)
2024-01-26 09:44:281201 英特爾在封裝技術(shù)方面取得了重大突破，并已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于3D Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)使得英特爾能夠在單個(gè)封裝中整合多個(gè)小芯片（Chiplets），從而提高了芯片的性能、尺寸和設(shè)計(jì)靈活性。
2024-01-26 16:04:501281 英特爾首推面向AI時(shí)代的系統(tǒng)級(jí)代工——英特爾代工（Intel Foundry），在技術(shù)、韌性和可持續(xù)性方面均處于領(lǐng)先地位。
2024-02-25 10:38:391213 
英特爾宣布全新制程技術(shù)路線圖、客戶及生態(tài)伙伴合作，以實(shí)現(xiàn)2030年成為全球第二大代工廠的目標(biāo)。 新聞亮點(diǎn)： ?英特爾首推面向AI時(shí)代的系統(tǒng)級(jí)代工——英特爾代工（Intel Foundry），在技術(shù)
2024-02-26 15:41:45935 
據(jù)悉，18A 制程是英特爾技術(shù)引領(lǐng)道路上的關(guān)鍵階段，雖非直接采用 1.8納米工藝，英特爾仍自豪宣稱其性能與晶體管密度媲美友商的 1.8 nm制程。
2024-02-29 15:13:291371 Ansys的多物理場(chǎng)簽核解決方案已經(jīng)成功獲得英特爾代工（Intel Foundry）的認(rèn)證，這一認(rèn)證使得Ansys能夠支持對(duì)采用英特爾18A工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的先進(jìn)集成電路（IC）進(jìn)行簽核驗(yàn)證。18A工藝技術(shù)集成了新型RibbonFET晶體管技術(shù)和背面供電技術(shù)，代表了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破。
2024-03-11 11:25:411358 英特爾公司近日在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域再有大動(dòng)作，加碼先進(jìn)封裝技術(shù)，并與14家日本企業(yè)達(dá)成深度合作。此次合作中，英特爾創(chuàng)新性地租用夏普閑置的LCD面板廠，將其作為先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)中心，專注于后段封裝領(lǐng)域的研發(fā)。
2024-06-11 09:43:44871 在今年9月，英特爾宣布率先推出用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，并計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)向市場(chǎng)提供完整的解決方案，從而使單個(gè)封裝內(nèi)的晶體管數(shù)量不斷增加，繼續(xù)推動(dòng)摩爾定律，滿足以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用的算力需求
2024-07-22 16:37:15917 晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)，也將用于Intel 18A。 RibbonFET：柵極“環(huán)抱”晶體管 通過(guò)RibbonFET晶體管，英特爾實(shí)現(xiàn)了
2024-09-11 17:57:52733 
遠(yuǎn)的發(fā)展。 英特爾通過(guò)改進(jìn)封裝技術(shù)將芯片封裝中的吞吐量提升高達(dá)100倍，探索解決采用銅材料的晶體管在開(kāi)發(fā)未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)時(shí)可預(yù)見(jiàn)的互連微縮限制，并繼續(xù)為先進(jìn)的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管及其它相關(guān)技術(shù)定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術(shù)進(jìn)展來(lái)自負(fù)責(zé)研發(fā)
2024-12-25 09:52:111072 
TechInsights分析，臺(tái)積電N2工藝在晶體管密度方面表現(xiàn)突出，其高密度(HD)標(biāo)準(zhǔn)單元的晶體管密度高達(dá)313MTr/mm2，遠(yuǎn)超英特爾Intel 18A的238MTr/mm2和三星SF2/SF3P
2025-02-17 13:52:021088 ，英特爾代工已取得重要里程碑。例如，Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，并計(jì)劃于今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。這一節(jié)點(diǎn)采用了PowerVia背面供電技術(shù)和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管。英特爾代工的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴為Intel 18A提供了EDA支持，參考流程
2025-05-09 11:42:16626 
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