薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯片制作工藝流程來說,位于前道工藝中。 隨著
2024-11-01 11:08:07
4395 聽上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么? 簡單來說:薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。 薄膜沉積(Thin Film Deposition)是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜,再配合蝕刻和拋光等工藝
2025-04-16 14:25:09
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半導(dǎo)體發(fā)展至今,無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進,如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測的一樣,半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小,芯片的集成度也在不斷提升,工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-20 08:01:20
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計產(chǎn)業(yè)的?
2021-02-22 09:07:43
多個數(shù)據(jù)流,并以超低的成本,延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號的作用,降低攔截概率。正在席卷整個行業(yè)的相控天線設(shè)計為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點,以最終
2021-01-20 07:11:05
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月,投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售;同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備,負責(zé)
2015-04-02 17:21:04
半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢是什么?在當(dāng)前科技日新月異、需求層出不窮的背景下,芯片廠商如何找準自己的定位以不被時代淘汰?近日,EEWORLD記者有幸借助在硅谷舉辦的euroasia PRESS 拜訪Altera
2019-06-25 06:31:51
的積體電路所組成,我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù),所須制程多達二百至三百個步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數(shù)和性能,那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
以及降低成本。由于半導(dǎo)體制造的工藝性涉及多個行業(yè),專門從事供應(yīng)的行業(yè)發(fā)展起來以提供硅片制造需要的化學(xué)材料和設(shè)備。眾多高技術(shù)公司于20世紀60年代成立:1968年,成立英特爾公司。1969年,成立AMD。20
2020-09-02 18:02:47
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者,半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠”,而現(xiàn)在,隨著家電應(yīng)用市場和功能的擴展,消費者對家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來越高,半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競技者
2019-06-21 07:45:46
等公司是這一歷史階段的先驅(qū)?,F(xiàn)在,ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實施和工藝技術(shù)。在這個階段,半導(dǎo)體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計限制,出現(xiàn)了一個更廣泛的工程師社區(qū),它們可以設(shè)計和構(gòu)建定制
2024-03-13 16:52:37
公司是這一歷史階段的先驅(qū)?,F(xiàn)在,ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實施和工藝技術(shù)。在這個階段,半導(dǎo)體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計限制,出現(xiàn)了一個更廣泛的工程師社區(qū),它們可以設(shè)計和構(gòu)建定制
2024-03-27 16:17:34
本人小白,最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線,主要是小型貼片器件封裝,例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到,能進行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息,以及這些設(shè)備的國內(nèi)外生產(chǎn)廠家,在此先行感謝!
2022-01-22 12:26:47
作者: Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,管理成本依然是最嚴峻的挑戰(zhàn)之一,因為自動化測試設(shè)備(ATE)是一項重大的資本支出。那么,有沒有能夠降低每片晶圓的成本,從而提升競爭優(yōu)勢的方法呢?有,答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
蘇州晶淼專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備,可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國內(nèi)專業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商,歡迎來電咨詢。電話:***,13771786452王經(jīng)理
2016-09-05 10:40:27
行業(yè)及高等院校、研究所等高科技領(lǐng)域的生產(chǎn)和研發(fā)。我們的每臺設(shè)備除標準化制作外,還可根據(jù)客戶的工藝需求和工作環(huán)境的具體要求,對設(shè)備進行人性化、個性化設(shè)計。歡迎來電咨詢。電話:***,13771786452王經(jīng)理
2016-09-06 13:53:08
的跨越,裝備產(chǎn)業(yè)將是重要環(huán)節(jié),其中需要更多的創(chuàng)新,才能引領(lǐng)中國半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展,并推動我國芯片工藝制程和技術(shù)跨越式提升。3DFlash存儲器、人工智能芯片、MEMS/sensor芯片、GaN/SiC功率
2020-12-08 10:18:29
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù),為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況,需要測試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測試方法有很多種,其中四探針法具有設(shè)備簡單、操作方便、測量精度高以及對樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
半導(dǎo)體芯片行業(yè)的運作模式
2020-12-29 07:46:38
)輸人計算機的數(shù)據(jù)必須及時真實可靠,不得進行人為篩選; (3)在數(shù)據(jù)波動比較大時,注意分析原材料、設(shè)備和環(huán)境等因素,避免盲目改變工藝條件,以免出現(xiàn)浪費。本文摘自《半導(dǎo)體技術(shù)》
2018-08-29 10:28:14
***********EMD代理美國SCI高精準薄膜度量 系統(tǒng) 與 軟件分析 產(chǎn)品,美國SCI為世界薄膜度量系統(tǒng)和分析軟件行業(yè)的領(lǐng)軍者,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體,OLED/LCD
2008-12-30 18:47:30
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號:JFSJ-21-075作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進行
2021-07-09 11:30:18
`書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:IC制造工藝編號:JFSJ-21-046作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要:集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機械拋光工藝開發(fā)編號:JFSJ-21-064作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
下方的蝕刻速率遠高于沒有金屬時的蝕刻速率,因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時,金屬層會下降到半導(dǎo)體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻:硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
`書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡介編號:JFSJ-21-076作者:炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類:絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
及以上學(xué)歷,物理、材料、化學(xué)、或半導(dǎo)體專業(yè),至少1年工作經(jīng)驗,CET-4以上;1.熟悉薄膜制備的方法和表征手段,具有PECVD、ALD、噴墨打印或閃蒸發(fā)等相關(guān)薄膜沉積工作經(jīng)驗;2.熟悉真空設(shè)備相關(guān)
2017-02-08 17:23:27
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用?對此,業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-02 08:23:59
什么是堆疊式共源共柵?低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性?低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢?
2021-06-26 06:14:32
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備,滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
。從產(chǎn)業(yè)政策方面講,國家對設(shè)備制造業(yè)的支持力度也不夠大,研發(fā)投入少得可憐。而且,國內(nèi)設(shè)備制造業(yè)與工藝生產(chǎn)相脫節(jié),缺乏工藝方面的支撐,其研發(fā)周期相對較長。更為重要的是,長期以來,我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)落后
2008-08-16 23:05:04
的設(shè)備。可供應(yīng)翻新半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括:光刻機 步進光刻機 涂膠顯影 化學(xué)濕臺 沉積設(shè)備 劃片及磨片設(shè)備 電子束蒸發(fā) CVD沉積設(shè)備 刻蝕設(shè)備 離子注入機 顯微鏡 探針臺 薄膜測厚儀 表面檢測設(shè)備 鍵合機
2009-10-14 11:05:53
行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生,它不僅揭示了信息技術(shù)進步的速度,更在接下來的半個實際中,猶如一只無形大手般推動了整個半導(dǎo)體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜,再到測試封裝,一目了然。 全書共分20章,根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié),包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息;總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
circuit technique )(百度百科)電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34
的產(chǎn)品附加值保證了產(chǎn)業(yè)利潤仍大幅提升,盈利能力也大大增強。另外,我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集中度很低,上市公司大多是各個細分行業(yè)的龍頭,但行業(yè)代表性并不高。由于在技術(shù)和規(guī)模上的優(yōu)勢,其利潤率水平也要高于行業(yè)平均水平
2008-09-23 15:43:09
美元增長到2022年25億美元1。此外,隨著通信行業(yè)對器件性能的要求逐漸提高,GaN、GaAs等化合物半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn),傳統(tǒng)硅工藝器件逐漸被取代,預(yù)計到2025年,化合物半導(dǎo)體將占據(jù)射頻器件市場份額的80%以上。
2019-06-13 04:20:24
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月,投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售;同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備,負責(zé)
2015-04-02 17:26:21
刻蝕工藝以滿足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合,進行半導(dǎo)體工藝流程分析 任職要求: 1、大學(xué)本科學(xué)歷(含)以上 2、掌握半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論,制品及器件技術(shù),熟悉設(shè)備 、工藝 、 制造等相關(guān)內(nèi)容
2016-10-26 17:05:04
請問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD,單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價位???
2023-06-16 11:12:27
半導(dǎo)體設(shè)備用治具的清洗爐(Vacuum Bake Cleaner)●該設(shè)備用于去除附著在 MOCVD 托盤和零部件上的沉積物(GaN、AlN 等)。采用潔凈氣體的干式清洗法,因此不需要濕法后道處
2022-01-14 14:21:00
中圖儀器NS系列沉積薄膜高度臺階儀能夠測量納米到330μm或1050μm的臺階高度,可以準確測量蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料。NS系列沉積薄膜高度臺階儀主要
2024-10-09 15:59:48
半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中,為了對所使用的材料賦與某種特性,在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用,假如
2009-03-06 17:14:58
6630 
半導(dǎo)體藥液單元(Chemical Delivery Unit, CDU)是半導(dǎo)體前道工藝(FEOL)中的關(guān)鍵設(shè)備,用于精準分配、混合和回收高純化學(xué)試劑(如蝕刻液、清洗液、顯影液等),覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點,ALD(原子層淀積)技術(shù)早從21世紀初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù),但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展
2018-02-13 03:16:00
27388 泛林集團宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝,標志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS? 產(chǎn)品系列又添新成員。通過業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢(LFW) ALD 工藝,ALTUS Max
2018-05-24 17:19:00
3486 沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個非常重要的技術(shù),其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié),以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設(shè)中,晶圓廠80%的投資用于購買設(shè)備。其中,薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一,占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:10
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半導(dǎo)體單晶和薄膜制造技術(shù)說明。
2021-04-08 13:56:51
39 說明:若有考慮不周,歡迎留言指正。 原子層沉積在半導(dǎo)體先進制程的應(yīng)用 隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷提高,晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小,溝槽及其側(cè)壁的鍍膜技術(shù)面臨嚴峻的挑戰(zhàn),物理氣相沉積(PVD
2021-04-17 09:43:21
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業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等,其中ALD屬于CVD的一種,屬于當(dāng)下最先進的薄膜沉積技術(shù)。
2021-09-03 11:12:42
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Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項新研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù),用于在晶圓級上從多種材料中創(chuàng)建三維微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)基于通過原子層沉積(ALD)工藝在空腔中將微米級粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:23
3303 薄膜沉積設(shè)備介紹
2022-06-22 15:22:17
11 在高精密的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,一些重要的流體系統(tǒng)組件質(zhì)量是成本門檻。例如,在原子層沉積 (ALD) 和原子層蝕刻 (ALE) 工藝中,—隨著工藝節(jié)點變得越來越小而日益難以維持—,系統(tǒng)中使用的任何組件均應(yīng)
2022-09-02 13:19:01
3988 
盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司對其300mm Ultra Fn立式爐干法工藝平臺進行了功能擴展,研發(fā)出新型Ultra Fn A立式爐設(shè)備。該設(shè)備的熱原子層沉積(ALD)功能豐富了盛美上海立式爐系列設(shè)備的應(yīng)用。首臺Ultra Fn A立式爐設(shè)備已于9月底運往中國一家先進的邏輯制造商。
2022-11-01 09:18:15
2626 由于 ALD 技術(shù)逐層生長薄膜的特點,所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力,以及極高的沉積均勻性和一致性,同時可以較好她控制其制備薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu),因此被廣泛地應(yīng)用在微電子領(lǐng)域。
2022-11-07 10:43:16
9426 Hannover(簡稱:LZH)合作開發(fā)了一種新的空間ALD系統(tǒng),該系統(tǒng)實現(xiàn)“以前所未有的速度在復(fù)雜形狀的光學(xué)元件上涂覆薄膜層”。 Beneq的ALD系統(tǒng)(稱為C2R)可實現(xiàn)高達200 rpm的速度,沉積速率高達1 μm/h。LZH指出,ALD是一種自限性和各向同性工藝,每個周期產(chǎn)生大約1埃的層厚度。這
2022-12-22 16:30:24
5590 ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法,能夠?qū)崿F(xiàn)納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:05
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近日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,上交所股票代碼:688012)推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)設(shè)備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設(shè)備多年、在半導(dǎo)體薄膜沉積領(lǐng)域取得的新突破,也是實現(xiàn)公司業(yè)務(wù)多元化增長的新動能。
2023-05-17 17:08:41
1677 。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺,在
2023-05-26 16:36:51
6033 薄膜電容是指將金屬膜或半導(dǎo)體薄膜沉積在絕緣基板上,然后制成電容器。這種電容器具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕、可靠性高等特點,被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備領(lǐng)域。本文將從薄膜電容的基本原理、制備工藝、應(yīng)用領(lǐng)域等方面進行介紹。
2023-05-31 14:24:55
6920 原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:21
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韞茂科技成立于2018年,致力于成為平臺形態(tài)的納米級薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03
1598 在半導(dǎo)體制造過程中,每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術(shù)難點多,操作復(fù)雜。
2023-06-28 16:54:06
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在半導(dǎo)體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積”工藝呢?
2023-06-29 16:58:37
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在前幾篇文章(點擊查看),我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到,為制作巧克力夾心,需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分,然后倒入巧克力糖漿,再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17
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和在刻蝕工藝中一樣,半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如,降低壓強,沉積速率就會放慢,但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因為,壓強低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:40
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在半導(dǎo)體制造過程中,每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術(shù)難點多,操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:55
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薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜,使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:48
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在半導(dǎo)體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積”工藝呢?
2023-08-17 15:33:27
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熱點新聞 1、傳日本更可能實施對光刻/薄膜沉積設(shè)備的出口管制 據(jù)報道,隨著日本對華半導(dǎo)體設(shè)備出口禁令于7月23日正式生效,業(yè)內(nèi)普遍想知道這將對中國半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生的影響。此次出口管制共計23品類半導(dǎo)體
2023-08-28 16:45:01
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面對真空鍍膜多元的應(yīng)用市場,鍍膜技術(shù)的發(fā)展也從傳統(tǒng)的蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)技術(shù),相繼發(fā)展出PECVD、ALD原子層沉積技術(shù)、磁控濺射技術(shù)等等,技術(shù)地位日益凸顯。本報告嘉賓來自國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)無錫邑
2023-10-18 11:33:44
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半導(dǎo)體檢測設(shè)備行業(yè)專題報告
2023-01-13 09:06:48
6 半導(dǎo)體硅片行業(yè)深度報告
2023-01-13 09:06:49
8 半導(dǎo)體行業(yè)深度報告
2023-01-13 09:06:51
19 半導(dǎo)體設(shè)備系列研究-薄膜沉積設(shè)備
2023-01-13 09:06:52
11 行業(yè)專題報告_半導(dǎo)體檢測設(shè)備行業(yè)專題報告
2023-01-13 09:07:46
4 半導(dǎo)體前端工藝(第五篇):沉積——“更小、更多”,微細化的關(guān)鍵
2023-11-27 16:48:42
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薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類,目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜,廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18
7931 薄膜電容是一種常見的電子元件,其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)對其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)進行詳細的介紹
2024-01-10 15:41:54
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薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類
2024-03-28 14:22:41
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在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,韓國半導(dǎo)體廠商周星工程(Jusung Engineering)憑借其最新研發(fā)的原子層沉積(ALD)技術(shù),再次在全球半導(dǎo)體行業(yè)中引起了廣泛關(guān)注。據(jù)韓媒報道,這項技術(shù)能夠在生產(chǎn)先進工藝芯片時顯著降低極紫外光刻(EUV)工藝步驟的需求,為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域帶來了革命性的突破。
2024-07-17 10:25:08
2435 半導(dǎo)體靶材是半導(dǎo)體材料制備過程中的重要原料,它們在薄膜沉積、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等多種技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將詳細介紹半導(dǎo)體靶材的種類以及它們在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的作用和意義。
2024-09-02 11:43:25
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挑戰(zhàn) 薄膜沉積技術(shù)應(yīng)用于多種市場,例如 MEMS、半導(dǎo)體、光伏、OLED 顯示屏和用于 5G 通信的射頻濾波器。 新型復(fù)雜材料系統(tǒng)具有越來越重要的材料特性,這就要求對薄膜沉積技術(shù)進行不斷擴展和質(zhì)量
2024-09-19 06:22:28
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半導(dǎo)體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術(shù)的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料,它們在芯片的各個層次中發(fā)揮著不同的作用,如導(dǎo)電、絕緣、保護等。薄膜的質(zhì)量直接影響到芯片的性能、可靠性和成本。
2024-10-31 15:57:45
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Hello,大家好,今天來分享下半導(dǎo)體FAB中常見的五種CVD工藝。 化學(xué)氣相沉積(CVD)主要是通過利用氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。在 CVD 工藝過程中,化合物會進行充分
2025-01-03 09:47:34
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? 本文介紹了什么是原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)。 1.原理:基于分子層級的逐層沉積 ALD 是一種精確的薄膜沉積技術(shù),其核心原理是利用化學(xué)反應(yīng)的“自限性
2025-01-17 10:53:44
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在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進步的領(lǐng)域,每一項技術(shù)都承載著推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)工藝,作為一種先進的薄膜沉積技術(shù),正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會用到ALD工藝,并分析其獨特優(yōu)勢和應(yīng)用場景。
2025-01-20 11:44:44
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ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù),它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補又相輔相成,未來在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:54
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在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺上,每一項技術(shù)都是推動行業(yè)躍進的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成為半導(dǎo)體工藝中不可或缺的核心要素。本文旨在深度剖析為何半導(dǎo)體制造對ALD技術(shù)情有獨鐘,并揭示其獨特魅力及廣泛應(yīng)用。
2025-01-24 11:17:21
1922 多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:12
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定向沉積在晶圓表面,從而構(gòu)建高精度的金屬互連結(jié)構(gòu)。 從鋁到銅,芯片互連的進化之路: 隨著芯片制造工藝不斷精進,芯片內(nèi)部的互連線材料也從傳統(tǒng)的鋁逐漸轉(zhuǎn)向銅。半導(dǎo)體鍍銅設(shè)備因此成為芯片制造中的“明星設(shè)備”。 銅的優(yōu)勢:銅導(dǎo)線擁有更低的電阻,可以有效降低芯片
2025-05-13 13:29:56
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半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異:定義與目標半導(dǎo)體外延核心特征:在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜(外延層),強調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:06
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