Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項(xiàng)新研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)，用于在晶圓級上從多種材料中創(chuàng)建三維微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)基于通過原子層沉積（ALD）工藝在空腔中將微米級粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:23
3303 的工藝相比，溶解臭氧顯著提高了產(chǎn)率。另外還表明，稀釋化學(xué)物質(zhì)和原位高頻/干燥是先進(jìn)IC制造中成功沉積晶圓加工所需的關(guān)鍵因素。以下研究提供了證明在干燥機(jī)中一步稀釋現(xiàn)場高頻的數(shù)據(jù)和過程。
2022-04-12 13:25:491227 
評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司，是一家面向全球的高端設(shè)備制造商，專注于先進(jìn)薄膜沉積裝備的開發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和服務(wù)。微導(dǎo)的業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、新能源、柔性電子和納米技術(shù)等工業(yè)領(lǐng)域。公司以原子層沉積技術(shù)為核心
2022-09-26 18:06:132509 ALD是Atomic Layer Deposition（原子層沉積）的縮寫，是通過重復(fù)進(jìn)行材料供應(yīng)（前體）和排氣，利用與基板之間的表面反應(yīng)，分步逐層沉積原子的成膜方式。
2022-10-11 10:04:002016 由于 ALD 技術(shù)逐層生長薄膜的特點(diǎn)，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性和一致性，同時(shí)可以較好她控制其制備薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu)，因此被廣泛地應(yīng)用在微電子領(lǐng)域。
2022-11-07 10:43:169426 快速、高均勻性和卓越的涂層質(zhì)量——這些特性是物理氣相沉積、原子層沉積（ALD）等工藝的追求。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，總部位于芬蘭的ALD系統(tǒng)和工藝開發(fā)商Beneq和Laser Zentrum
2022-12-22 16:30:245590 現(xiàn)有的原子層沉積技術(shù)氮摻雜過程需要在氮?dú)獾入x子體的高溫條件下進(jìn)行，但是高溫環(huán)境下的薄膜生長會(huì)引起電池正極和負(fù)極材料的相變和分解。雖然有研究指出低溫條件下在氨氣環(huán)境中可以實(shí)現(xiàn)氮摻雜的原子層沉積，但是同時(shí)會(huì)顯著增加氨氣尾氣處理的設(shè)備成本和維護(hù)難度以及安全風(fēng)險(xiǎn)。
2023-01-16 14:09:131872 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢。
2023-02-16 14:36:541256 濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下，使氬氣進(jìn)行輝光放電，這時(shí)氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)，氬離子在電場力的作用下加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會(huì)被濺射出來而沉積到工件表面。
2023-02-24 09:51:097303 。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲(chǔ)器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺(tái)，在
2023-05-26 16:36:516033 在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:125207 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:223677 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:051666 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:215604 
這里所說的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm，百萬分之一米）、無法通過普通機(jī)械加工方法制造出來的“膜”。將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過程就是“沉積”。
2022-07-14 09:27:391467 
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺(tái)形態(tài)的納米級薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:031598 越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。僅需一個(gè)工藝步驟，Coronus DX可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強(qiáng)大的保護(hù)
2023-06-29 10:08:271399 和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會(huì)通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:404230 
關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。僅需一個(gè)工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過程中
2023-07-05 00:39:291079 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:4817165 
該研究首次應(yīng)用紫外光輔助原子層沉積（UV-ALD）技術(shù)于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉積Al2O3薄膜在石墨烯場效應(yīng)晶體管（GFETs）中的應(yīng)用。在ALD過程中進(jìn)行5秒最佳紫外照射，導(dǎo)致在石墨烯表面上沉積出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:371228 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:272485 
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:221648 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片
2023-09-27 08:35:497024 
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