摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
1330 
CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜生長的過程，較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性，使 CVD 技術(shù)被越來越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無機(jī)阻擋層的制備。
2025-05-14 10:18:571205 
原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應(yīng)，提供原子級控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士 分享了他對這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝
2021-02-08 10:53:009515 
原子層沉積技術(shù)（Atomic layer deposition， ALD）近年在集成電路制程設(shè)備產(chǎn)業(yè)中受到相當(dāng)大的矚目，對比于其他在線鍍膜系統(tǒng)，原子層沉積技術(shù)具有更優(yōu)越的特點(diǎn)，如絕佳的鍍膜批覆性以及
2021-02-05 15:23:176101 
單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:002261 進(jìn)行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。
2022-10-11 09:12:592651 薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯片制作工藝流程來說，位于前道工藝中。 隨著
2024-11-01 11:08:074395 泛林集團(tuán) （Nasdaq:LRCX） 宣布推出一款全新的工藝方案——先進(jìn)的Striker? FE平臺——用于制造高深寬比的芯片架構(gòu)。S
2020-09-23 11:50:101012 沉積技術(shù)是推進(jìn)存儲器件進(jìn)步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn)，現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。
2021-02-22 14:15:182571 聽上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么？ 簡單來說：薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。 薄膜沉積（Thin Film Deposition）是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜，再配合蝕刻和拋光等工藝
2025-04-16 14:25:091064 
比較厚的金屬或合金薄膜[2]。應(yīng)用于MEMS器件中的微電鍍與以防腐和美觀為目的的普通電鍍原理一樣，同屬于電化學(xué)范疇，除膜厚度不受限制外，它還具有生產(chǎn)周期短、設(shè)備簡單、易于操作等優(yōu)點(diǎn)，可以大大降低MEMS工藝薄膜沉積的成本，有利于產(chǎn)業(yè)化。
2019-07-04 08:14:01
的解決方案 泛林集團(tuán)通過其獨(dú)有的Durendal?工藝解決這一問題。該工藝可以產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)、光滑的大型銅柱頂部表面，整個(gè)晶圓上的大型銅柱高度也非常均勻。整套Durendal?工藝可以在SABRE? 3D設(shè)備上
2020-07-07 11:04:42
）110100100010-910-310-410-510-610-710-110-210-310-410-510110-110-210-3103102101 另一方面，在濺射工藝中，沉積速率一般比蒸發(fā)低2個(gè)數(shù)量級，而壓力比蒸發(fā)高4個(gè)數(shù)量級，因此所沉積的薄膜含有較高的氧。正是這個(gè)原因?yàn)R射不像蒸發(fā)那樣被認(rèn)為是一種清潔的薄膜制備方法
2016-12-08 11:08:43
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:16:04
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:20:28
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:24:02
推出Dual Beam FIB-SEM制樣業(yè)務(wù)，并介紹Dual Beam FIB-SEM在材料科學(xué)領(lǐng)域的一些典型應(yīng)用，包括透射電鏡( TEM)樣品制備，材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積以及
2017-06-28 16:45:34
。 5.納米操縱手：用于超薄樣品（納米級）固定轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微
2017-06-28 16:40:31
。 5.納米操縱手：用于超薄樣品（納米級）固定轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微
2017-06-28 16:50:34
轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料
2017-06-29 14:08:35
太陽能電池可分為三類：單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池和薄膜太陽能電池三種。非晶硅薄膜就是相對于單晶硅和多晶硅來說的。薄膜太陽電池作為一種新型太陽能電池，由于其原材料來源廣泛、生產(chǎn)成本低、便于大規(guī)模
2016-01-29 15:46:43
應(yīng)用材料((Applied Materials Inc., AMAT)公司日前宣布在Endura Volta CVD Cobalt系統(tǒng)中通過化學(xué)氣相沉積方法，在銅互連工藝中成功實(shí)現(xiàn)鈷薄膜沉積。這一
2014-07-12 17:17:04
請問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位啊？
2023-06-16 11:12:27
，而且往往會充填到板厚度的100％以上。本章的網(wǎng)板設(shè)計(jì)部分將提供用于焊接定位孔的另一種可 行方法。 根據(jù)生產(chǎn)的特定組件，可使用不同的工藝步驟。最便利和最高成本效益的工藝是設(shè)計(jì)一個(gè)同時(shí)適合 SMC和異形
2018-11-22 11:01:02
中圖儀器NS系列沉積薄膜高度臺階儀能夠測量納米到330μm或1050μm的臺階高度，可以準(zhǔn)確測量蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料。NS系列沉積薄膜高度臺階儀主要用于
2024-10-09 15:59:48
半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:586630 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結(jié)晶軸方向，生長一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:4110170 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展
2018-02-13 03:16:0027388 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其自維護(hù)設(shè)備創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率的新標(biāo)桿。通過與領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商合作，泛林集團(tuán)成功實(shí)現(xiàn)了刻蝕工藝平臺全年無間斷運(yùn)行。
2019-05-15 17:49:271505 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:324666 沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個(gè)非常重要的技術(shù)，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個(gè)新晶圓投資建設(shè)中，晶圓廠80%的投資用于購買設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一，占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:108180 
）及化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝已經(jīng)無法滿足極小尺寸下良好的臺階覆蓋要求，而控制納米級別厚度的高質(zhì)量超薄膜層制備也成為技術(shù)難點(diǎn)。 原子層沉積（ALD）是一種可以將物質(zhì)以單原子膜的形式，一層一層鍍在基底表面的先進(jìn)沉積技術(shù)。一個(gè)
2021-04-17 09:43:2123544 
業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD屬于CVD的一種，屬于當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。
2021-09-03 11:12:421617 
薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍(lán)寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線，最后進(jìn)行封裝而成的。 集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類，為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD
2021-12-22 16:41:069492 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間或者在
2022-02-15 11:11:144832 
摘要 本文的目的是建立科技鎖的技術(shù)水平，必須打開科技鎖才能將直接大氣壓等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(AP-PECVD)視為工業(yè)應(yīng)用的可行選擇?？偨Y(jié)了理解和優(yōu)化等離子體化學(xué)氣相沉積工藝的基本科學(xué)原理。回顧
2022-02-21 16:50:113094 
Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項(xiàng)新研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)，用于在晶圓級上從多種材料中創(chuàng)建三維微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)基于通過原子層沉積（ALD）工藝在空腔中將微米級粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:233303 ; 1000個(gè)氮化物顆?！?。然而，它沒有規(guī)定用于Si，N4顆粒的沉積技術(shù)。用于在硅測試晶片上沉積Si，N的兩種常用方法是氣溶膠沉積技術(shù)或濕浸沉積技術(shù)。迄今為止，文獻(xiàn)中還沒有報(bào)道過這兩種Si3*4沉積方法之間
2022-05-25 17:11:382023 
加利福尼亞州圣克拉拉——應(yīng)用材料公司宣布推出一種全新系統(tǒng)，可改進(jìn)晶體管布線沉積工藝，從而大幅降低電阻，突破了芯片在性能提升和功率降低兩方面所面臨的重大瓶頸。
2022-06-02 15:50:542152 薄膜沉積設(shè)備介紹
2022-06-22 15:22:17
11 在高精密的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，一些重要的流體系統(tǒng)組件質(zhì)量是成本門檻。例如，在原子層沉積 (ALD) 和原子層蝕刻 (ALE) 工藝中，—隨著工藝節(jié)點(diǎn)變得越來越小而日益難以維持—，系統(tǒng)中使用的任何組件均應(yīng)
2022-09-02 13:19:013988 
起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實(shí)現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，
2022-10-14 17:12:591447 
物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如真空蒸發(fā)、濺射 （Sputtering）鍍膜、離子體鍍膜和分子束外延等，在圓片表面形成薄膜。
2022-11-03 15:32:2011934 化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應(yīng)物在一定溫度和氣壓下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的固態(tài)物質(zhì)沉積在襯底材料表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術(shù)。
2022-11-04 10:56:0614460 由于 ALD 技術(shù)逐層生長薄膜的特點(diǎn)，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性和一致性，同時(shí)可以較好她控制其制備薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu)，因此被廣泛地應(yīng)用在微電子領(lǐng)域。
2022-11-07 10:43:169426 來源：泛林集團(tuán) 泛林集團(tuán)擴(kuò)大異構(gòu)半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合，用于下一代基板和面板級先進(jìn)封裝工藝 北京時(shí)間2022年11月18日——泛林集團(tuán) (Nasdaq：LRCX) 近日宣布已從Gruenwald
2022-11-21 16:43:021593 Hannover（簡稱：LZH）合作開發(fā)了一種新的空間ALD系統(tǒng)，該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)“以前所未有的速度在復(fù)雜形狀的光學(xué)元件上涂覆薄膜層”。 Beneq的ALD系統(tǒng)（稱為C2R）可實(shí)現(xiàn)高達(dá)200 rpm的速度，沉積速率高達(dá)1 μm/h。LZH指出，ALD是一種自限性和各向同性工藝，每個(gè)周期產(chǎn)生大約1埃的層厚度。這
2022-12-22 16:30:245590 現(xiàn)有的原子層沉積技術(shù)氮摻雜過程需要在氮?dú)獾入x子體的高溫條件下進(jìn)行，但是高溫環(huán)境下的薄膜生長會引起電池正極和負(fù)極材料的相變和分解。雖然有研究指出低溫條件下在氨氣環(huán)境中可以實(shí)現(xiàn)氮摻雜的原子層沉積，但是同時(shí)會顯著增加氨氣尾氣處理的設(shè)備成本和維護(hù)難度以及安全風(fēng)險(xiǎn)。
2023-01-16 14:09:131872 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢。
2023-02-16 14:36:541256 ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:056836 
。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:516033 來源：泛林集團(tuán) “先人后機(jī)”策略將降低半導(dǎo)體工藝開發(fā)成本，并加快創(chuàng)新的步伐 近期全球最具權(quán)威性的科學(xué)期刊Nature雜志發(fā)表了近150年來最激動人心且極具突破性的研究：《改進(jìn)半導(dǎo)體工藝開發(fā)的人機(jī)協(xié)作
2023-05-31 19:59:29699 
在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:125207 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:223677 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:051666 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:215604 
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺形態(tài)的納米級薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:031598 近日，泛林集團(tuán)推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得
2023-06-29 10:08:271399 在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:371956 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:172560 
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:404230 
近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片
2023-07-05 00:39:291079 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:4817165 
該研究首次應(yīng)用紫外光輔助原子層沉積（UV-ALD）技術(shù)于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉積Al2O3薄膜在石墨烯場效應(yīng)晶體管（GFETs）中的應(yīng)用。在ALD過程中進(jìn)行5秒最佳紫外照射，導(dǎo)致在石墨烯表面上沉積出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:371228 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:272485 
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:221648 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片
2023-09-27 08:35:497024 已全部加載完成
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