東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設(shè)備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:12
1099 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻,比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14
1126 
描述TI 設(shè)計 TIDA-00449 是一種即時可用并經(jīng)過測試的硬件平臺,適用于電動工具 10 節(jié)串聯(lián)電池組的監(jiān)控、平衡和保護。電動工具越來越多地使用高功率密度的基于鋰離子或磷酸鐵鋰電池的電池組
2018-10-09 09:04:58
為正時,它充當增強型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地,漏極連接到負載,當柵極施加正電壓時,F(xiàn)ET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
描述此 TI 驗證設(shè)計可提供適用于汽車電池組監(jiān)測應(yīng)用的原理、組件選擇、TINA-TI 仿真、驗證和測量性能、Altium 原理圖、PCB 布局。此設(shè)計采用通過汽車 AEC-Q100 認證的 12 位
2022-09-19 08:10:11
MOSFET 采用 100%銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅固耐用,提供較高的板級可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業(yè)和消費類應(yīng)用?!?具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統(tǒng)應(yīng)用
2022-10-28 16:18:03
溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開關(guān),特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離反激式轉(zhuǎn)換器。在同步整流器應(yīng)用以及以太網(wǎng)供電(PoE)輸入整流器中,低側(cè)開關(guān)也被用來代替二極管作為整流器。P溝道
2018-03-03 13:58:23
型號:SLN30N03T電壓:30V 電流:30A封裝:DFN3*3-8種類:絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝,SLN30N03T庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù):公司免費提供樣品,并提供產(chǎn)品運用的技術(shù)支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
,保證充電安全、充分利用。在存儲器中,低備用電流從電池中漏出的電流很少。該設(shè)備不僅適用于數(shù)字移動電話,還適用于其他需要長期電池壽命的鋰離子和鋰聚電池供電的信息設(shè)備。特性·保護充電器反向連接·保護電池反向
2019-11-19 19:37:59
通;P溝道MOSFET通過施加給定的負的柵-源極電壓導通。MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。例如,N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開關(guān),特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:09
29 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52
729 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容,新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:16
1310 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關(guān),以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開
2010-09-20 08:59:09
1458 ”)在其DTMOSVI系列新一代650 V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET中推出四款新產(chǎn)品——“TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z”,它們適用于數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電機
2022-03-18 17:35:26
5832 了適用于頭燈控制開關(guān)等車載小型設(shè)備的N溝道30V MOSFET器件——SSM6K809R,該器件通過東芝新型工藝技術(shù)設(shè)計把設(shè)備功耗深度壓縮。
2022-08-26 11:01:07
1847 設(shè)計適用于2S電池組的電池電量計
2022-11-03 08:04:34
3 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX300UNE
2023-02-09 21:20:22
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCB60XNE
2023-02-10 18:40:31
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB50ENE
2023-02-14 18:50:53
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV52ENE
2023-02-15 18:45:51
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV28ENE
2023-02-15 18:46:23
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN5R4-30QL
2023-02-16 20:49:26
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
2023-02-16 20:49:46
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BSH103BK
2023-02-16 21:23:02
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50XNEA
2023-02-17 18:43:04
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN018-30QL
2023-02-17 18:48:16
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN9R0-30QL
2023-02-17 18:48:35
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN8R3-30QL
2023-02-17 19:14:14
1 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R7-30QL
2023-02-17 19:14:46
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN017-30QL
2023-02-17 19:15:19
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN010-30QL
2023-02-17 19:15:34
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV25ENEA
2023-02-17 19:16:27
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMXB56EN
2023-02-17 19:16:51
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-山毛櫸4D60-30
2023-02-17 19:56:41
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV15ENEA
2023-02-20 19:51:41
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV28ENEA
2023-02-20 19:52:40
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV52ENEA
2023-02-20 19:54:07
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D72-30E
2023-02-20 19:57:14
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D38-30E
2023-02-20 20:01:04
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D22-30E
2023-02-20 20:02:25
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN25ENEA
2023-02-20 20:06:28
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB29XNEA
2023-02-21 18:52:18
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB13XNEA
2023-02-21 18:52:32
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20ZH
2023-02-21 19:17:40
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB11EN
2023-02-21 19:17:54
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV20CN
2023-02-21 19:19:00
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB25ENE
2023-02-21 19:31:44
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN25ENE
2023-02-21 19:34:42
0 20 V、共漏極 N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM650CUNE
2023-02-23 19:09:28
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB200UNE
2023-02-27 19:01:40
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ390UNE
2023-02-27 19:02:47
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV90ENE
2023-02-27 19:11:21
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV42ENE
2023-02-27 19:11:44
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENE
2023-02-27 19:13:23
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:54
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ370UNE
2023-03-02 22:49:33
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV20XNE
2023-03-02 22:54:25
0 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:59
0 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝,可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32
2107 共漏極N溝道MOSFET,用于鋰離子(Li-ion)電池組(例如移動設(shè)備電池組)的電池保護電路中。今天開始發(fā)貨。
2023-05-19 10:20:07
1666 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET,適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22
1294 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10
1320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N溝道溝槽MOSFET PMF250XNE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:48:47
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V,雙N溝道溝槽MOSFET PMGD175XNE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:47:31
0 全球知名半導體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
1480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-02 11:25:41
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-01-23 16:33:41
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:16:45
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-20 16:29:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2002EFOL帶ESD保護的共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-28 17:14:34
5 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2002EFOO帶ESD保護的共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-28 17:15:31
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2002EFOQA帶ESD保護的共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 16:50:40
0 NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N溝道MOSFET納祥科技NX7010是一款30V20A雙N溝道MOSFET,它的工作原理是基于柵
2025-03-21 15:33:20
782 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8818EFXT 12V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-25 17:40:26
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-26 15:54:10
0 CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設(shè)計。這款 SON 3.3 × 3.3 mm 器件具有低漏極到漏極導通電阻,可最大限度地減少損耗,并為空間受限的應(yīng)用提供較少的元件數(shù)量。
2025-04-15 17:02:16
829 
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設(shè)計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導通電阻,可最大限度地減少損耗,并為空間受限的應(yīng)用提供低元件數(shù)量。
2025-04-16 09:55:06
835 
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26
971 
圣邦微電子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:52
2293 
仁懋電子(MOT)推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性,廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效
2025-11-03 16:33:23
497 
仁懋電子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC
2025-11-05 16:01:03
243 
仁懋電子(MOT)推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如
2025-11-06 15:44:22
308 
仁懋電子(MOT)推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強型MOSFET,憑借30V耐壓、超低導通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:12:40
306 
仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC
2025-11-11 09:18:36
255 
仁懋電子(MOT)推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝,適用于便攜設(shè)備、電池
2025-11-11 09:29:03
207 
選型手冊:MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子(MOT)推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性,適用于
2025-11-18 16:08:14
326 
仁懋電子(MOT)推出的MOT3510G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及高效散熱封裝,適用于SMPS(開關(guān)模式電源)、通用用途電路、硬
2025-11-20 15:06:47
212 
仁懋電子(MOT)推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-20 15:31:06
161 
仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-11-20 16:22:54
305 
仁懋電子(MOT)推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET,憑借-30V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力,適用于PWM應(yīng)用、負載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P溝道
2025-11-21 10:31:06
233 
仁懋電子(MOT)推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借2.4mΩ超低導通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝,適用于功率開關(guān)應(yīng)用、硬開關(guān)高頻
2025-11-21 10:46:19
184 
威兆半導體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,具備快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率,憑借低導通電阻與高可靠性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負載開關(guān)等低壓
2025-11-26 15:21:16
231 
威兆半導體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,憑借低導通電阻與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步
2025-11-27 14:53:22
201 
,適用于低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高功率負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\
2025-11-27 16:41:49
392 
威兆半導體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載
2025-11-27 16:52:11
394 
威兆半導體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-28 12:07:44
160 
威兆半導體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場景的共漏極雙通道N溝道增強型功率MOSFET,支持2.0V邏輯電平控制,采用SOT23-6L封裝,適配小型化低壓雙路電源的負載開關(guān)、電源通路控制
2025-12-18 17:40:30
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