在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)仰賴(lài)制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來(lái)的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來(lái)面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。FinFET會(huì)是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)最佳選項(xiàng)？
2014-04-01 09:07:47
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在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀(guān)念里，半導(dǎo)體廠(chǎng)商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:224208 日前，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源
2017-01-13 09:27:373582 目前為止，在日常生活中使用的每一個(gè)電氣和電子設(shè)備中，都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導(dǎo)體材料(例如硅和其他半導(dǎo)體化合物)組成的晶片上創(chuàng)建的，其中包括光刻和化學(xué)工藝的多個(gè)步驟。
2022-09-22 16:04:444357 
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來(lái)講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:101860 本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時(shí)工藝面臨的影響。
2025-05-21 10:51:383433 
本人5年工作經(jīng)驗(yàn)，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)相關(guān)工作，工藝方面對(duì)拋光、切割比較精通，使用過(guò)NTS/DISCO/HANS等設(shè)備，熟悉設(shè)備參數(shù)設(shè)置，工藝改善等，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面熟悉新產(chǎn)品導(dǎo)入流程。目前本人已經(jīng)離職，尋找四川境內(nèi)相關(guān)工作，如有機(jī)會(huì)請(qǐng)與我聯(lián)系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
1、半導(dǎo)體的工藝尺寸在我們談到半導(dǎo)體工藝尺寸的時(shí)候，通常對(duì)于下面的一串?dāng)?shù)字耳熟能詳：3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um
2017-01-06 14:46:20
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
本人接觸質(zhì)量工作時(shí)間很短，經(jīng)驗(yàn)不足，想了解一下，在半導(dǎo)體行業(yè)中，由于客戶(hù)端使用問(wèn)題造成器件失效，失效率為多少時(shí)會(huì)接受客訴
2024-07-11 17:00:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒(méi)有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導(dǎo)體二極管、三極管詳解，需要完整版的朋友可以下載附件保存~
2022-01-06 10:43:01
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時(shí)期。第一個(gè)晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個(gè)制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段，半導(dǎo)體制造商重點(diǎn)在工藝技術(shù)的改進(jìn)，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
等公司是這一歷史階段的先驅(qū)。現(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實(shí)施和工藝技術(shù)。在這個(gè)階段，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計(jì)限制，出現(xiàn)了一個(gè)更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計(jì)和構(gòu)建定制
2024-03-13 16:52:37
公司是這一歷史階段的先驅(qū)。現(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實(shí)施和工藝技術(shù)。在這個(gè)階段，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計(jì)限制，出現(xiàn)了一個(gè)更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計(jì)和構(gòu)建定制
2024-03-27 16:17:34
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類(lèi)集成電路的四大類(lèi)
2021-02-24 07:52:52
大家好！ 附件是半導(dǎo)體引線(xiàn)鍵合清洗工藝方案，請(qǐng)參考，謝謝！有問(wèn)題聯(lián)系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
摘要：半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是，通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之問(wèn)，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)之間，實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)處于粒、子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí)，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。
2021-01-12 10:20:39
半導(dǎo)體激光器又稱(chēng)激光二極管，是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。它具有體積小、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)，并可采用簡(jiǎn)單的注入電流的方式來(lái)泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。
2020-08-11 07:35:44
，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話(huà)或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
非常復(fù)雜，尤其是其最核心的微型單元——成千上萬(wàn)個(gè) 晶體管 。我們就來(lái)為大家詳解一下半導(dǎo)體芯片集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。一般的，我們用從大到小的結(jié)構(gòu)層級(jí)來(lái)認(rèn)識(shí)集成電路，這樣會(huì)更好理解。01系統(tǒng)級(jí)我們還是以手機(jī)為例
2020-11-17 09:42:00
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
`半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用
2016-11-27 22:34:51
此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝已針對(duì)r
2024-06-20 20:19:51
N型半導(dǎo)體也稱(chēng)為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體?！?在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-14 15:11:56
梁德豐，錢(qián)省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過(guò)程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過(guò)程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)
2018-08-29 10:28:14
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線(xiàn) (NW) 由于其沿納米線(xiàn)軸對(duì)電子和光子
2021-07-09 10:20:13
的解決漏電流問(wèn)題，在源極和漏極之間的電流路徑的溝道中控制平面的數(shù)量被增加到3個(gè)，以抑制漏電流。
GAA：結(jié)構(gòu)中有4個(gè)控制平面，與FinFET相比，漏電流問(wèn)題進(jìn)一步減小，在先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)高效率
2025-09-15 14:50:58
和模型 產(chǎn)品應(yīng)用 先進(jìn)半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā) PDK/SPICE模型庫(kù)開(kāi)發(fā) SPICE模型驗(yàn)證和定制 技術(shù)指標(biāo) 支持器件類(lèi)型：MOSFET， SOI， FinFET， BJT/HBT， TFT
2020-07-01 09:36:55
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本。 然而，所使用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開(kāi)關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
作者：Manuel Mota，Synopsys產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理介紹半導(dǎo)體行業(yè)不斷演變，旨在滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)移動(dòng)設(shè)備和數(shù)字家庭等領(lǐng)域中每一代新產(chǎn)品的多方面需求，包括更多功能、性能、電池壽命和更低成本。半導(dǎo)體
2019-07-17 06:21:02
際此萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的來(lái)臨，圖像傳感可說(shuō)是促進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的一個(gè)重要接口，是萬(wàn)物之“眼”。安森美半導(dǎo)體寬廣的成像和像素技術(shù)和圖像傳感器陣容，配以公司在成像領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)超越人眼界限的創(chuàng)新
2019-07-25 06:36:49
全球汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展整體向好，汽車(chē)中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車(chē)身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車(chē)推動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂(lè)系統(tǒng)，以及占全球汽車(chē)銷(xiāo)售比例50%以上的新興市場(chǎng)，推動(dòng)全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)7%。
2020-05-04 06:30:06
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優(yōu)勢(shì)，換言之，SiGe不但可以直接利用半導(dǎo)體現(xiàn)有200mm晶圓制程，達(dá)到高集成度，據(jù)以創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)規(guī)模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來(lái)IDM大廠(chǎng)的投入，SiGe技術(shù)
2016-09-15 11:28:41
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書(shū)籍，作者是美國(guó)人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠(chǎng)芯片工藝的四大基本類(lèi)
2025-04-15 13:52:11
問(wèn)個(gè)菜的問(wèn)題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來(lái)個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
電力半導(dǎo)體器件的分類(lèi)
2019-09-19 09:01:01
因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中使用的藥水不同，生產(chǎn)工藝流程的差異，對(duì)純水的品質(zhì)要求也不一樣。最關(guān)鍵的指標(biāo)是：電導(dǎo)率(電阻率)，總硅，pH值，顆粒度。線(xiàn)路板、半導(dǎo)體用純水因?yàn)楸旧?b class="flag-6" style="color: red">工藝流程的不同對(duì)純水制造
2013-08-12 16:52:42
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線(xiàn)通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
本書(shū)是對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)這一技術(shù)革命中流砥柱的完美介紹，業(yè)內(nèi)權(quán)威人士Peter Van Zant先生的這本著作是一本非常通俗，適用于初學(xué)者對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體工藝處理的全面理解，讀者將了解半導(dǎo)體
2011-12-15 15:14:18
227 雖然開(kāi)發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來(lái)愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠(chǎng)們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:361193 新思科技提供其基于FinFET技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)綜合解決方案。
2013-02-18 13:20:081731 先進(jìn)工藝制程成本的變化是一個(gè)有些爭(zhēng)議的問(wèn)題。成本問(wèn)題是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，有許多因素會(huì)影響半導(dǎo)體制程成本。本文將討論關(guān)于半導(dǎo)體制程的種種因素以及預(yù)期。 晶圓成本 影響半導(dǎo)體工藝制程成本的第一個(gè)因素是晶圓成本。 毫無(wú)疑問(wèn)，晶圓成本在不斷上升。
2016-12-20 02:14:112788 
節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來(lái)的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來(lái)面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。 具體來(lái)說(shuō)，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulkhigh-Kmetalgate，HKMG)CMOS制程，與16/14奈米FinFET將催生更小
2017-07-07 11:36:11376 ，面積小的優(yōu)點(diǎn)，臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開(kāi)始計(jì)劃推出自己的FinFET晶體管［4］，為未來(lái)的移動(dòng)處理器等提供更快，更省電的處理器。從2012年起，FinFET已經(jīng)開(kāi)始向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。
2018-07-18 13:49:00123257 
根據(jù)美國(guó)德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國(guó)大學(xué)關(guān)于雙柵極FinFET半導(dǎo)體工藝的技術(shù)專(zhuān)利，必須賠償4億美元。
2018-06-22 16:28:344459 先進(jìn)半導(dǎo)體發(fā)布公告，上海積塔半導(dǎo)體有限公司與先進(jìn)半導(dǎo)體于2018年10月30日訂立合併協(xié)議，及先進(jìn)董事同意向先進(jìn)股東提出該建議，當(dāng)中涉及注銷(xiāo)全部先進(jìn)股份。
2018-10-31 16:01:224991 華大半導(dǎo)體旗下全資子公司積塔半導(dǎo)體與先進(jìn)半導(dǎo)體發(fā)布聯(lián)合聲明，雙方已于昨日正式簽訂合并協(xié)議！
2018-11-05 14:50:579308 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性詳細(xì)資料免費(fèi)下載
2018-11-08 11:05:3084 一代又一代的半導(dǎo)體晶圓工藝提升使不斷增加的IC設(shè)計(jì)密度、性能提升和功耗節(jié)省得以實(shí)現(xiàn)，但也為電路設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了許多新興的挑戰(zhàn)。包括創(chuàng)新的工藝特性，諸如FinFET晶體管等代表著向低功耗設(shè)計(jì)模式的轉(zhuǎn)變，這就需要EDA軟件在性能和精度方面也要有相應(yīng)的飛躍提升。
2020-09-08 14:06:385000 華為被禁之后，國(guó)產(chǎn)替代成了半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。作為中國(guó)最大、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)家，中芯國(guó)際被寄予厚望。 中芯國(guó)際于 2019 年實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn)，并已為華為麒麟
2020-09-30 14:24:189496 半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23116 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢(shì)。
2023-02-16 14:36:541256 本篇要講的金屬布線(xiàn)工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線(xiàn)才進(jìn)行的。在金屬布線(xiàn)過(guò)程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線(xiàn)材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:492938 
詳解半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝
2023-05-31 09:42:182317 
“封裝工藝(Encapsulation Process)”用于進(jìn)行包裝密封，是指用某種材料包裹半導(dǎo)體芯片以保護(hù)其免受外部環(huán)境影響，這一步驟同時(shí)也是為保護(hù)物件所具有的“輕、薄、短、小”特征而設(shè)計(jì)。封裝工藝
2023-06-26 09:24:3614313 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:172560 
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過(guò)程中也會(huì)通過(guò)控制溫度、壓力等不同條件來(lái)把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:404230 
半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過(guò)，而絕緣體則不允許電流通過(guò)。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:574672 
來(lái)源：ACT半導(dǎo)體芯科技 隨著我國(guó)集成電路國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的加深、下游應(yīng)用領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展以及國(guó)內(nèi)先進(jìn)封測(cè)龍頭企業(yè)工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，先進(jìn)封測(cè)行業(yè)市場(chǎng)空間將進(jìn)一步擴(kuò)大。而能否實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，是先進(jìn)
2023-07-03 15:17:341172 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
來(lái)源：ACT半導(dǎo)體芯科技 2023年8月31日 “先進(jìn)封裝技術(shù)之設(shè)計(jì)·材料·工藝新發(fā)展” 在線(xiàn)主題會(huì)議已圓滿(mǎn)結(jié)束！ 會(huì)議當(dāng)天，演講嘉賓們的精彩分享 引得在線(xiàn)聽(tīng)眾踴躍提問(wèn) 由于時(shí)間原因 很多問(wèn)題都嘉賓
2023-09-08 15:40:38877 
半導(dǎo)體劃片工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的重要步驟之一，主要用于將大尺寸的晶圓切割成小片，以便進(jìn)行后續(xù)的制造和封裝過(guò)程。以下是一些半導(dǎo)體劃片工藝的應(yīng)用：晶圓劃片：在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，需要將大尺寸的晶圓切割成
2023-09-18 17:06:191855 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:342642 
當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞，在平面工藝時(shí)都沒(méi)有接觸SHE（self-heating effect）這個(gè)概念。為什么到FinFET下開(kāi)始需要注意SHE的影響了呢？下面參考一些材料總結(jié)一下分享，如有不準(zhǔn)確的地方請(qǐng)幫指正。
2023-12-07 09:25:095110 
先進(jìn)封裝產(chǎn)品通過(guò)半導(dǎo)體中道工藝實(shí)現(xiàn)芯片物理性能的優(yōu)化或者說(shuō)維持裸片性能的優(yōu)勢(shì)，接下來(lái)的后道封裝從工序上而言與傳統(tǒng)封裝基本類(lèi)似。
2024-01-30 15:54:571638 
當(dāng)前全球半導(dǎo)體工藝水平已進(jìn)入納米級(jí)突破階段，各大廠(chǎng)商在制程節(jié)點(diǎn)、材料創(chuàng)新、封裝技術(shù)和能效優(yōu)化等方面展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)。以下是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平的詳細(xì)介紹： 一、制程工藝突破 英特爾18A（約
2025-10-15 13:58:161420 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 從事半導(dǎo)體行業(yè)的朋友都知道：隨著半導(dǎo)體工藝逼近物理極限，傳統(tǒng)制程微縮已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足高帶寬、低延遲的需求。這時(shí)候，先進(jìn)封裝技
2025-11-10 13:41:173087 
本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13451 
以前，摩爾定律是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的指南針，每?jī)赡暝谕瑯用娣e芯片上的晶體管數(shù)量就會(huì)翻一番。但現(xiàn)在，先進(jìn)工藝走到5nm后，已經(jīng)越來(lái)越難把更多的晶體管微縮，放到同樣面積的芯片上，因此先進(jìn)廠(chǎng)商除了繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律外，也需要思考其他的方式來(lái)制造更高效能的半導(dǎo)體芯片。
2020-12-18 07:14:177131
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