5月6日消息 據(jù)透露，臺積電正計劃擴大在美國亞利桑那州的投資設(shè)廠計劃，將額外興建五座晶圓廠，也就是未來三年共將在美建造六座工廠，以回應(yīng)美國的需求。對此，臺積電5月4日重申，亞利桑那州廠依原訂計劃執(zhí)行，目前規(guī)劃月產(chǎn)能2萬片。
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臺積電強調(diào)，總裁魏哲家已于4月15日的法說會中表示，亞利桑那州新廠正按照計劃執(zhí)行，于今年動工。關(guān)于市場傳言，臺積電一向不予評論。當(dāng)有任何正式?jīng)Q定，公司將予以揭露。
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臺積電指出，魏哲家在法說會時提到，臺積電在亞利桑那州已取得大范圍土地以維持彈性，進一步擴建是有可能的，但首要任務(wù)是使第一期廠房順利量產(chǎn)，然后根據(jù)營運效率、成本效益，以及客戶需求來決定下一步。
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此前，3月初便有消息稱，臺積電擴大美國新廠布局，預(yù)計在當(dāng)?shù)嘏d建六座晶圓廠，全數(shù)產(chǎn)能開出后，月產(chǎn)能將突破10萬片，并逐步從特殊制程擴至更廣泛與更多元的通訊與高速運算應(yīng)用。
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當(dāng)時業(yè)界就傳出，由于亞利桑那州廠區(qū)占地是目前臺積南科所有廠區(qū)總和二倍大， 2024年后在該區(qū)域若持續(xù)擴充，最大可建設(shè)達六個廠，將能實現(xiàn)「Mega Site」計劃。
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據(jù)外媒報導(dǎo)，臺積電去年宣布將投資120億美元在亞利桑那州建廠，目前正在鳳凰城興建12吋晶圓廠，預(yù)定2024年投產(chǎn)，但這座工廠以產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)來看相對較小，初期月產(chǎn)能為2萬片晶圓，采用5納米技術(shù)生產(chǎn)晶片。
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知情人士指出，臺積電正計劃于亞利桑那州再額外興建五座工廠，研判臺積電此舉，“應(yīng)該是美國方面有要求，也是臺積內(nèi)部規(guī)劃興建多達六座晶圓廠”，但目前還不清楚新增的工廠會額外帶來多少產(chǎn)能與投資額，也還不清楚會使用何種晶片制程。
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另一名消息人士說，“臺積電買下亞利桑那州那塊地，最多就是蓋六座晶圓廠”。至于興建時間表，知情人士說，因為有許多流程計劃要跑，所以時程還不太能確定。
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據(jù)了解，臺積電配合的協(xié)力廠商也進入緊鑼密鼓狀態(tài)，準(zhǔn)備與臺積電赴美蓋廠。一位銀行高層說，目前已知道其周邊廠商包括有做系統(tǒng)工程、負責(zé)廢水回收的業(yè)者，也要跟著去，有計劃申請貸款。
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同時一位配合臺積電赴美蓋廠的協(xié)力廠商提到，臺積電向他們提出的計劃是三年要蓋六座晶圓廠。
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由于全球最先進的半導(dǎo)體產(chǎn)能：10納米以下的制程，目前有九成都在臺灣生產(chǎn)，美國擔(dān)心受天災(zāi)或地緣政治風(fēng)險影響造成晶片供應(yīng)斷鏈，正積極爭取在亞洲以外地區(qū)建立晶片廠。除了臺積電，三星電子與英特爾都是美國積極爭取的目標(biāo)。美國提供至少300億美元的補貼。
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據(jù)外媒報道，英特爾CEO基爾辛格日前接受采訪時，除了討論芯片持續(xù)短缺，還指出英特爾將在本周宣布，將對美國新墨西哥州Rio Rancho工廠斥資35億美元進行升級。
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報道指出，Rio Rancho工廠升級為英特爾IDM 2.0計劃的一部分。 由于英特爾IDM 2.0戰(zhàn)略包括為其他客戶生產(chǎn)定制化芯片，同時擴大生產(chǎn)能力，因此積極升級工廠也屬于計劃的一部分。
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此前，英特爾已宣布200億美元的投資計劃，預(yù)計將于美國亞利桑那州興建兩座新晶圓廠，還尋求美國政府補貼措施，以進一步擴大美國工廠的產(chǎn)能。英特爾也證實投資以色列工廠100億美元。外媒報道稱，現(xiàn)階段英特爾也在尋求從歐盟獲得約100億美元補貼，準(zhǔn)備于歐洲建立新晶圓廠。
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上述報導(dǎo)強調(diào)，英特爾的新墨西哥州Rio Rancho工廠升級投資，可能包括Optane（即3D XPoint）生產(chǎn)。 唯一技術(shù)來源美光（Micron）最近也宣布，將在2021年底停止生產(chǎn)3D XPoint。美光計劃退出生產(chǎn)3D XPoint后，美光將旗下猶他州3D XPoint晶圓廠出售。除此之外，英特爾Rio Rancho工廠還預(yù)計用作Optane研究和開發(fā)中心。英特爾最初與美光合作開發(fā)3D XPoint技術(shù)，因此擁有相關(guān)技術(shù)資料，未來可能持續(xù)生產(chǎn)。Rio Rancho工廠現(xiàn)階段暫時不適用大量生產(chǎn)3D XPoint技術(shù)產(chǎn)品。
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