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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)

意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)

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半導(dǎo)體(ST)發(fā)布1200V碳化硅太陽(yáng)能解決方案

  半導(dǎo)體(ST)發(fā)佈碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果,協(xié)助系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻?yáng)能轉(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。
2012-09-19 15:59:401649

半導(dǎo)體車(chē)規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置

2023 年 10 月 30 日,中國(guó) – 半導(dǎo)體發(fā)布了ACEPACK[1] DMT-32系列車(chē)規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊,新系列產(chǎn)品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝,目標(biāo)應(yīng)用是車(chē)載
2023-10-31 15:37:592457

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿好奇,也是半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅(SiC)技術(shù)是
2023-02-24 15:03:59

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

?! OM成本比較表明,碳化硅基MOSFET充電器方案可節(jié)省15%成本  加快上市等于減少了時(shí)間成本  半導(dǎo)體廠商通常都通過(guò)參考設(shè)計(jì)為其器件提供廣泛的支持。對(duì)于上面提到的OBC應(yīng)用,Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無(wú)色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無(wú)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比,故在相似的功率等級(jí)下,SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開(kāi)這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件?  當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí),碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?! ?2  圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0)的時(shí)候,T2為主開(kāi)關(guān)管?! ‘?dāng)T2開(kāi)通時(shí),電感L儲(chǔ)能,電流
2023-02-28 16:48:24

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

  導(dǎo) 讀  追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)?! 〗酉聛?lái)介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品  基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低
2023-02-27 16:03:36

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!

元器件碳化硅
車(chē)同軌,書(shū)同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

ST半導(dǎo)體在意大利建SiC整合制造廠,計(jì)劃2023年投產(chǎn)。#ST #SiC碳化硅 #半#硬聲創(chuàng)作季

半導(dǎo)體SiC碳化硅時(shí)事熱點(diǎn)
電子師發(fā)布于 2022-10-20 09:09:03

半導(dǎo)體完成對(duì)Arkados公司的并購(gòu)

半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)完成對(duì)Arkados公司的并購(gòu),并完成半導(dǎo)體資產(chǎn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)的移轉(zhuǎn),此項(xiàng)并購(gòu)案將進(jìn)一步提升半導(dǎo)體在電力線通信(PLC)的技術(shù)實(shí)力
2011-07-07 08:32:321061

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

科銳與半導(dǎo)體簽署多年協(xié)議

科銳(Nasdaq: CREE)宣布與半導(dǎo)體(NYSE: STM)簽署多年協(xié)議,將為半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓片。
2019-01-14 15:24:584705

科銳與半導(dǎo)體簽署供貨協(xié)議

科銳(Nasdaq: CREE)宣布與半導(dǎo)體(NYSE: STM)簽署多年協(xié)議,將為半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓片。
2019-01-15 10:26:284909

半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel 55%股權(quán) SiC成巨頭布局熱點(diǎn)

SiC功率器件大勢(shì)所趨,國(guó)際巨頭競(jìng)相布局,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體擬通過(guò)并購(gòu)整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。日前,半導(dǎo)體宣布,公司已簽署協(xié)議,收購(gòu)瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商
2019-04-06 16:41:362673

半導(dǎo)體完成Norstel AB整體收購(gòu),可應(yīng)對(duì)SiC晶圓產(chǎn)能緊缺

據(jù)了解,Norstel將被完全整合到半導(dǎo)體的全球研發(fā)和制造業(yè)務(wù)中,繼續(xù)發(fā)展150mm碳化硅裸片和外延片生產(chǎn)業(yè)務(wù)研發(fā)200mm晶圓以及更廣泛的寬禁帶材料。
2019-12-03 15:39:146916

半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Exagan多數(shù)股權(quán) 氮化鎵制程技術(shù)將加速開(kāi)發(fā)

碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導(dǎo)體材料越來(lái)越受到市場(chǎng)重視,半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前,半導(dǎo)體宣布已簽署收購(gòu)法國(guó)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購(gòu)協(xié)議。
2020-03-10 11:22:193244

芯聞精選:發(fā)力碳化硅半導(dǎo)體器件,致瞻科技完成Pre-A輪融資

碳化硅半導(dǎo)體器件供應(yīng)商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日,毅達(dá)資本在官方微信宣布,已完成對(duì)致瞻科技的投資。依托核心團(tuán)隊(duì)10余年的碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
2020-11-30 10:33:272827

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說(shuō)明。
2021-04-26 10:11:32148

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429

半導(dǎo)體攜手微電子研究所將在碳化硅領(lǐng)域展開(kāi)合作

新加坡科學(xué)技術(shù)研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST) 共同宣布,雙方將在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)電力電子設(shè)備用碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域展開(kāi)研發(fā) (R&D) 合作。此次
2021-12-17 17:39:432752

半導(dǎo)體推出第三代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET晶體管

半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產(chǎn)品性能和可靠性,保持慣有領(lǐng)先地位,更加適合電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:294628

淺談碳化硅半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢(shì)

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開(kāi)關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:044200

半導(dǎo)體為eMPack?電動(dòng)汽車(chē)電源模塊提供碳化硅技術(shù)

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布,為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控(Semikron)的eMPack?電動(dòng)汽車(chē)電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。
2022-05-26 09:45:372790

碳化硅(sic)正被用于多種電力應(yīng)用

碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過(guò)程比制造硅晶圓要復(fù)雜
2022-07-28 17:05:012981

半導(dǎo)體新廠2023年開(kāi)始投產(chǎn) 加強(qiáng)碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:032489

半導(dǎo)體將在意大利興建整合式碳化硅襯底制造廠

半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:551480

半導(dǎo)體與 Soitec 就碳化硅襯底制造技術(shù)達(dá)成合作

企業(yè)法國(guó) Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布,雙方在碳化硅襯底領(lǐng)域的合作邁入新階段,半導(dǎo)體將在未來(lái) 18 個(gè)月內(nèi)對(duì)
2022-12-05 14:09:42929

ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計(jì)劃,由半導(dǎo)體在今后18個(gè)月內(nèi)完成對(duì)Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測(cè)試。此次合作的目標(biāo)是半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術(shù)制造未來(lái)的8寸碳化硅襯底,促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù),
2022-12-08 12:22:481145

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:165686

半導(dǎo)體CEO:計(jì)劃2023年投資40億美元增加碳化硅產(chǎn)能

技術(shù)方面,半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達(dá)成協(xié)議。半導(dǎo)體希望通過(guò)此次合作,使其未來(lái)200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:171392

碳化硅如何成為半導(dǎo)體行業(yè)的福音

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開(kāi)關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計(jì)師和制造商正在尋找改進(jìn)和更智能
2023-02-20 15:51:553

半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬(wàn)顆碳化硅器件

半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274

碳化硅外延技術(shù)廠商???b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體完成Pre-A輪融資

希科半導(dǎo)體的外延片產(chǎn)品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅(SiC)電力電子器件。公司創(chuàng)始核心團(tuán)隊(duì)擁有15年以上的規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),憑借業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備,為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導(dǎo)電型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:001568

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612

三安光電擬與半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)廠生產(chǎn)碳化硅晶圓

? ? ?? 本報(bào)訊 6月7日,中國(guó)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體公司三安光電與全球排名前列的半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體聯(lián)合宣布:雙方已簽署協(xié)議,擬在中國(guó)重慶合資共同建立一個(gè)新的碳化硅器件制造工廠。同時(shí),三安光電將在
2023-06-08 19:05:021041

三安光電擬與半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)廠生產(chǎn)碳化硅晶圓

6月7日,中國(guó)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)三安光電與全球排名前列的半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體聯(lián)合宣布:雙方已簽署協(xié)議,擬在中國(guó)重慶合資建立一個(gè)新的8英寸碳化硅器件制造工廠。同時(shí),三安光電將在當(dāng)?shù)鬲?dú)資建立一個(gè)
2023-06-09 08:37:421013

半導(dǎo)體攜手三安光電,推進(jìn)中國(guó)碳化硅生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展

? 點(diǎn)擊上方? “?半導(dǎo)體中國(guó)” , 關(guān)注我們 ???????? ? ? 半導(dǎo)體和三安光電將成立一家合資制造廠,進(jìn)行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規(guī)模量產(chǎn) ? ? 該合資廠將有助于滿足
2023-06-09 09:30:01992

?228億涌入國(guó)內(nèi)碳化硅賽道

三安光電近日宣布,將與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:03381

碳化硅8英寸時(shí)代倒計(jì)時(shí) 中國(guó)廠商能否搭上“早班車(chē)”

碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門(mén)檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車(chē)、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng),碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線,。國(guó)內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-14 16:22:581831

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:011445

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687

半導(dǎo)體攜手三安光電,推進(jìn)中國(guó)碳化硅生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展

?半導(dǎo)體和三安光電將成立一家合資制造廠,進(jìn)行8英寸碳化硅(SiC)器件大規(guī)模量產(chǎn)?該合資廠將有助于滿足中國(guó)汽車(chē)電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用對(duì)半導(dǎo)體SiC器件日益增長(zhǎng)的需求?該合資廠將采用ST
2023-07-31 17:19:201331

半導(dǎo)體將為汽車(chē)T1廠博格華納供應(yīng)碳化硅器件

 近日,半導(dǎo)體與知名汽車(chē)Tier 1制造商博格華納達(dá)成了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略合作協(xié)議。該協(xié)議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件,以升級(jí)博格華納的車(chē)規(guī)功率模塊。
2023-09-06 10:07:01523

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166

半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列車(chē)規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊

中國(guó)– 半導(dǎo)體發(fā)布了ACEPACK?DMT-32系列車(chē)規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊,新系列產(chǎn)品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝,目標(biāo)應(yīng)用是車(chē)載充電機(jī)(OBC)、DC/DC直流變壓器、油液
2023-10-30 16:03:101264

基本半導(dǎo)體:功率半導(dǎo)體碳化硅時(shí)代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車(chē)加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)

龍頭廠商 理想汽車(chē) 簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。 隨著汽車(chē)行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入,高壓純電動(dòng)車(chē)因其能效更高、續(xù)航里
2023-12-22 08:20:011198

半導(dǎo)體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議助力800V平臺(tái)

12 月 22 日消息,據(jù)半導(dǎo)體官微消息,該公司與理想汽車(chē)簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
2023-12-24 10:35:241211

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:184062

半導(dǎo)體與致瞻科技就SiC達(dá)成合作!

今日(1月18日),半導(dǎo)體在官微宣布,公司與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供半導(dǎo)體第三代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:161639

芯動(dòng)半導(dǎo)體半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動(dòng)半導(dǎo)體與國(guó)際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體成功簽署碳化硅(SiC)芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達(dá)成,標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅(jiān)實(shí)的一步,將共同推動(dòng)SiC芯片在新能源汽車(chē)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用。
2024-03-15 09:44:431103

SiCrystal與半導(dǎo)體新簽協(xié)議,擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)

羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)宣布,雙方將在意半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm(6英寸)碳化硅(SiC)襯底晶圓多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上,
2024-04-23 10:17:57957

羅姆旗下SiCrystal與半導(dǎo)體新簽協(xié)議,擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)

,SiCrystal公司將對(duì)半導(dǎo)體加大德國(guó)紐倫堡產(chǎn)的碳化硅襯底晶圓供應(yīng)力度,預(yù)計(jì)協(xié)議總價(jià)不低于2.3億美元。 半導(dǎo)體
2024-04-26 11:30:001058

羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal與半導(dǎo)體新簽協(xié)議

羅姆集團(tuán)與全球知名的半導(dǎo)體巨頭半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)近日共同宣布,雙方將深化合作關(guān)系,進(jìn)一步擴(kuò)展在碳化硅(SiC)襯底晶圓領(lǐng)域的合作。此次合作基于雙方現(xiàn)有的針對(duì)150mm(6英寸)碳化硅襯底晶圓的多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議,半導(dǎo)體將獲得羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅襯底晶圓供應(yīng)。
2024-05-07 10:16:491123

半導(dǎo)體50億歐元建廠!

來(lái)源:國(guó)芯網(wǎng),謝謝 編輯:感知芯視界 Link 6月2日消息,半導(dǎo)體宣布將在意大利卡塔尼亞建設(shè)世界首個(gè)全流程垂直集成的碳化硅工廠。 在該園區(qū)中,半導(dǎo)體將整合碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從襯底開(kāi)發(fā)到外延生長(zhǎng)
2024-06-04 09:34:281496

半導(dǎo)體與吉利汽車(chē)深化碳化硅器件合作

近日,汽車(chē)電子領(lǐng)域的佼佼者半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)與全球知名汽車(chē)及新能源汽車(chē)制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)宣布了一項(xiàng)重要合作。雙方已簽署碳化硅(SiC)器件的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,標(biāo)志著雙方在原有合作基礎(chǔ)上,對(duì)碳化硅器件的聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471234

半導(dǎo)體(ST)在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

。 ??卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計(jì)劃,在一個(gè)園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn),賦能汽車(chē)和工業(yè)客戶的電氣化進(jìn)程和高能效轉(zhuǎn)型。 半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)宣布將在意大利卡塔
2024-06-06 09:15:261623

半導(dǎo)體與吉利汽車(chē)簽署長(zhǎng)期碳化硅供應(yīng)協(xié)議

近日,半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與領(lǐng)先的汽車(chē)制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)宣布簽署了一份長(zhǎng)期碳化硅(SiC)供應(yīng)協(xié)議。此舉不僅鞏固了雙方在SiC器件領(lǐng)域的現(xiàn)有合作,更標(biāo)志著雙方合作關(guān)系的進(jìn)一步深化。
2024-06-06 09:40:44994

半導(dǎo)體將在意大利新建8英寸SiC工廠

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)近日宣布,將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地,專注于8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊的制造、封裝、測(cè)試等全流程生產(chǎn)。這一重要舉措不僅體現(xiàn)了半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力,也標(biāo)志著公司向全面垂直整合碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-06-07 18:07:053036

英飛凌馬來(lái)西亞居林碳化硅晶圓廠,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新引擎

在今日科技日新月異,半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展的時(shí)代背景下,德國(guó)科技巨頭英飛凌近日在半導(dǎo)體行業(yè)再次掀起了波瀾。據(jù)報(bào)道,該公司已完成位于馬來(lái)西亞居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圓廠的第一階段建設(shè),預(yù)示著這一全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地即將正式投入運(yùn)營(yíng)。
2024-06-15 16:41:591293

半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世

半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí),半導(dǎo)體還針對(duì)
2024-10-12 11:30:592195

碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析: 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一種無(wú)機(jī)物
2024-11-29 09:30:051573

半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議

????????半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
2024-12-05 10:41:211095

半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述

半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331279

碳化硅半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352667

三安光電與半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目通線

三安光電和半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安半導(dǎo)體有限公司,簡(jiǎn)稱安),全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計(jì)將在2025年四季度投產(chǎn),屆時(shí)將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線。
2025-02-27 18:12:341590

三安重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目正式通線 將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)

2月27日,三安光電與半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn),這將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)?;慨a(chǎn)線,項(xiàng)目規(guī)劃全面達(dá)產(chǎn)
2025-02-27 18:45:104660

合資工廠通線啟示:國(guó)產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路

近日,三安光電與半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚(yú)效應(yīng),結(jié)合過(guò)去二十年合資汽車(chē)和自主品牌的此消彼長(zhǎng)發(fā)展歷程,不難看出國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體必須走自立自強(qiáng)與突圍之路:從合資依賴到自主創(chuàng)新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141016

半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作

日前,服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體(ST)與重慶郵電大學(xué)在重慶安半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-03-21 09:39:241357

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

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