8月9日出版的《科學》（Science）雜志刊發(fā)了復旦大學微電子學院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實現(xiàn)了一種新型的微電子基礎器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-
2013-08-22 10:23:52
4328 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
，密度，性能，每千兆字節(jié)價格，錯誤概率和數(shù)據(jù)保留。 閃存概述 閃存單元由修改的場效應晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 這會改變
2020-12-18 15:10:382890 繼上一篇超級結(jié)MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095187 
由武漢船舶設計研究院設計的長江葛洲壩浮式船閘檢修閘門選型使用武漢瑩佳靜磁柵水位傳感器。 浮式檢修門各壓載水艙進排水、小圍堰進排水等都采用電動控制蝶閥控制。主排水泵采用變頻控制。小圍堰排水泵采用
2018-10-24 11:38:35
浮球液位計如何正確選擇 浮球液位計是根據(jù)阿基米德浮力原理設計和工作的，由于其在食品、石化、環(huán)保等行業(yè)有著非常廣泛的應用，而這些場合的工況復雜多樣，如果選擇不當，就難以準確甚至無法用于液位的測量
2020-06-19 14:15:19
所需的ECC糾錯能力讓系統(tǒng)人員越來越難以應付。 過去，ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是，隨著NAND單元不斷縮小，每個浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此，為彌補更小的存儲單元所產(chǎn)生的更高的位誤碼率，我們必須大幅提高ECC糾錯能力，以維持所需的系統(tǒng)可靠性。
2019-11-11 07:52:28
什么是接地信號，什么是浮地信號？在數(shù)據(jù)采集卡的接線中，信號源分接地信號和浮地信號，然后接線的終端模式又差分，單端，非參考單端，那么什么是接地信號，什么是浮地信號？
2015-03-11 14:44:29
代碼執(zhí)行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
臺面刻蝕深度對埋
柵SITH
柵陰擊穿的影響針對臺面刻蝕深度對埋
柵型靜電感應晶閘管（ＳＩＴＨ）
柵陰擊穿特性的影響做了實驗研究。實驗結(jié)果表明，隨著臺面刻蝕深度的增大，器件
柵陰擊穿由原來的軟擊穿變?yōu)橛矒舸?/div>
2009-10-06 09:30:24
我想學習磁柵尺在STM32里的設計與應用 能指點嗎？
2018-10-29 10:09:19
的線脹系數(shù)與鋼鐵相同，對車間溫度變化不敏感。（5）球柵尺能在強磁場和強幅射條件下工作，可用于原子反應堆。（6）球柵尺耐振動、安裝簡便、不用日常維護等優(yōu)點。球柵尺技術(shù)指標：球柵尺技術(shù)參數(shù)球柵尺
2021-11-25 15:21:24
菜鳥提問：有沒有大佬講一下齊納安全柵的電路呀
2024-10-12 15:43:28
安全柵：限制進入現(xiàn)場的能量，即限壓限流，使現(xiàn)場線路無論在何種狀態(tài)下都不會產(chǎn)生火花，從而不會引發(fā)爆炸，這種防爆方式就叫本質(zhì)安全。隔離柵：1。隔離式安全柵，即在安全柵的基礎上加入了隔離功能，可以防止地環(huán)
2018-07-19 14:32:47
大多數(shù)汽車 MCU 具有片上嵌入式閃存，其中包含復雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費類應用領域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲器技術(shù)的典范，但關(guān)于嵌入式
2020-08-14 09:31:37
嵌入式閃存技術(shù)認知誤區(qū)
2021-01-12 06:30:12
快速浮_定點PID控制器FPGA的研究與實現(xiàn)提出了基于 的快速 控制器技術(shù)，采用流水線運算方法，具有高速 穩(wěn)定精確的實時控制性能，實現(xiàn)了速度和資源的優(yōu)化匹配研究并分析了位置式 不同算式的特點，完成
2012-08-11 15:58:43
主要的IGBT寄生電容有哪些？怎樣去設計單正向柵驅(qū)動IGBT？單正向柵驅(qū)動IGBT有什么長處？
2021-04-20 06:43:15
電流的合格性。1：浮地技術(shù)的應用a交流電源地與直流電源地分開一般交流電源的零線是接地的。但由于存在接地電阻和其上流過的電流（回路電流），導致電源的零線電位并非為大地的零電位。另外，交流電源的零線上往往
2013-08-14 17:50:29
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
存儲器又稱閃存，是一種非易失性存儲器；即掉電數(shù)據(jù)也不會丟失。閃存基本存儲單元是一種NMOS的雙層浮柵（Floating Gate）MOS管。如下圖：在源極（Source）和漏記（Drain）之間的電流
2019-09-18 09:05:09
液位浮球開關(guān)結(jié)構(gòu)主要基于浮力和靜磁場原理設計生產(chǎn)的。帶有磁體的浮球（簡稱浮球）在被測介質(zhì)中的位置受浮力作用影響：液位的變化導致磁性浮子位置的變化。浮球中的磁體和傳感器（磁簧開關(guān)）作用，產(chǎn)生開關(guān)信號。
2019-10-24 09:01:11
示波器浮地測量的危害是什么？電源插頭的保護地斷開后會有什么樣的影響？
2021-05-08 07:24:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 編輯
實際應用中，信號的基本接地方式有三種：浮地、單點接地和多點接地 請問 浮地指的是什么？和公共地 GND有什么聯(lián)系？ 是個孤島類型的地嗎？？
2011-10-20 23:36:59
閃速存儲器的基本存儲器單元結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。一眼看上去就是n溝道的MOSFET那樣的東西，但又與普通的FET不同，特點是在柵極（控制柵）與漏極／源極之間存在浮置柵，閃速存儲器利用該浮置柵存儲
2018-04-10 10:52:59
內(nèi)容提要：本文對通信電源的基本原理進行了探討，提出了浮充供電理論。 關(guān)鍵詞：浮充供電、浮充電源、浮充供系統(tǒng)。
通信電源領域的研究已進入現(xiàn)代化階段，然
2009-11-03 17:06:22
28 分析了準浮柵晶體管PMOS 的工作原理、電學特性和等效電路，設計了一種電路結(jié)構(gòu)簡單的共模反饋電路（CMFB）,實現(xiàn)了一個低壓低功耗的差分運算放大器。采用Chrt0.35umCMOS 工藝
2009-11-27 11:39:238 什么是浮地技術(shù)
“地”是電子技術(shù)中一個很重要的概念。由于“地”的分類與作用有多種， 容易混淆，故總結(jié)一下“地”的概念。
2009-10-03 20:03:146819 
半液浮速率陀螺的供電電源設計
以實際工程項目中半液浮速率陀螺供電電源為研究對象。介紹了SPWM技術(shù)的基本原理，給出了基
2009-10-09 09:47:011412 
面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28840 什么是黑柵精顯投影屏幕
技術(shù)介紹 黑柵精顯投影屏幕是專為在高亮度環(huán)境下使用而設計、生產(chǎn)的新一代光學
2010-02-10 09:51:121166 柵極/浮置柵,柵極/浮置柵是什么意思
多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細絲網(wǎng)或螺旋線的形狀，有控制板極電流的強度﹑改變電子管的
2010-03-04 16:14:532746 恒憶閃存抗X射線
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極（浮柵）捕獲（或排除）電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改（偏離原始電壓值）。在附加的編程和
2010-04-12 14:12:16890 
嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元（SLC）系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專門用于汽車、消費及網(wǎng)
2012-05-29 08:55:471517 浮球式液位變送器由磁性浮球、測量導管、信號單元、電子單元、接線盒及安裝件組成。一般磁性浮球的比重小于0.5，可漂于液面之上并沿測量導管上下移動。導管內(nèi)裝有測量元件，它
2012-06-12 14:09:172105 目前絕緣柵器件(IGBT)驅(qū)動技術(shù)現(xiàn)狀
2012-06-16 09:48:491119 
什么是閃存？閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。
2016-11-01 17:18:4225347 
過去，ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是，隨著NAND單元不斷縮小，每個浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此，為彌補更小的存儲單元所產(chǎn)生的更高的位誤碼率，我們必須大幅提高ECC糾錯能力，以維持所需的系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 18:31:002503 
首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇，SK海力士稱，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P／E次數(shù)多）
2018-08-12 10:55:154453 浮球液位計由浮球、插桿等組成。浮球液位計通過連接法蘭安裝于容器頂上，浮球根據(jù)排開液體體積相等等原理浮于液面，當容器的液位變化時浮球也隨著上下移動，由于磁性作用，浮球液位計的干簧受磁性吸合，把液面位置變化成電信號，通過顯示儀表用數(shù)字顯示液體的實際位置，浮球液位計從而達到液面的遠距離檢測和控制。
2018-10-31 16:56:3548852 的V-NAND閃存，目前已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND技術(shù)，堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
2019-09-04 09:17:137175 浮頭式換熱器的一端管板固定在殼體與管箱之間，另一端管板可以在殼體內(nèi)自由移動，這個特點在現(xiàn)場能看出來。這種換熱器殼體和管束的熱膨脹是自由的，管束可以抽出，便于清洗管間和管內(nèi)。其缺點是結(jié)構(gòu)復雜，造價
2019-08-05 11:21:3612444 浮頭式換熱器，兩端管板中只有一端與殼體固定，另一端可相對殼體自由移動，稱為浮頭。浮頭由浮動管板、鉤圈和浮頭端蓋組成，是可拆連接，管束可從殼體內(nèi)抽出。
2019-08-05 11:29:3322827 
本文首先介紹了什么是浮球液位計以及浮球液位計的結(jié)構(gòu)，然后解釋了浮球液位計的工作原理，最后分析了浮球液位計的特點和應用領域。
2019-08-07 15:32:3113897 
柵（FLOATING GATE）。它的構(gòu)造和一般的 MOS 管略有不同：多了一個浮柵。浮柵被絕緣體隔絕于其他部分。非易失存儲器又可分為兩類：浮柵型和電荷阱型在浮柵型存儲器中，電荷被儲存在浮柵中，它們在無電源供應的情況下仍然可以保持。所有的浮柵型存儲器都有著類似的原
2019-11-21 08:00:0033 鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）近日宣布將使用專門設計的半圓形浮置柵極（FG）單元開發(fā)全球首個［1］三維（3D）半圓形分柵型閃存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。
2019-12-14 12:03:571784 近日，鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實現(xiàn)高集成化。
2019-12-24 16:35:303913 浮球液位計主要由浮球組件及電子轉(zhuǎn)換電路組成，浮球是一個內(nèi)空的金屬球，通過連接法蘭安裝在容器上，浮球浮于液面之上，當容器內(nèi)的液位變化時浮球也隨著上下移動。
2020-06-24 17:44:138594 閃存體系結(jié)構(gòu)包括堆疊有大量閃存單元的存儲陣列?；镜?b class="flag-6" style="color: red">閃存單元由具有控制柵和浮柵的存儲晶體管組成，浮柵通過薄介電材料或氧化物層與晶體管的其余部分絕緣。浮柵存儲電荷并控制電流。
2020-09-10 16:50:313043 
與浮柵將電荷存儲在導體中不同，CTF將電荷存儲在絕緣體中，消除了電池之間的干擾，提高了讀寫性能，同時與浮柵技術(shù)相比，減少了單位電池面積。
2021-01-06 15:37:402825 
條件下運行蓄電池將達到最長的使用壽命。 浮充電壓的設置對蓄電池的壽命具有相當重要的影響，浮充電壓產(chǎn)生的電流量應達到補償自放電及電池單體放電電量和維持氧循環(huán)的需要。 不合理的浮充電壓主要在兩個方面影響電池，即正極板柵
2020-10-12 10:18:3910860 
據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176層構(gòu)造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 液體都有浮力，而浮球系統(tǒng)（一般都有相應的輔助設備）是根據(jù)液體的浮力而配套制作的，當液位上漲時，浮球系統(tǒng)也相應上漲。
2020-11-24 16:59:1723829 浮球液位控制器結(jié)構(gòu)主要基于浮力和靜磁場原理設計生產(chǎn)的。帶有磁體的浮球（簡稱浮球）在被測介質(zhì)中的位置受浮力作用影響：液位的變化導致磁性浮子位置的變化。浮球中的磁體和傳感器（磁簧開關(guān)）作用，產(chǎn)生開關(guān)信號。與浮球液位計原理相似，但是浮球液位計輸出的是準連續(xù)電信號，而浮球液位開關(guān)輸出的是離散的開關(guān)信號。
2020-12-03 14:41:3019597 對于放大器而言，特別是微小輸入信號和高增益的放大器，在輸入端的任何微小的干擾信號都可能導致工作異常。因此，采用放大器的浮地技術(shù)，可以阻斷干擾信號的進入，提高放大器的電磁兼容能力。
2021-02-15 17:39:0011260 
及電池單體放電電量和維持氧循環(huán)的需要。 不合理的浮充電壓主要在兩個方面影響電池，即正極板柵腐蝕速率和電池內(nèi)氣體的排放。特別是當電池的浮充電壓超過一定值時，板柵腐蝕現(xiàn)象會進一步加劇，電池內(nèi)的氧氣和氫氣產(chǎn)生較高氣
2021-05-11 16:34:237699 
閃存單元由修改的場效應晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 這會改變打開晶體管所需的柵極電壓，該電壓代表存儲在單元中的值。
2021-04-14 15:33:242022 電纜浮球開關(guān)是一種利用塑膠射出體成型的開關(guān)，具有結(jié)構(gòu)堅固，性能穩(wěn)定可靠的特點，在給市政排水、消防、水處理等行業(yè)廣泛運用。 電纜浮球開關(guān)工作原理： 電纜浮球開關(guān)是利用微動開關(guān)或水銀開關(guān)做接點零件，當
2021-09-03 17:22:375939 電纜浮球開關(guān)是一種利用塑膠射出體成型的開關(guān)，具有結(jié)構(gòu)堅固，性能穩(wěn)定可靠的特點，在給市政排水、消防、水處理等行業(yè)廣泛運用。 電纜浮球開關(guān)工作原理： 電纜浮球開關(guān)是利用微動開關(guān)或水銀開關(guān)做接點零件，當
2021-09-20 14:33:004161 直流浮充電運行方式接線圖(現(xiàn)代電源技術(shù)第二章)-?直流浮充電運行方式接線圖? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
2021-09-15 10:36:4412 GaAs雙柵MESFET的PSPICE直流模型(電源技術(shù)期刊版面費)-GaAs雙柵MESFET的PSPICE直流模型? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
2021-09-18 10:23:2813 NAND 閃存內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET（金屬-氧化層-半導體-場效應晶體管）， 與普通場效應晶體管的不同之處在于，在柵極（控制柵）與漏極/源極之間存在浮置柵，利用該浮置柵存儲數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231 浮球是常用檢水器件，附件是一種小型浮球裝置，
2022-06-15 14:39:510 閃速存儲器(Flash Memory)又稱閃存(Flash)，是一種非易失性存儲器,用存儲單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場效應管(見圖5-80)是Flash存儲單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:002239 浮球液位計結(jié)構(gòu)簡單，由浮球，插桿和連接法蘭等部分組成，浮球會置于測量的液體中，并隨著液位的上升而上浮，下降而下降，在磁性作用下，浮球液位計的干簧會受到磁性吸合，將液面的位置轉(zhuǎn)換成電信號，并以在屏幕上
2023-01-11 14:12:023037 存儲單元中，電荷的存儲層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無結(jié)型 (Junctionless， JL)薄膜場效應晶體管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470 浮球液位開關(guān)通過其上面的磁性浮球隨液位上下浮動，來測量液位的高低，并發(fā)出控制信號，反應直接迅速，簡單實用，同時價格也比較便宜，因此，也成為同類產(chǎn)品中比較受歡迎的，接下來，我們就來說說浮球液位開關(guān)和它
2023-03-01 14:03:447849 形成的假液位浮球經(jīng)配重可測兩種液位的介質(zhì)成本低，可靠性高。 ? 技術(shù)參數(shù) ? 測量范圍：0-0.5m至0-4m（4m以上選靜壓式為宜） ? 電源：24VDC(15-36VDC) ? 輸出信號
2023-03-24 09:48:573047 
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029397 
磁柵尺又稱磁柵，是一種檢測裝置，采用電磁方法記錄磁波數(shù)，使用環(huán)境要求低，對周圍磁場抗干擾能力強，在油污、粉塵多的地方穩(wěn)定性好。磁柵的工作原理是磁電轉(zhuǎn)換。為了保證磁頭具有穩(wěn)定的輸出信號范圍，考慮到空氣
2022-09-08 16:10:066355 
球柵尺和磁柵尺是兩種常見的測量工具，用于測量物體的長度或距離。盡管它們的目的相同，但它們的工作原理和使用方式存在一些區(qū)別。首先，球柵尺是一種基于光學原理的測量工具。它由一個球形透鏡和一組刻有網(wǎng)格的柵
2023-08-23 14:03:221875 
Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場效應管(FloatingGate FET) 作為基本存儲單元來存儲數(shù)據(jù)的，浮柵場效應管共有4個端電極，分別是源
2023-09-09 14:27:3814769 
NAND FLASH是一種非易失性隨機訪問存儲介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設計,通過浮柵來鎖存電荷，電荷被儲
存在浮柵中，在無電源供應的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對于HDD,具有讀寫速度快、訪問時延低等特點。
2023-09-11 14:48:231395 
當給柵極施加較高的高電平（較高的高電平才能讓電子穿過隧穿層），電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了當給柵極低電平時，這時隧穿層就相當于絕緣層，這樣電子就被存儲起來了，這時隧穿層有電子表示邏輯0
2023-10-11 16:23:461849 
浮地測試是電氣工程中常用的測試方法之一，其主要作用是檢測電氣設備和電路中的接地故障。
2023-11-02 15:41:422957 NAND FLASH是一種非易失性隨機訪問存儲介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設計,通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲
存在浮柵中，在無電源供應的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對于HDD,具有讀寫速度快、訪問時延低等特點。
2023-11-19 16:44:57779 
，NAND閃存的存儲方式和堆疊技術(shù)也在持續(xù)演進。本文將圍繞閃存顆粒相關(guān)的概念以及發(fā)展趨勢做介紹。NAND閃存單元NAND閃存基于浮柵晶體管，通過其中所存儲的電荷量表示不同
2024-02-05 18:01:171900 
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場效應晶體管（Floating Gate FET）的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極（Source）、漏極（Drain）、控制柵（Control Gate）和浮柵（Floating Gate）。
2024-02-19 12:40:433037 智能軟啟動柜是一種用于電動機啟動和控制的設備，它通過控制電動機的啟動電流，減少啟動時的沖擊，延長電動機的使用壽命。智能軟啟動柜的浮球控制設置是其中的一個重要功能，可以有效地控制水位，防止水泵空轉(zhuǎn)或
2024-06-18 14:41:031953 電氣隔離柵是一種用于保護電氣設備和人員安全的裝置，它能夠防止電流的意外流動，從而避免觸電事故的發(fā)生。 電氣隔離柵的作用 防止觸電 ：電氣隔離柵能夠防止人員接觸到帶電部件，從而降低觸電的風險。 保護
2024-09-29 18:07:253842 傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴展性已達到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應運而生，通過在垂直方向上堆疊存儲單元，大幅提升了存儲密度。本文將簡要介紹3D-NAND浮柵晶體管。
2024-11-06 18:09:084179 
浮柵晶體管主要是應用于于非易失性存儲器之中，比如nand flash中的基本單元，本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵晶體管大致的組成圖，是在NMOS的基礎上在控制柵極下
2024-11-24 09:37:234411 
EEPROM存儲器的工作原理 基本結(jié)構(gòu) ： EEPROM由浮柵晶體管構(gòu)成，每個浮柵晶體管可以存儲一個比特的數(shù)據(jù)。浮柵是一個隔離的導電區(qū)域，可以捕獲和保持電子，從而改變晶體管的閾值電壓。 寫入操作
2024-12-16 16:35:543317 地線性降低，從而獲得足夠的柵控能力以確保良好的短溝道行為。另外，隨著柵氧厚度的降低，MOS 器件的驅(qū)動電流將獲得提升。由表2.3可見不同技術(shù)節(jié)點下對柵氧厚度的要求。
2025-05-26 10:02:191189 
浮球作為液位控制、閥門啟閉及壓力調(diào)節(jié)等裝置中的關(guān)鍵部件，其密封性、耐腐蝕性及結(jié)構(gòu)完整性直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的可靠性與壽命。激光焊接技術(shù)因其獨特的加工優(yōu)勢，在浮球的制造與封裝工藝中扮演著越來越重要的角色
2025-09-18 15:53:50248 
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