中囯三大存儲(chǔ)器廠，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華及合肥長(zhǎng)鑫都已進(jìn)入試產(chǎn)階段，并計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這是中囯半導(dǎo)體業(yè)的一場(chǎng)存儲(chǔ)器突圍戰(zhàn)，是零的突破。為了迎接專利戰(zhàn)，必須學(xué)習(xí)上海中微半導(dǎo)體，從公司成立起就聘用美國(guó)律師，準(zhǔn)備好一切材料準(zhǔn)備好打?qū)＠麘?zhàn)，并且不要抱有幻想，這一仗是不可避免的。
2018-06-19 09:27:03
4835 存儲(chǔ)器業(yè)壟斷格局不可能一成不變，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要涉足存儲(chǔ)器業(yè)是國(guó)家意志，不會(huì)改變，要相信中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)會(huì)按照國(guó)際通用規(guī)則，一方面大力開發(fā)IP，同時(shí)會(huì)尊重與保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，融合全球化之中。目前1xnm
2019-10-14 17:13:145249 4月13日，蘇州東微半導(dǎo)體有限公司宣布：經(jīng)過2年的研發(fā)，成功量產(chǎn)新能源汽車充電樁里的核心芯片，打破國(guó)外廠商德國(guó)英飛凌，日本東芝、富士，美國(guó)仙童對(duì)這一產(chǎn)品的壟斷。
2016-04-15 09:51:252271 廠家有可能跟中國(guó)新進(jìn)入者共同研發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)移，但利潤(rùn)很薄，前景堪憂。今年，武漢存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng)，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項(xiàng)目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲(chǔ)器的合肥市和紫光。
2016-05-27 09:29:131948 我國(guó)高性能計(jì)算領(lǐng)軍企業(yè)中科曙光２９日在天津宣布，曙光星河云服務(wù)器系統(tǒng)正式量產(chǎn)。這是我國(guó)首款億級(jí)并發(fā)云服務(wù)器系統(tǒng)，也是“十二五”期間國(guó)家８６３計(jì)劃信息技術(shù)領(lǐng)域“億級(jí)并發(fā)云服務(wù)器系統(tǒng)研制”的重大項(xiàng)目成果。
2016-11-30 15:47:14972 我們?cè)谇懊骈_發(fā)過AT24CXX系列EEPROM存儲(chǔ)器，它使用的是I2C接口。不過有時(shí)候我們也會(huì)使用SPI接口的EEPROM存儲(chǔ)器。在這一篇我們將來討論AT25XXX系列EEPROM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用。
2022-12-07 16:51:246259 
在我們的項(xiàng)目中，時(shí)常會(huì)有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲(chǔ)器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:553213 
雖然我國(guó)在傳統(tǒng)存儲(chǔ)器布局落后很多，但在下一代技術(shù)存儲(chǔ)器早已戰(zhàn)略布局。幾年前更有二十幾位中科院院士聯(lián)名支持發(fā)展MRAM。我國(guó)科研力量在未來存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)會(huì)扮演相當(dāng)重要的角色。
2017-07-17 07:40:004570 `對(duì)于“全球存儲(chǔ)器三強(qiáng)”的三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron），恐即將受到中國(guó)大陸的反壟斷制裁？日前消息傳出后，引發(fā)各界高度關(guān)注
2018-11-22 14:49:22
?！ ? 存儲(chǔ)器和儲(chǔ)存的要求不同，具體取決于其特性，包括現(xiàn)在已??經(jīng)過時(shí)的技術(shù) (來源：Lauro Rizza) 為了實(shí)現(xiàn)隨時(shí)間進(jìn)展的存儲(chǔ)器和儲(chǔ)存而開發(fā)的技術(shù)，可說是人類聰明才智的典范。發(fā)明這些技術(shù)的人們利用
2017-07-20 15:18:57
問題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
集成了多達(dá) 8 個(gè)TMS320C66x DSP CorePac，能夠實(shí)現(xiàn)無與倫比的定點(diǎn)與浮點(diǎn)處理能力。KeyStone 架構(gòu)經(jīng)精心設(shè)計(jì)，是一款效率極高的多內(nèi)核存儲(chǔ)器架構(gòu)，允許并行執(zhí)行任務(wù)的同時(shí)，還能
2011-08-13 15:45:42
的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣，肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
頭疼不已。導(dǎo)致這一亂象的一個(gè)重要原因就是各大汽車生產(chǎn)企業(yè)對(duì)原廠配件及維修技術(shù)的縱向壟斷，從而剝奪了消費(fèi)者的選擇權(quán)益。雖然目前已有相關(guān)國(guó)家政策的推動(dòng)，但要打破這長(zhǎng)期以來的市場(chǎng)壟斷，還需借助PCB抄板反向研究
2014-04-10 15:59:46
STM32F103 參考手冊(cè)中循環(huán)模式部分描述：DMA模塊存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器不能與循環(huán)模式同時(shí)使用。但是經(jīng)過實(shí)際測(cè)試，是可以實(shí)現(xiàn)循環(huán)的，請(qǐng)問怎么理解這句話呢？
2024-04-02 06:23:47
題目是一個(gè)停車場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來存地址信號(hào)，通過刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號(hào)，用來讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
進(jìn)入國(guó)家電網(wǎng)系統(tǒng)的企業(yè)，打破歐美等國(guó)家對(duì)我國(guó)在這一市場(chǎng)領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，加快了國(guó)家智能電網(wǎng)“中國(guó)芯”國(guó)產(chǎn)化的步伐。IGBT器件作為電壓控制型器件，具有容量大、損耗小、易于控制等優(yōu)點(diǎn)，可使換流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)更加
2015-01-30 10:18:37
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
本文介紹了一種0．13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲(chǔ)器模塊的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。
2021-04-09 06:02:09
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢？
2019-08-02 06:49:22
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
DDR3存儲(chǔ)器控制器面臨的挑戰(zhàn)有哪些？如何用一個(gè)特定的FPGA系列LatticeECP3實(shí)現(xiàn)DDR3存儲(chǔ)器控制器。
2021-04-30 07:26:55
存儲(chǔ)器的MOVX指令該怎樣去使用呢？怎樣去調(diào)用存儲(chǔ)器的窗口呢？
2022-01-21 07:15:01
本文提出了一個(gè)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本解決方案，實(shí)現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
為什么要有系統(tǒng)調(diào)用？虛擬存儲(chǔ)的作用是什么？為什么虛擬存儲(chǔ)可以實(shí)現(xiàn)？寄存器和存儲(chǔ)器的區(qū)別在哪？
2021-09-29 08:22:56
影響存儲(chǔ)器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時(shí)的重新定位問題？怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲(chǔ)器輪胎定位技術(shù)？
2021-05-14 06:13:50
如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口？怎么縮短高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)？
2021-04-29 07:00:08
?過去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
諸如密度，性能，封裝及接口在系統(tǒng)級(jí)性能方面均發(fā)揮重要作用。因?yàn)橄到y(tǒng)設(shè)計(jì)者現(xiàn)有的不同類型存儲(chǔ)器，根據(jù)高水平的系統(tǒng)和應(yīng)用元件的不同需求而分割存儲(chǔ)器子系統(tǒng)是可行的。在某些情況下，超高速緩存可以合理的實(shí)現(xiàn)性能
2018-05-17 09:45:35
存儲(chǔ)器的分類及原理,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,只讀存儲(chǔ)器,其他存儲(chǔ)器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:43
20 6.1 存儲(chǔ)器概述1、存儲(chǔ)器定義 在微機(jī)系統(tǒng)中凡能存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件統(tǒng)稱為存儲(chǔ)器。2、存儲(chǔ)器分類 &nb
2008-12-20 02:26:0550 4.2 主存儲(chǔ)器4.3 高速緩沖存儲(chǔ)器4.4 輔助存儲(chǔ)器
主存的基本組成
2009-04-11 09:34:520 相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的基本原理, 設(shè)計(jì)了一種依靠電流驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
2010-05-08 09:42:3343 我國(guó)首顆手機(jī)傳感芯片推出 打破國(guó)外壟斷
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2009-12-25 09:22:40773 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 MCP存儲(chǔ)器,MCP存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理
當(dāng)前給定的MCP的概念為：MCP是在一個(gè)塑料封裝外殼內(nèi)，垂直堆疊大小不同的各類存儲(chǔ)器或非存儲(chǔ)器芯片，
2010-03-24 16:31:282499 存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073966 相變存儲(chǔ)器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM存儲(chǔ)單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:001261 相變存儲(chǔ)器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 昨日，光谷一家企業(yè)宣布：自主研發(fā)的一款芯片試用成功并開始量產(chǎn)。至此，我國(guó)智能電表高端計(jì)量芯片正式打破國(guó)外壟斷、填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。
2011-11-13 11:23:591826 7月31日上午消息，Marvell移動(dòng)產(chǎn)品總監(jiān)張路近日表示，在LTE芯片方面，Marvell今年年初發(fā)布了PXA1802基帶調(diào)制解調(diào)器解決方案，支持TDD和FDD，該LTE芯片今年底可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。同時(shí)，Marvell也正
2012-08-01 08:15:04655 長(zhǎng)期以來外資壟斷智能電視芯片技術(shù)的局面有望打破。近日，創(chuàng)維與海思聯(lián)合推出應(yīng)用了中國(guó)首款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的智能電視芯片的LED電視。
2014-08-21 09:23:221691 基于STM32的勵(lì)磁系統(tǒng)錄波存儲(chǔ)器的實(shí)現(xiàn)
2015-11-09 17:51:3516 誰將成為存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的“攪局者”，儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)還在日益擴(kuò)張，供不應(yīng)求之勢(shì)越發(fā)明顯。中國(guó)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起，美日韓的壟斷之勢(shì)越來越強(qiáng)盛，紫光國(guó)際“攪局” 破勢(shì)而出，正緩緩改變著戰(zhàn)場(chǎng)的局勢(shì)。
2017-12-18 14:23:131411 三星電子 30 日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲(chǔ)器模組（SoDIMM）規(guī)格的電競(jìng)筆電 DDR4 存儲(chǔ)器。而新的 SoDIMM 存儲(chǔ)器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造，可以用戶享受豐富的電競(jìng)游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:001095 位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 萬勇透露，武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地計(jì)產(chǎn)能10萬片/月的一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房，首個(gè)芯片會(huì)在2018年點(diǎn)亮，明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國(guó)務(wù)院批復(fù)的武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:004018 存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的核心芯片，對(duì)于保障國(guó)家安全和信息安全具有重要意義。當(dāng)前以云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展，引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)，對(duì)存儲(chǔ)器的需求也在不斷增加。2017年，我國(guó)僅存儲(chǔ)器進(jìn)口規(guī)模就達(dá)到870億美元。
2018-11-04 10:23:372172 與DRAM和NAND Flash芯片的制造上是零。“在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中，韓美日廠商幾乎壟斷了全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)。”上述人士也表示無奈。
現(xiàn)在長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華擔(dān)起了這個(gè)重任
2018-04-18 09:12:376932 和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位，合計(jì)市占率超過95%，國(guó)產(chǎn)廠商開始積極布局，2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中，移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名，合計(jì)占比86%，未來將繼續(xù)拉動(dòng)DRAM消費(fèi)增長(zhǎng)。
2018-05-17 10:12:003740 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲(chǔ)器快了 50%，同時(shí)功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 圍繞東芝半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的出售手續(xù)，中國(guó)商務(wù)部反壟斷部門批準(zhǔn)了作為買家的美國(guó)貝恩資本（Bain Capital）的收購(gòu)。在審查期間，被傳“以反壟斷法為借口要求提供技術(shù)”的中國(guó)政府的干預(yù)引發(fā)了擔(dān)憂
2018-05-23 03:24:001907 存儲(chǔ)器大廠美光 26 日宣布，正式量產(chǎn) GDDR6 存儲(chǔ)器。其核心容量 8Gb，速率 12、14Gbps。美光表示，其速度最高可達(dá) 20Gbps，而且未來還會(huì)推出容量翻倍的 16Gb GDDR6 存儲(chǔ)器，傳輸速率達(dá) 16Gbps
2018-06-27 09:54:584715 
三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲(chǔ)器快了50%，同時(shí)功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲(chǔ)器的測(cè)試。
2018-07-20 10:39:445216 在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（國(guó)家存儲(chǔ)器基地），紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 趙偉國(guó)認(rèn)為，中國(guó)的集成電路已經(jīng)初步擺脫了抄人家、學(xué)人家的狀態(tài)。他透露，紫光會(huì)在今年底量產(chǎn)32層64G的存儲(chǔ)器，在明年會(huì)量產(chǎn)64層128G的存儲(chǔ)器，并同步研發(fā)128層256G的存儲(chǔ)器。
2018-08-26 10:38:153176 2018年第二季度，第一代14納米FinFET技術(shù)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，明年上半年將進(jìn)入量產(chǎn)。明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-09-17 16:48:526880 晉華被禁之殤折射壟斷導(dǎo)致的暴利，是目前全球存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的最大問題。
2018-11-16 10:59:273234 近日，蚌埠中光電科技有限公司內(nèi)，中國(guó)首條8.5代TFT-LCD玻璃基板生產(chǎn)線成功點(diǎn)火，我國(guó)8.5代TFT-LCD超薄浮法玻璃基板首次實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，徹底打破國(guó)外壟斷，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。
2019-06-21 11:43:465094 華為出新招，又有新技術(shù)推出，將打破英特爾的壟斷
2019-08-21 11:22:223502 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 說起存儲(chǔ)器，現(xiàn)在市場(chǎng)基本被日美韓壟斷，尤其是三星。尤其是現(xiàn)在存儲(chǔ)器價(jià)格一直處于價(jià)格上漲，而且預(yù)計(jì)還會(huì)更進(jìn)一步攀升。
2019-09-24 17:10:321678 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 根據(jù)消息報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143818 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 10:27:211908 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 副董事長(zhǎng)楊道虹表示，2019 年，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:021539 寄予厚望的長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層3D NAND Flash，合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)DDR4 DRAM，國(guó)科微與龍芯推出搭載自主CPU的SSD主控芯片，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)已然奮起，打破國(guó)外廠商壟斷。
2020-03-03 16:19:291452 3 月 11 日訊，昨日，長(zhǎng)安汽車正式發(fā)布中國(guó)首個(gè)量產(chǎn) L3 級(jí)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)，并在重慶實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)體驗(yàn)。
2020-03-11 14:09:28905 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487 
只讀存儲(chǔ)器和隨機(jī)存儲(chǔ)器區(qū)別：作用不同、特點(diǎn)不同
2020-07-27 15:09:4318654 山東華科HK1020溫度傳感器芯片剛剛實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，山東35家客戶、深圳27家客戶已前來訂貨。山東華科另有2款溫度傳感器新品即將上市，首款溫濕傳感器芯片也已完成設(shè)計(jì)，年底將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-07-31 16:44:125531 集成電路用硅片項(xiàng)目通線量產(chǎn)啟動(dòng)儀式在德州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，德州將成為我國(guó)北方最大的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。 中國(guó)工程院院士屠海令說：硅材料，是我們發(fā)展集成性半導(dǎo)體的最重要的一個(gè)基礎(chǔ)材料，通過跟德州的合作，將來對(duì)我們
2020-10-30 15:36:122425 （美國(guó)）、索尼（日本）等國(guó)外大公司壟斷，LCOS芯片的量產(chǎn)化意味著國(guó)內(nèi)有望打破美國(guó)和日本公司在微顯示芯片領(lǐng)域的壟斷，解決傳統(tǒng)LCOS芯片可靠性不高、亮度不高等缺點(diǎn)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的空白。 據(jù)悉，該芯片是由上?；坌鲁綄?shí)業(yè)有限公司（以下簡(jiǎn)稱㈦慧新辰㈧）研發(fā)的。
2020-12-09 11:18:194193 2020年12月25日，廈門旌存半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研制的旌存KS3400P SSD控制器完成了與長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D TLC NAND的適配，順利通過了兼容性、穩(wěn)定性、可靠性等多重驗(yàn)證，預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-12-28 16:35:302585 NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一，目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商，目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn)，未來中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:334603 2 月 19 日消息 根據(jù)國(guó)家能源局主管的中國(guó)電力新聞網(wǎng)的消息，首款全面國(guó)產(chǎn)化電力專用主控芯片 “伏羲”實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這款芯片的量產(chǎn)標(biāo)志著我國(guó)電力工控領(lǐng)域核心芯片從 “進(jìn)口通用”轉(zhuǎn)變?yōu)?“自主專用
2021-02-19 15:19:485793 PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶存儲(chǔ)器的功能(嵌入式開發(fā)板有哪些功能接口)-該文檔為PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶存儲(chǔ)器的功能總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 09:47:1012 存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-11-26 19:36:0437 存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件，更通俗地說，存儲(chǔ)器就是用來存放數(shù)據(jù)的地方。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱輔存或外存）兩大類，本文將詳細(xì)為您科普存儲(chǔ)器的工作原理等知識(shí)。
2022-10-11 16:58:434875 國(guó)產(chǎn)光纖涂覆機(jī)打破壟斷
2023-09-22 14:33:222194 
在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739 SK海力士即將在8月6日至8日于美國(guó)圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器峰會(huì)FMS 2024上大放異彩，向全球業(yè)界展示其在存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與對(duì)人工智能（AI）未來的深邃洞察。此次參展，SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲(chǔ)器產(chǎn)品的技術(shù)革新，更將焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)了下一代AI存儲(chǔ)器技術(shù)的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110 定義： RAM（Random Access Memory）：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種易失性存儲(chǔ)器，主要用于計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備的臨時(shí)存儲(chǔ)。 ROM（Read-Only Memory）：只讀存儲(chǔ)器，是一種
2024-08-06 09:17:482549 近日，武漢光谷企業(yè)新存科技（武漢）有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“新存科技”）宣布，其自主研發(fā)的國(guó)產(chǎn)最大容量新型三維存儲(chǔ)器芯片“NM101”已成功面世。這一創(chuàng)新成果有望打破國(guó)際巨頭在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域的長(zhǎng)期壟斷，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的發(fā)展注入新的活力。
2024-10-09 16:53:552590 內(nèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的關(guān)鍵部件，它直接影響到計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度和性能。內(nèi)存儲(chǔ)器主要分為兩大類：隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM，Random Access Memory）和只讀存儲(chǔ)器（ROM
2024-10-14 09:54:114300 ）將多層 DRAM 芯片垂直堆疊，并集成專用控制器邏輯芯片，形成一個(gè)緊湊的存儲(chǔ)模塊。這種架構(gòu)徹底打破了傳統(tǒng) DDR 內(nèi)存的平面布局限制，實(shí)現(xiàn)了超高帶寬、低功耗和小體積高集成度的完美結(jié)合，成為支撐 AI、高性能計(jì)算（HPC）和高端圖形處理的核心存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-07-18 14:30:122961
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