（文章來源：科技之窗）

說起存儲器，現(xiàn)在市場基本被日美韓壟斷，尤其是三星。尤其是現(xiàn)在存儲器價格一直處于價格上漲，而且預(yù)計還會更進(jìn)一步攀升。背后便是供需關(guān)系，三星分走大部分利益。三星本就是DRAM市場霸主，價格喊漲帶動下，今年業(yè)績將一路旺到年底。從去年下半年開始，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、以及閃存卡等存儲產(chǎn)品的價格就緩步增長，而在三星Note7接連自燃事件之后，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條的價格更是堪稱瘋漲。三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國外巨頭占據(jù)80%以上的市場份額，其中三星是領(lǐng)頭羊，市場份額約38%。而現(xiàn)在國產(chǎn)存儲器馬上落地了。

近日由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房，實現(xiàn)提前封頂。這標(biāo)志著開工9個月的國家存儲器基地項目建設(shè)向前邁出了堅實一步。項目一期規(guī)劃投資240億美元（約合人民幣1600億元），將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產(chǎn)廠房，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目（一期）達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

作為國內(nèi)知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，紫光董事長趙偉國此前表示，紫光集團(tuán)在移動芯片業(yè)務(wù)方面，到2020年時大幅縮小與全球兩大手機(jī)芯片商美國高通、***聯(lián)發(fā)科技距離。在十年內(nèi)，紫光要躍身成為全球前五大存儲器制造商。紫光計劃以三維閃存為切入點，進(jìn)軍高端存儲器領(lǐng)域，進(jìn)入世界存儲器企業(yè)第一梯隊。屆時，將會貢獻(xiàn)中國芯片制造自產(chǎn)率的8%。

由于國內(nèi)起步較晚，到目前為止中國還沒有完全自產(chǎn)的存儲器芯片產(chǎn)出，以NAND Flash內(nèi)存為例，韓國的三星、SK海力士，日本東芝、美國的西部數(shù)據(jù)及美光、英特爾掌握了全球市場。而紫光認(rèn)為伴隨著技術(shù)的更新?lián)Q代，中國存儲器芯片產(chǎn)業(yè)也會像國產(chǎn)顯示面板一樣發(fā)展起來。

不論是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存市場，目前都被極少數(shù)廠商所統(tǒng)治，紫光希望打破少數(shù)公司對市場的壟斷，該公司進(jìn)入市場將為業(yè)界帶來良性競爭。中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產(chǎn)能，在強大的市場需求及中國政府的財政支持下，長紫光將增強對現(xiàn)有幾家存儲芯片公司的競爭力。貝恩公司預(yù)計中國到2020就會制造全球55%的存儲器、邏輯和模擬芯片。

國產(chǎn)存儲器芯片取得新進(jìn)展，將倒逼三星降價?，F(xiàn)在我國3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進(jìn)展，32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項指標(biāo)測試，達(dá)到預(yù)期要求。外媒報道稱，中國這樣的新一輪大規(guī)模國產(chǎn)化攻勢或?qū)訐u以美國為首隨后是韓國、日本和***地區(qū)主導(dǎo)的世界市場。在鋼鐵、船舶建造、太陽能面板之后，中國大陸這個亞洲巨頭又打算通過巨額投資的模式再一次擊暈對手。