（文章來源：閃德資訊）

據近日報道，面對存儲器半導體產業(yè)市場低迷，三星電子，SK海力士，鎂光企圖通過新舊世代的產品交替，克服危機。而且也有報道，英特爾就當前以數據為中心進行轉型，對內存存儲戰(zhàn)略單元進行布局與規(guī)劃，且正在有節(jié)奏地展開，漸入佳境。

日本對韓國氟化氫等芯片制造關鍵化學物質發(fā)布“限售令”，韓廠普及國有氟化氫，以三星，LG，海力士帶頭，減少對日產的依賴，并且SK海力士在中國無錫的工廠已使用中國國產氟化氫，完全脫離日產。

在這之后，傳來了SK海力士宣布開發(fā)適用第三代 1Z納米的16GbDDR4 DRAM，并有了新的進展，SK海力士表示，1z nm生產效率比前一代高出27%，且使用過去沒有加入的新原料，成功最大化DRAM的靜電容量，外界期待，未來1z nm制程將擴大應用在新一代移動DRAM‘LP DDR5’與高速DRAM“HBM3”上。

三星電子于3月完成了1z DRAM的開發(fā)，并從9月開始量產，并有表示年底有望引進紫外光微影技術（EUV）。

鎂光也在8月宣布量產1z制程的16Gb DDR4 DRAM。鎂光認為，提高電腦用DDDR4 DRAM、移動用DRAM（LPDDR4），以及圖形用DRAM（GDDR6）技術，對事業(yè)有很大的幫助。業(yè)內人士分析：存儲器企業(yè)提高技術是相當正面的消息，不論是對于當前低迷的市場，還是未來的存儲的趨勢，提高技術都有機會成為扭轉市場的契機。

作為全球x86 CPU市場的領先者，英特爾在生態(tài)上有明顯的主動權，且動作較快。截止2019年9月，英特爾在客戶端的SSD上已構建了完整布局。

2017年第七代酷睿處理器開始，英特爾宣布基于3D Xpoint介質的內存產品正式商用，可搭配DRAM內存來為系統(tǒng)加速。2018年底，英特爾率先將QLC商業(yè)化，推出了基于QLC的大容量SSD 存儲660P，單位容量價格突破了1GB 1塊錢的線。憑借在功耗以及性能等方面的優(yōu)勢吸引了一些用戶，引領大容量SSD時代的到來。

此外，英特爾還推出了能部分替代內存的傲騰數據中心級持久內存，在諸如Redis這樣的開源方案，SAP HANA以及SQL Server這樣的商業(yè)軟件中均表現(xiàn)出特殊價值。目前在數據中心領域，上述兩者已經產生許多成功應用案例，在性能，性價比方面都正在吸引越來越多來自不同行業(yè)的用戶。

綜上所述，存儲市場雖然持續(xù)低迷幾周了，價格倒掛現(xiàn)象也很嚴重，庫存緊張的情況也會得到緩解，但這種風氣不會持續(xù)太久，技術革新，DRAM量產，都在說明市場正在回溫，保持觀望的同時，記得做好出擊的準備。