紫光集團旗下長江存儲近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3DNAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入式存儲等主流市場應用的需求，這也是中國首款64層三維閃存芯片，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)，被視為中國打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)。

據(jù)媒體報道，上海中國國際半導體博覽會舉行前夕，公司宣布已開始量產(chǎn)基于XtackingR架構(gòu)的64層“三階儲存單元”3DNAND閃存。作為中國首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相博覽會紫光集團展臺。

所謂3DNAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來，形成多層結(jié)構(gòu)提供容量，使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。

縮短產(chǎn)品上市周期

報道指出，長江存儲64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高存儲密度。創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統(tǒng)三維閃存架構(gòu)可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

長江存儲相關(guān)負責人向媒體表示，長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)。

紫光集團聯(lián)席總裁刁石京表示，長江存儲進入到這個領(lǐng)域之前，國內(nèi)一直沒有大規(guī)模存儲芯片的生產(chǎn)，未來，隨著云計算、大數(shù)據(jù)的發(fā)展，人類對數(shù)據(jù)存儲要求是越來越高，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領(lǐng)域，它的量產(chǎn)也標志著中國離國際先進水平又大大跨近一步，把中國產(chǎn)品水平跟海外的先進水平縮短到了一代。

明年底月產(chǎn)六萬片晶圓

報道稱，存儲芯片競爭激烈，三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入。2018年，64層、72層的3DNAND閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品，2019年開始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品，到2020年，大廠們即將進入128層3DNAND閃存的量產(chǎn)。

業(yè)界有關(guān)人士分析，長江儲存發(fā)展迅速，但目前表態(tài)保守，其雖然未公布量產(chǎn)規(guī)模，預計2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的水平。

據(jù)報道，長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國存儲芯片自產(chǎn)率從8％提升至40％。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲的64層3DNAND閃存量產(chǎn)消息別具意義。

業(yè)界預測，長江存儲最快明年跳過96層直接進入128層三維閃存，實現(xiàn)彎道超車。據(jù)悉，長江存儲已推出Xtacking2．0規(guī)劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等，相關(guān)產(chǎn)品將被廣泛應用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設(shè)備等領(lǐng)域。