加上在重慶投資的關(guān)鍵一役，從南京、武漢、成都到重慶，紫光集團(tuán)在國(guó)內(nèi)布局了制造和研發(fā)“芯云”的四大生產(chǎn)基地。隨著紫光DRAM落地重慶，今年最后一季的存儲(chǔ)市場(chǎng)將發(fā)生怎樣的變化？

國(guó)內(nèi)布局終站：紫光DRAM落地重慶的前后

近日在第二屆中國(guó)智博會(huì)期間，重慶市人民政府與紫光集團(tuán)簽署了紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議，紫光儲(chǔ)存芯片產(chǎn)業(yè)基地將落戶兩江新區(qū)。

紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國(guó)芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金，建設(shè)包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠、紫光科技園等。

其中，DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠計(jì)劃年底開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)。

此次合作是去年紫光集團(tuán)在重慶簽署《戰(zhàn)略合作入駐框架協(xié)議》以來(lái)，投資7大項(xiàng)目中的“芯”項(xiàng)目。

按照協(xié)議約定，紫光集團(tuán)擬在重慶投資建設(shè)紫光芯云產(chǎn)業(yè)城，預(yù)計(jì)總投資超過(guò)600億元。

加上在重慶投資的關(guān)鍵一役，從南京、武漢、成都到重慶，紫光集團(tuán)在國(guó)內(nèi)布局了制造和研發(fā)“芯云”的四大生產(chǎn)基地。

在集成電路行業(yè)的高端芯片領(lǐng)域，紫光集團(tuán)正在實(shí)現(xiàn)從制造研發(fā)NANDFlash存儲(chǔ)到發(fā)展DRAM存儲(chǔ)。

重慶＋紫光的互相借力：從NANDFlash到DRAM

重慶在集成電路領(lǐng)域已基本構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)到制造、封閉測(cè)試及原材料配套等全產(chǎn)業(yè)鏈條。

目前，重慶市共有集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)12家，其中4家在兩江新區(qū)。除IC設(shè)計(jì)企業(yè)外，兩江新區(qū)擁有集成電路類制造企業(yè)3家，包括萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體、超硅、奧特斯等行業(yè)巨頭。

5G時(shí)代來(lái)臨之際，重慶市正借智博會(huì)之機(jī)大力招商引資，吸引眾多集成電路企業(yè)做大電子信息產(chǎn)業(yè)，從而實(shí)現(xiàn)從傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)到智能產(chǎn)業(yè)的升級(jí)和轉(zhuǎn)型。

重慶方面將其作為重要的高科技龍頭企業(yè)進(jìn)行扶持，打造世界級(jí)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域核心產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。

注冊(cè)資本規(guī)模將達(dá)到千億元，重點(diǎn)投資紫光集團(tuán)旗下的集成電路制造基地建設(shè)，未來(lái)10年在集成電路產(chǎn)業(yè)投入有望達(dá)到1000億美元。

即將成立的紫光重慶DRAM存儲(chǔ)芯片工廠則依靠紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域積累的從設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測(cè)試、方案構(gòu)建到全球量產(chǎn)銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，主要生產(chǎn)12英寸DRAM存儲(chǔ)芯片。

從DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠，到DRAM事業(yè)群總部，再到紫光云（南方）總部，紫光在重慶的重大布局，都在兩江新區(qū)。這與兩江新區(qū)乃至全市作為全球重要的電子信息產(chǎn)業(yè)基地良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈有關(guān)。

此次紫光集團(tuán)多個(gè)項(xiàng)目布局兩江新區(qū)，將進(jìn)一步推進(jìn)兩江新區(qū)乃至重慶構(gòu)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，立足“芯屏器核網(wǎng)”和智能產(chǎn)業(yè)，打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈，培育更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)業(yè)集群。

穩(wěn)住你們能贏：全球企業(yè)逐利DRAM和NAND

如果還是沒(méi)能帶動(dòng)市場(chǎng)需求好轉(zhuǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈恐提前進(jìn)入寒冬，再加上原廠963DNAND資源釋放，尤其到今年第四季度傳統(tǒng)的銷售淡季，下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)恐更加艱難。

DRAM行業(yè)經(jīng)過(guò)幾十年的戰(zhàn)爭(zhēng)，目前留下三大巨頭，其中三星占據(jù)近半壁江山，2018年其市場(chǎng)份額為43．9％。

同樣來(lái)自韓國(guó)的SK海力士占29．5％，美國(guó)企業(yè)美光為22．1％。三大巨頭合計(jì)占據(jù)95％的市場(chǎng)份額，其余多家來(lái)自中國(guó)***等的廠商占比都非常低，中國(guó)大陸企業(yè)榜上無(wú)名。

中美貿(mào)易爭(zhēng)端以來(lái)，發(fā)展一條自主可控的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈逐漸成為中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)的共識(shí)，紫光、合肥長(zhǎng)鑫與福建晉華在長(zhǎng)期國(guó)產(chǎn)空白的存儲(chǔ)領(lǐng)域的進(jìn)擊也有了特別的意義。

從2016年開(kāi)始，合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華和紫光針對(duì)DRAM的計(jì)劃，投資金額高達(dá)幾百億美元，中國(guó)開(kāi)始向DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)起進(jìn)攻。

在顯示屏等產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)一定程度的突破后，紫光、合肥長(zhǎng)鑫與福建晉華在長(zhǎng)期國(guó)產(chǎn)空白的DRAM領(lǐng)域的進(jìn)擊也有了特別的意義。

從建造一座半導(dǎo)體工廠、進(jìn)駐設(shè)備再到投產(chǎn)并且獲得客戶的認(rèn)可，最樂(lè)觀的也需要兩年的時(shí)間。

現(xiàn)在中國(guó)大陸發(fā)展DRAM最主要的難度是，經(jīng)過(guò)多年的競(jìng)爭(zhēng)淘汰后，三家巨頭掌握的技術(shù)專利已經(jīng)非常齊全，跟DRAM相關(guān)的技術(shù)都掌握在它們手上，新進(jìn)者要去做就必須要在技術(shù)專利或者支撐技術(shù)上要有所突破，要么跟它們合作，要么自己去開(kāi)發(fā)，但其實(shí)都非常困難。 不過(guò)在DRAM制造上，中國(guó)大陸企業(yè)與一線大廠的差距在制程技術(shù)，但是目前制程技術(shù)的發(fā)展也遇到了瓶頸，中國(guó)大陸廠商依然具備趕上的機(jī)會(huì)。但對(duì)于能否在現(xiàn)有全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈體系之外形成新的體系，成立新體系的難度極高。

2019上半年NANDFlash產(chǎn)業(yè)遭遇冷風(fēng)和困境，如今美光宣布新加坡Fab10A新廠將在2019下半年投入生產(chǎn)3DNAND，給NANDFlash產(chǎn)業(yè)原本就供過(guò)于求的市況又一打擊，也讓市場(chǎng)業(yè)內(nèi)人擔(dān)憂后續(xù)供應(yīng)將更加過(guò)剩。

美光在新加坡已有Fab10N、Fab10X兩座3DNAND工廠，新Fab10A工廠是從2018年開(kāi)始新建，主要用于生產(chǎn)3DNAND。

為了進(jìn)一步改善市場(chǎng)供需，美光決定將NANDFlash晶圓產(chǎn)出減少比例從原來(lái)的5％提高到了10％，還將削減2020年資本支出。

韓國(guó)內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士半導(dǎo)體今年第二財(cái)季凈利潤(rùn)大幅下滑，原因是內(nèi)存芯片價(jià)格大跌和市場(chǎng)需求疲軟。

三星曾多次發(fā)起“反周期定律”價(jià)格戰(zhàn)，使得DRAM領(lǐng)域多數(shù)廠商走向破產(chǎn)，并逐漸形成DRAM領(lǐng)域只有幾家壟斷市場(chǎng)的現(xiàn)狀，而三星卻可以透過(guò)其他事業(yè)部門注入資金，走過(guò)低迷期。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布在今年8月正式推出Xtacking？2．0技術(shù)，旨在將為3DNAND帶來(lái)更出色的I／O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

Xtacking2．0技術(shù)是在Xtacking1．0技術(shù)上的突破，意味著在自主研發(fā)的路上取得了進(jìn)一步的成績(jī)，也進(jìn)一步凸顯了其技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

但產(chǎn)能問(wèn)題、閃存市場(chǎng)大環(huán)境以及工藝落后等多方面的挑戰(zhàn)仍在眼前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)依舊任重道遠(yuǎn)。

通過(guò)與奇夢(mèng)達(dá)的合作，合肥長(zhǎng)鑫獲得了一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2．8TB數(shù)據(jù)，這成為長(zhǎng)鑫的技術(shù)來(lái)源之一。

今年6月份，合肥長(zhǎng)鑫宣布12英寸存儲(chǔ)晶圓制造基地項(xiàng)目的一期研發(fā)階段所有單體已經(jīng)完成，研發(fā)線晶圓片電性能測(cè)試良好，成品芯片功能通過(guò)，正在進(jìn)行良率提升和量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。該項(xiàng)目今年的目標(biāo)是部分生產(chǎn)線投入使用。

根據(jù)計(jì)劃，合肥長(zhǎng)鑫將在2019年三季度推出8GbLPDDR4，到2019年底，產(chǎn)能達(dá)到2萬(wàn)片／月。預(yù)計(jì)在2020年建設(shè)第二座晶圓廠，2021年完成17nm研發(fā)。

合肥長(zhǎng)鑫項(xiàng)目通過(guò)與國(guó)際大廠合作，持續(xù)投入研發(fā)超過(guò)25億美元，不斷完善自身研發(fā)技術(shù)，目前已累積有1萬(wàn)6千個(gè)專利申請(qǐng)，已持續(xù)投入晶圓量超過(guò)15000片。整個(gè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資超過(guò)72億美元，工程將分3期完成，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)12．5萬(wàn)片。

福建晉華原預(yù)估2018年9月正式投產(chǎn)，到2019年底一廠一期項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)6萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能，到2020年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn)6萬(wàn)片。并適時(shí)啟動(dòng)二廠的建設(shè)，到二廠達(dá)產(chǎn)時(shí)，總產(chǎn)能將達(dá)24萬(wàn)片。

結(jié)尾

雖然2019上半年產(chǎn)業(yè)供需面臨過(guò)剩的挑戰(zhàn)，但終端需求會(huì)逐漸成長(zhǎng)，下半市況表現(xiàn)將會(huì)趨于正常，并對(duì)未來(lái)產(chǎn)業(yè)前景樂(lè)觀看待，尤其是5G、云端數(shù)據(jù)中心，以及自動(dòng)駕駛等會(huì)大量增加對(duì)DRAM與NANDFlash的需求，紫光會(huì)持續(xù)增加投資。