12 月 30 日訊，報道稱，閃存貶價現(xiàn)已兩年了，可是現(xiàn)在好日子要完畢了。自從 6 月份東芝、西數(shù)坐落日本的 NAND 閃存工廠斷電罷工一個月之后，閃存商場就一向有各種提價的風聞，聽多了咱們覺得這便是狼來了，實際上并不是，Q3 季度閃存價格就漸漸的開端收窄，這兩個月來價格乃至是驟變。

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從閃存價格來看，11 月底到現(xiàn)在的 12 月底價格漲勢最為顯著，從閃存商場的報價來看，512Gb TLC 閃存在 11 月底不過 4.10 美元，現(xiàn)在已達到了 4.32 美元，漲幅大約 5%。

5%聽起來不多，但許多產(chǎn)品狀況并不相同，部分產(chǎn)品漲幅挨近 10%，更夸大的是部分閃存一個月來的漲幅挨近 20%，這就很夸大了。

這還僅僅 NAND 閃存層面的提價，實際上閃存提價傳遞到中端產(chǎn)品提價又是別的一回事了，SSD 硬盤的價格最近現(xiàn)已大不同了。

首發(fā)上市時 1TB 價格不過 829 元

12 月 11 日，咱們報導了西數(shù)藍盤 SN550 硬盤上市的音訊，250GB、500GB、1TB 別離價格 299、469、829 元。

這幾天價格現(xiàn)已是 899 元了

不過半個月功夫，西數(shù)藍盤 SN550 硬盤就全面提價了，1TB 現(xiàn)在要 899 元了，這個價格不是說曩昔兩周緩慢漲的，直到 26 號價格還沒變，然后就漲到了 899 元，漲幅 12%。

關于提價，職業(yè)剖析總會從 5G 手機迸發(fā)、數(shù)據(jù)中心需求回溫之類的說辭解說，實際上并沒有這么雜亂，5G 手機這才多大點量，底子不可能現(xiàn)在就影響商場方向，本質(zhì)上便是本年幾大供貨商減少產(chǎn)能導致的，然后導致了商場供需發(fā)生了改變。

閃存仍是僅僅一方面，DRAM 內(nèi)存的價格才是要害，現(xiàn)在來看還沒有太顯著的提價，商場預期是下一年 Q2 之前漲不起來，但現(xiàn)在的狀況恐怕等不了那么久，下一年 Q1 季度的合約價商洽被爆現(xiàn)已有改變了，橫豎貶價是不可能的了，就看漲多少、何時漲了。

近期報道稱，上海中國國際半導體博覽會舉行前夕，公司宣布已開始量產(chǎn)基于 XtackingR 架構的 64 層“三階儲存單元”3D NAND 閃存。作為中國首款 64 層 3D NAND 閃存，該產(chǎn)品將亮相博覽會紫光集團展臺。

所謂 3D NAND 是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來，形成多層結構提供容量，使原本只有 1 層的儲存單元堆疊成 64 層或更多層。

縮短產(chǎn)品上市周期

報道指出，長江存儲 64 層三維閃存是全球首款基于 Xtacking 架構設計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高存儲密度。創(chuàng)新的 Xtacking 技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統(tǒng)三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

長江存儲相關負責人向《大公報》表示，長江存儲 64 層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術差距縮短到兩年以內(nèi)。

紫光集團聯(lián)席總裁刁石京表示，長江存儲進入到這個領域之前，國內(nèi)一直沒有大規(guī)模存儲芯片的生產(chǎn)，未來，隨著云計算、大數(shù)據(jù)的發(fā)展，人類對數(shù)據(jù)存儲要求是越來越高，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域，它的量產(chǎn)也標志著中國離國際先進水平又大大跨近一步，把中國產(chǎn)品水平跟海外的先進水平縮短到了一代。

明年底月產(chǎn)六萬片晶圓

報道稱，存儲芯片競爭激烈，三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入。2018 年，64 層、72 層的 3D NAND 閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品，2019 年開始量產(chǎn) 92 層、96 層的產(chǎn)品，到 2020 年，大廠們即將進入 128 層 3D NAND 閃存的量產(chǎn)。

業(yè)界有關人士分析，長江儲存發(fā)展迅速，但目前表態(tài)保守，其雖然未公布量產(chǎn)規(guī)模，預計 2020 年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn) 6 萬片晶圓的水平。

據(jù)報道，長江存儲 64 層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國存儲芯片自產(chǎn)率從 8%提升至 40%。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲的 64 層 3D NAND 閃存量產(chǎn)消息別具意義。

業(yè)界預測，長江存儲最快明年跳過 96 層直接進入 128 層三維閃存，實現(xiàn)彎道超車。據(jù)悉，長江存儲已推出 Xtacking2.0 規(guī)劃，借以提升 NAND 吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化 NAND 全新商業(yè)模式等，相關產(chǎn)品將被廣泛應用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備等領域。