與2018 年的并購、建廠、擴產、投產相比，到目前為止，今年的存儲器領域并未出現(xiàn)大規(guī)模的并購建廠，而是更加注重技術的升級、以及新產品的研發(fā)。

2019 年長鑫 19 納米 DRAM 正式量產，17 納米工藝重大突破；長江存儲 64 層 3D NAND 量產，128 層 3D NAND 取得重大突破。2020 年中國大陸存儲進入豐年。

下面一起回顧一下 2019 年存儲產業(yè)領域發(fā)生的那些大事件。

一、國內篇

2019 年 2 月 20 日，東南大學國家 ASIC 工程中心時龍興教授、楊軍教授團隊在 ISSCC 上發(fā)表了題為《Sandwich-RAM： An Energy-Efficient In-Memory BWN Architecture with Pulse-Width Modulation》的論文，這是 ISSCC 上第一次錄用中國大陸存儲芯片領域相關論文，是首次深度學習處理器領域入選的論文。

1、合肥長鑫 CXMT

長鑫存儲首次介紹建設情況

2019 年 5 月 15 日，DRAM 生產商長鑫存儲董事長兼 CEO 朱一明介紹長鑫的建設經歷和知識產權體系。

朱一明表示，長鑫存儲通過自主研發(fā)再創(chuàng)新，累計投入 25 億美元研發(fā)費用，建成了嚴謹合規(guī)的研發(fā)體系，并結合當前先進設備完成了大幅度的工藝改進，開發(fā)出獨有的技術體系，拉近了與世界先進水平的技術差距。長鑫存儲完成了第一座 12 英寸 DRAM 存儲器晶圓廠的建設，技術和產品研發(fā)有序開展。目前，制造工藝進展順利，已持續(xù)投入晶圓超過 15000 片。

平爾萱談長鑫技術問題

2019 年 9 月 19 日，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士在演講中表示 基于授權所得的奇夢達相關技術和從全球招攬的極具豐富經驗的人才，長鑫存儲借助先進的機臺已經把原本奇夢達的 46 納米 DRAM 平穩(wěn)推進到了 10 納米級別。公司目前開始在 EUV、HKMG 和 GAA 等目前還沒有在 DRAM 上實現(xiàn)的新技術進行探索。

8Gb DRAM 芯片宣布投產

2019 年 9 月 20 日，在 2019 世界制造業(yè)大會上，合肥長鑫自主制造項目宣布投產，其與國際主流 DRAM 產品同步的 19 納米第一代 8Gb DDR4 首度亮相。

據了解，長鑫存儲內存芯片自主制造項目于 2016 年 5 月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目，一期設計規(guī)劃產能每月 12 萬片晶圓。

目前，該項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。據長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示，投產的 8Gb DDR4 已經通過多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付。8Gb LPDDR4X 也于第四季度實現(xiàn)投產。

集成電路制造基地項目簽約

2019 年 9 月 21 日，在 2019 世界制造業(yè)大會上，合肥市政府與長鑫存儲技術有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司等就合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約。

合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過 2200 億元，選址位于合肥空港經濟示范區(qū)，占地面積約 15.2 平方公里，由長鑫 12 英寸存儲器晶圓制造基地項目、空港集成電路配套產業(yè)園和合肥空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。

其中長鑫 12 英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資 1500 億元；空港集成電路配套產業(yè)園總投資超過 200 億元，位于長鑫存儲項目以西；合肥空港國際小鎮(zhèn)總投資約 500 億元，規(guī)劃面積 9.2 平方公里，總建筑面積 420 萬平方米，位于長鑫存儲項目以北。

制造基地全部建成后，預計可形成產值規(guī)模超 2000 億元，集聚上下游龍頭企業(yè)超 200 家，吸引各類人才超 20 萬人。

專利授權

2019 年 12 月，長鑫存儲和 WiLAN Inc. 聯(lián)合宣布，長鑫存儲與 WiLAN Inc. 合資子公司 Polaris Innovations Limited 有關達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。依據專利許可協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 獲得大量奇夢達（Qimonda）的 DRAM 技術專利的實施許可。

未來規(guī)劃

根據規(guī)劃，長鑫存儲合肥 12 英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產能為 12 萬片，預計分為三個階段執(zhí)行，第一階段要完成單月 4 萬片，目前為 2 萬片，2020 年第一季底達到 4 萬片。2020 年開始規(guī)劃建設二期項目，并于 2021 年完成 17nm 工藝的 DRAM 研發(fā)。

2、紫光集團

宣布進軍 DRAM 產業(yè)

2019 年 6 月 30 日，紫光集團正式宣布組建 DRAM 事業(yè)群，委任刁石京為 DRAM 事業(yè)群董事長，高啟全（Charles Kau）為 DRAM 事業(yè)群首席執(zhí)行官（CEO）。此舉標志著 DRAM 業(yè)務版塊在紫光集團內部獲得戰(zhàn)略提升。

隨后，紫光迅速布局，8 月 27 日和重慶市人民政府簽署紫光存儲芯片產業(yè)基地項目合作協(xié)議。根據協(xié)議，紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設立紫光國芯集成電路股份有限公司，建設包括 DRAM 總部研發(fā)中心在內的紫光 DRAM 事業(yè)群總部、DRAM 存儲芯片制造工廠。

12 英寸 DRAM 存儲芯片制造工廠計劃于 2019 年底開工建設，預計 2021 年建成投產。

64 層 3D NAND 閃存投產

2019 年 8 月 26 日，長江存儲 64 層 3D NAND 閃存芯片在第二屆中國國際智能產業(yè)博覽會上首次公開展出。

9 月 2 日，長江存儲在其官方微信正式宣布，已經投產基于 Xtacking 架構打造的 64 層 256 Gb TLC 3D NAND 閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

長江存儲上海研發(fā)中心落戶張江

2019 年 8 月 31 日，2019 世界人工智能大會“生態(tài)引領、智鏈浦東”峰會在世博中心召開。會上，長江存儲上海研發(fā)中心簽約上海集成電路設計產業(yè)園。

紫光長存（上海）集成電路有限公司與張江高科簽約的長江存儲上海研發(fā)中心為自主研發(fā)存儲芯片項目，將在張江成立上海研發(fā)中心，預計研發(fā)投入每年不低于 1 億元。

聘任坂本幸雄

2019 年 11 月 15 日，紫光集團正式宣布任命前爾必達 CEO 坂本幸雄（Yukio Sakamoto）為紫光集團高級副總裁兼日本分公司 CEO，負責拓展紫光在日本市場的業(yè)務。

坂本幸雄在接受《鉆石周刊》獨家專訪中談到，紫光的目標是 5 年內量產 DRAM，他的工作就是協(xié)助達成目標。紫光要在日本神奈川縣川崎辦公室設立“設計中心”，預定招募 70 到 100 位工程師，和中國的制程據點密切合作，大約花 2、3 年建構量產的體制。

武漢新芯二期投產

2019 年武漢新芯二期擴產項目順利投產，將于 2020 正式量產。

2018 年 8 月 28 日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開二期擴產項目現(xiàn)場推進會在武漢召開。據悉武漢新芯二期擴產項目規(guī)劃總投資 17.8 億美元；2018 年 12 月開始進入設備安裝調試。

紫光成都存儲器制造基地項目

2019 年，原預計于 2020 年第三季投產的紫光成都存儲器制造基地項目主廠房還在建設中。

2018 年 10 月 12 日，紫光成都存儲器制造基地項目開工。據介紹，紫光成都存儲器制造基地項目占地面積約 1200 畝，總投資達 240 億美元，將建設 12 寸 3D NAND 存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯(lián)產品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導體產業(yè)基地。據悉，項目全部建成將可形成月產芯片 30 萬片。

128 層 3D NAND 獲突破

2019 年長江存儲 128 層 3D NAND Flash 已經取得重大突破，目前正在改進良率中，預期 2020 年投產。

未來規(guī)劃

長江存儲武漢廠目前的產能約月產能 2 萬片，預計到 2020 年四季度會達到月產能 5 萬片。

紫光成都廠按計劃 2020 年第三季度投產，到 2020 年四季度月產能可爬升到 1 到 2 萬片。

按照計劃，2019 年順利量產 64 層 3D NAND Flash 之后，長江存儲會跳過 96 層堆疊直接殺向 128 層堆疊，而據悉 128 層 3D NAND Flash 也已經取得重大突破，這也意味著，2020 年長江存儲將要進行 128 層 3D NAND Flash 的量產。

3、晉華集成

據悉，晉華工廠有 200 余臺設備，原計劃 2018 年底試產。然而，由于福建晉華和美光之間的訴訟，美國當地時間 2018 年 10 月 29 日，美國將福建晉華列入了出口管制的實體清單。隨后，聯(lián)電也宣布暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助。至此福建晉華的 DRAM 幾乎陷入停滯。

但是 2019 年以來，筆者在多個場合見到晉華集成副總經理徐征，雖然并未透露任何有關晉華的信息，但其代表晉華公開現(xiàn)身，應該表明“晉華仍在運轉當中”。

二、海外篇

1、鎧俠 / 東芝

與西數聯(lián)合投資北上 K1 工廠

2019 年 5 月，和西數達成正式協(xié)議，共同投資在日本巖手縣北上市建造的“K1”制造工廠。

K1 工廠的建設預計將在 2019 年秋季完成，而東芝存儲器和西部數據對 K1 工廠設備的聯(lián)合投資將從 2020 年開始實現(xiàn) 96 層 3D NAND Flash 的初始生產。

四日市工廠停電

2019 年 6 月 15 日，日本四日市停電 13 分鐘（從 18:25 到 18:38），而東芝存儲器因為在該市擁有多個工廠也隨之備受關注。

東芝存儲器在四日市市運營的 6 個晶圓廠（NY2，Y3，Y4，Y5-1，Y5-2 和 Y6），都遭受不同程度的損失。

2019 年 6 月下旬，西部數據表示停電事故影響到西部數據共約 6EB 當量的 wafer 產出，約占當季供應量的一半左右。

收購***光寶 SSD 業(yè)務

2019 年 8 月 30 日，與光寶（liton Technology Corporation）簽署了收購其 SSD（固態(tài)硬盤）業(yè)務的最終協(xié)議。收購價格為 1.65 億美元，該交易預計將于 2020 年上半年完成，并將根據慣例進行收市調整和監(jiān)管審批。

其中收購包括存貨、機器設備、員工團隊、技術與知識產權、客戶供應商關系等營業(yè)與資產，預計 2020 年 4 月 1 日完成。

此次收購視為加強公司 SSD 業(yè)務的一種方式。

更名 Kioxia

2019 年 10 月 1 日，東芝存儲器正式更名為 Kioxia 公司。全球所有東芝存儲器公司都會采用新的品牌名稱 Kioxia，基本上同一天生效。而東芝電子（中國）有限公司計劃將于 2020 年春天完成更名。

東芝存儲器稱，融合了“記憶”與“價值”的雙重含義，Kioxia 代表了公司以“存儲”助力世界發(fā)展的使命，同時也是公司愿景的基石。

Kioxia 將開創(chuàng)新的存儲器時代，以應對日益增大的容量、高性能存儲和數據處理的需求。

2、美光

恢復向華為出貨部分芯片

2019 年 5 月，美國商務部將華為列入一項黑名單后，美國存儲芯片大廠美光也停止了華為的出貨。然而，不久之后，有外媒報道，美光執(zhí)行長 Sanjay Mehrotra 表示，在評估美國對華為的禁售令之后，已經恢復部分芯片出貨。

美光確定，可以合法恢復一部分現(xiàn)有產品出貨，因為這些產品不受出口管理條例 （EAR） 和實體清單的限制。Mehrotra 同時指出，因為華為的情況依然存在不確定性，因此美光無法預測對華為出貨的產品數量或持續(xù)時間。

不過，到目前為止，尚未有美光再次向華為停止出貨的消息傳出。

延遲日本廣島 DRAM 新廠投資計劃

美光位于日本廣島的 DRAM 工廠（Fab 15）最新的生產廠房 B 棟已于 2019 年 6 月初落成啟用，其無塵室的面積較原先擴大了 10%，并計劃進行新一代 DRAM 的生產，以縮小與三星的差距。

Fab 15 實際上是在 2013 年美光買下爾必達后納入麾下的，原計劃在今年中期在該廠展開 1Z nm 制程的下一代 DRAM 生產，不過據傳該廠已動工的 F 棟廠房部分擴建已經向后推遲了 7 個月，F(xiàn) 棟廠房原本預計在 2020 年的 7 月份完成興建，如今已經延遲到 2021 年的 2 月份，足足向后延遲了 7 個月的時間。

各中原因，眾說紛紜，有說是因為對華為禁運，有說是因為數據市場低迷。

新加坡閃存廠完成擴建

2019 年 8 月 14 日，美光宣布完成新加坡 NAND Flash 廠 Fab 10A 的擴建，這是繼 Fab 10N、Fab 10X 之后的第三座 NAND Flash 工廠。

擴建的 Fab 10A 為晶圓廠區(qū)無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進 3D NAND 技術先進制程節(jié)點的技術轉型。另外，擴建的 Fab 10A 廠區(qū)將根據市場需求調整資本支出，在技術及產能轉換調整情況下，F(xiàn)ab 10 廠區(qū)總產能將保持不變。

*** DRAM 擴產

2019 年 8 月，美光（Micron）將在***加碼投資，要在現(xiàn)有廠區(qū)旁興建 2 座晶圓廠，總投資額達 4000 億元新臺幣（約合人民幣 903 億元），生產最新制程 DRAM。美光此次 4000 億新臺幣擴建案，規(guī)劃在目前中科廠旁，興建 A3 及 A5 二座晶圓廠。

其中，A3 廠房是以擴建無塵室為名，且已進入工程興建階段，預定 2020 年 8 月完工投，并陸續(xù)裝機，2020 年第 4 季導入最新的 1Z 制程試產，借此縮小與三星的差距；第二期 A5 廠將視市場需求，逐步擴增產能，規(guī)劃設計月產能 6 萬片。

完成收購 IMF，結束和英特爾的合作

2019 年 10 月 31 日，美光完成對英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies 的股權收購，位于猶他州 Lehi 的工廠成為美光的全資子公司。此舉表明，美光和英特爾在 NAND Flash 方面的合作也將徹底結束，包括 3D NAND 技術的研發(fā)，將各自獨立推動自己的未來技術路線圖。

3、SK 海力士

停產部分 NAND Flash 產 品

2019 年第一季度，SK 海力士財報表現(xiàn)不盡如人意，營收為 6.77 兆韓元，環(huán)比下滑 32%，同比下滑 22%；營業(yè)利潤為 1.37 兆韓元，環(huán)比下滑 69%，同比下滑 69%；凈利潤 1.1 兆韓元，環(huán)比下滑 68%，同比下滑 65%。

因此，SK 海力士表示，為專注于改善收益，在 NAND Flash 部分，將停止生產成本較高的 36 層與 48 層 3D NAND，同時提高 72 層產品的生產比重。

在 DRAM 領域，將逐漸擴大第一代 10 納米 （1X） 產量，并從下半年起，將主力產品更換為第二代 10 納米 （1Y） 產品。與此同時，為支援新款服務器芯片的高用量 DRAM 需求，將開始供給 64GB 模塊產品。

無錫新廠完工

2019 年 4 月 18 日，SK 海力士無錫二工廠（C2F）舉行了竣工儀式。二工廠是在原有 DRAM 生產線 C2 的基礎上實施的擴建工程。二工廠項目全部建成后，SK 海力士無錫工廠將形成月產 18 到 20 萬片 12 英寸晶圓的產能。

不過由于各種原因，目前產能推進不是很積極。

量產業(yè)界首款 128 層 4D NAND 芯片

2019 年 6 月 26 日，SK 海力士宣布，已成功開發(fā)并開始量產世界上第一款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存芯片。

在相同的 4D 平臺和工藝優(yōu)化下，SK 海力士在現(xiàn)有 96 層 NAND 的基礎上又增加了 32 層，使制造工藝總數減少了 5%。與以往技術遷移相比，96 層向 128 層 NAND 過渡的投資成本降低了 60%，大大提高了投資效率。

這款 128 層的 1Tb NAND 閃存芯片實現(xiàn)了業(yè)界最高的垂直堆疊，擁有 3600 多億個 NAND 單元，每個單元在一個芯片上存儲 3 位。相較于此前的 96 層 4D NAND，SK 海力士新的 128 層 1Tb 4D NAND 可使每塊晶圓的位產能提高 40%。

4、三星

全球首發(fā)量產 512GB eUFS3.0 閃存芯片

2019 年 2 月 27 日，三星電子宣布，全球首發(fā)量產 512GB eUFS3.0 閃存芯片，成為了全球唯一一家可以量產 512GB eUFS3.0 閃存芯片的公司，該芯片用于三星折疊屏手機 Galaxy Fold。

三星電子表示，eUFS3.0 芯片連續(xù)讀取速度可達 2100MB/s，是現(xiàn)有 eUFS 2.1 速度的兩倍有余，也是普通 SD 卡速度的 20 多倍，計劃下半年開始供應 1TB 與 256GB 規(guī)格的 eUFS 3.0 閃存芯片。

推出 1Z 納米制程 DRAM

在 DRAM 制程陸續(xù)進入 10 納米級制程后，三星電子于 2019 年 3 月 21 日宣布，開發(fā)第三代 10 納米等級（1znm）8GB DDR4。

而這也是三星發(fā)展第二代（1ynm）制程 DRAM 之后，經歷 16 個月，在不使用 EUV 的情況下，再次開發(fā)出更先進制程的 DRAM 產品。

隨著 1znm 制程產品問世，并成為業(yè)界最小的存儲器生產節(jié)點，三星的生產效率比以前 1ynm 等版 DDR4 DRAM 高 20%以上。

三星指出，跨入 1znm 制程的 DRAM 生產，將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預做準備。

量產全球首款 12Gb LPDDR5 DRAM

2019 年 7 月 18 日，三星電子官方宣布量產全球首款 12Gb LPDDR5 DRAM。據了解，三星 12Gb LPDDR5 DRAM 主要針對未來智能手機，優(yōu)化其 5G 和 AI 功能。

采用第 2 代 10 納米等級（1ynm）制程的新款 12Gb LPDDR5 DRAM，傳輸速度可達到 5500Mbps，是現(xiàn)有 LPDDR4X 速率 4266Mbps 的 1.3 倍。

三星表示，2020 年將量產 16Gb 的 LPDDR5 DRAM 顆粒。

三星西安基地擴產

2019 年 12 月 25 日，三星西安二期二階段開工，預計投資達 80 億美元，規(guī)劃月產能 7 萬片。

三星西安基地二期一階段月產能 6 萬片，已經開始投片試產，將于 2020 年 3 月正式量產。

二期整體完工后，西安總產能將高達 25 萬片。

三星華城停電

2019 年 12 月 31 日下午，三星華城基地發(fā)生大約一分鐘的斷電事故，導致三星華城芯片工廠的部分芯片生產已經暫停。

據悉，此次斷電是因為區(qū)域電力傳輸電纜出現(xiàn)問題，目前部分 DRAM 和 NAND 閃存的生產已經暫停，預計需要大約兩到三天時間才能全面恢復。此次事故可能造成數百萬美元損失，但沒有造成重大破壞。

而 2018 年，三星平澤工廠一次半小時的斷電造成了據估計高達 500 億韓元（約合 4332 萬美元）的損失。

5、英特爾

2019 年 9 月，英特爾表示，3D XPoint 閃存依然采用第一代兩層堆疊技術，制造還依賴美光工廠的產能。

明年上市的第四代 3D 閃存已經確定將使用 144 層堆疊技術，并且同 96 層堆疊時代不同的是 QLC 閃存將成為首發(fā)產品。但繼續(xù)沿用 Floating Gate 浮柵結構，英特爾表示這種結構在數據保存期上較 Charge Trap 結構更有優(yōu)勢。

PLC（5bit per cell）可行性也在討論中，并沒有量產的時間表。

出售 IMF，結束和美光的合作

2019 年 10 月 31 日，英特爾完成在和美光的合資公司 IM Flash Technologies 中的股權出售，位于猶他州 Lehi 的工廠成為美光的全資子公司。此舉表明，美光和英特爾在 NAND Flash 方面的合作也將徹底結束，包括 3D NAND 技術的研發(fā)，將各自獨立推動自己的未來技術路線圖。

6、華邦電子

高雄新廠延后

華邦電子高雄 12 英寸廠房于 2019 年 7 月封頂，原本預期 2021 年底可開始進入生產，初期以 25 納米 DRAM 開始投片。2019 的 2 月 6 日華邦電子表示，由于 2012 年存儲器市況將趨于穩(wěn)定，但因存儲器價格仍然不好，所以高雄 12 英寸廠的裝機時間將遞延到 2022 年第一季。

中科廠挺進下一代制程

2019 年，中科廠已經安裝 20 納米和 25 納米的 DRAM 設備，在此試驗新制程，如果良率得以提升，然后再搬到高雄新廠量產。

7、旺宏電子

加碼 3D NAND Flash

2019 年 12 月 9 日，旺宏公司表示將于 2020 年下半年開始量產 48 層 3D NAND 存儲器，并且已經收到了客戶的訂單。此外，公司計劃在 2021 年量產 96 層，在 2022 年量產 192 層 3D NAND 存儲器。

旺宏成立 30 年，目前已經在 ROM、NOR Flash 拿下全球第一的地位，下一個目標則是要在 20 年內，成為 NAND Flash 的領導廠商。

8、南亞科技

自主研發(fā) 10 納米級工藝

2019 年，南亞科技完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術，將在 2020 年下半年試產。

南亞科技現(xiàn)在以 20 納米技術為主力，技術來源為美光。隨著南亞科技 10 納米制程導入自主技術，意味未來不再仰賴美光授權，擺脫數十年來技術長期依賴國際大廠的狀況，免除動輒上百億元的授權費用。

南亞科技已成功開發(fā)出 10 納米 DRAM 新型記憶體生產技術，使 DRAM 產品可持續(xù)微縮至少三個時代。第一代的 10 納米前導產品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5 將建構在自主制程技術及產品技術平臺，2020 下半年后將進入產品試產。第二代 10 納米制程技術已開始研發(fā)階段，預計 2022 年前導入試產，后續(xù)會開發(fā)第三代 10 納米制程技術。