泛林集團(tuán)首席技術(shù)官Rick Gottscho博士接受了行業(yè)媒體Semiconductor Engineering （SE）的專訪，分享他對于存儲和設(shè)備微縮，新市場需求，以及由成本、新技術(shù)和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用所推動(dòng)的生產(chǎn)變革方面的看法。以下節(jié)選自采訪原文。

泛林集團(tuán)首席技術(shù)官Rick Gottscho博士

Q1： 我們終于迎來了EUV光刻工藝時(shí)代，放眼所有這些工藝節(jié)點(diǎn)，您如何看待它們？您是否看到了市場對3nm節(jié)點(diǎn)的趨之若鶩？

Rick Gottscho：當(dāng)然，5nm工藝比7nm要困難許多，3nm工藝的難度就更大了。我認(rèn)為現(xiàn)在市場對7nm工藝的需求還很強(qiáng)勁，對5nm工藝的需求也將會很強(qiáng)勁。一些節(jié)點(diǎn)由于沒有帶來足夠的收益而曇花一現(xiàn)，我們客戶的客戶可能在尋找下一個(gè)節(jié)點(diǎn)并暫時(shí)觀望。我們很難斷言哪個(gè)節(jié)點(diǎn)將成為“殺手锏”、哪個(gè)會是曇花一現(xiàn)，但對先進(jìn)器件的持續(xù)性需求仍然是大勢所趨。其中，大部分需求是由人工智能中的大數(shù)據(jù)活動(dòng)來驅(qū)動(dòng)的，這讓我們必須處理大量信息。高速處理器、密集處理器和存儲就顯得至關(guān)重要。

Q2： 現(xiàn)在有很多不同的存儲技術(shù)進(jìn)入市場，這會產(chǎn)生什么影響？

Rick Gottscho：很顯然，DRAM的微縮越來越困難。我們預(yù)計(jì)DRAM仍會有三代發(fā)展前景，但每一代的成本和性能優(yōu)勢都在減弱，這一空缺需要填補(bǔ)。因此，介于NAND和DRAM之間的存儲級內(nèi)存空間便應(yīng)運(yùn)而生，PCRAM（相變存儲器）或XPoint存儲填補(bǔ)了部分空缺，但并非全部。PCRAM或XPoint還可以創(chuàng)造新的終端產(chǎn)品，為市場增長開辟傳統(tǒng)NAND和DRAM難以企及的新途徑。我們認(rèn)為，替代DRAM的解決方案將不止一種，可能會有三至四種新形態(tài)共同填補(bǔ)這一空間，對DRAM市場進(jìn)行替代或部分替代。我們相信，無論由什么來填補(bǔ)解決方案空間，它都會涉及到3D架構(gòu)。

Q3： 泛林集團(tuán)在這之中能夠發(fā)揮什么樣的作用？

Rick Gottscho：我們提供的設(shè)備能夠處理高深寬比結(jié)構(gòu)，不僅僅是垂直結(jié)構(gòu)，還包括水平—垂直組合結(jié)構(gòu)。具體而言是由內(nèi)而外的處理模式，和現(xiàn)今鎢材料處理模式一樣，先將氧化物/氮化物（ONON）或氧化物/多晶硅（OPOP）等材料堆疊組合起來，再通過該組合實(shí)現(xiàn)對高深寬比結(jié)構(gòu)的蝕刻。我們認(rèn)為，由2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND的解決方案將廣泛適用于所有新存儲類型。引入新的材料肯定會提高復(fù)雜性，尤其是像MRAM堆棧這種結(jié)構(gòu)，除了復(fù)雜以外工藝要求也高，很難進(jìn)行垂直蝕刻。因此，任何高密度的獨(dú)立MRAM至今沒有出現(xiàn)，都是被嵌入到邏輯中，這是材料特性導(dǎo)致的結(jié)果。

Q4： 達(dá)到192/196層之后，3D NAND的發(fā)展會變慢嗎？

Rick Gottscho：我們很看好3D NAND的前景，在這個(gè)領(lǐng)域的主要挑戰(zhàn)有兩個(gè)。一是隨著沉積層數(shù)的提升，薄膜應(yīng)力會持續(xù)累積，最終導(dǎo)致晶圓翹曲并使圖案變形，因此雙層或三層結(jié)構(gòu)的解決方案中，對齊將成為一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。我們推出的一種新產(chǎn)品能從背面進(jìn)行沉積從而抵消晶片正面的應(yīng)力。此外，我們還推出了能降低薄膜固有應(yīng)力的方案。盡管這些產(chǎn)品和方案有助于防止晶片翹曲，但它們并不能阻止模內(nèi)和面內(nèi)變形，有時(shí)甚至?xí)又剡@種變形，因?yàn)樗鼈儠尵惺懿煌较虻膲毫Γ率咕拖癖汇Q子夾住一樣，變得更“平”。所有這些壓力最終會影響到圖形的準(zhǔn)確性，所以我們要同時(shí)從外部應(yīng)力和內(nèi)應(yīng)力兩個(gè)角度來解決這個(gè)問題。

Q5： 有了3D NAND，每個(gè)節(jié)點(diǎn)的位密度都增大了，每個(gè)單元也有更多的位。對此，市場需求是否充足？

Rick Gottscho：從長期來看需求十分強(qiáng)勁。在數(shù)據(jù)及其生成和存儲領(lǐng)域，呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。所有這些用于挖掘數(shù)據(jù)的應(yīng)用都會為新應(yīng)用提供更多數(shù)據(jù)，因此對數(shù)據(jù)的需求是無止境的，并需要永久存儲數(shù)據(jù)。你沒有理由不能挖掘10年前獲取的數(shù)據(jù)并從中提取價(jià)值，前提是這些數(shù)據(jù)的存儲方式便于提取。如果考慮4位和5位單元，泛林集團(tuán)在這方面做得非常成功。你真的在把電流/電壓特性數(shù)字化。分割I(lǐng)/V曲線的精確度取決于這個(gè)器件是否與其相鄰或位于其上的器件看起來一模一樣。因此，如果存儲孔刻蝕不夠均勻，那么每個(gè)器件都會與所在陣列的其他器件有些許不同，你就需要進(jìn)行大量的誤差校正，使得“這個(gè)”器件與“那個(gè)”器件的相似度差距在4或5位范圍內(nèi)。在打造3D NAND結(jié)構(gòu)方面，除了誤差校正和啟動(dòng)5位單元的算法和電路外，沉積和刻蝕的加工精度也至關(guān)重要。

Q6： 現(xiàn)在ALE（原子層刻蝕技術(shù)）發(fā)展到哪一步了？

Rick Gottscho：現(xiàn)在已經(jīng)有了批量生產(chǎn)的ALE解決方案，有時(shí)則是準(zhǔn)ALE。正如ALD（原子層沉積技術(shù)）一樣，你永遠(yuǎn)無法真正到達(dá)極限，因?yàn)檫@一過程太緩慢了。因此，你會做出妥協(xié)，通過接近這一極限來獲得大部分收益，并處理未達(dá)到極限的不利影響。不管是ALD還是ALE，生產(chǎn)效率和精確度之間都需要達(dá)到一個(gè)平衡。我們所說的混合模式脈沖（MMP）其實(shí)就是一種高生產(chǎn)率的方式。在不斷接近ALE極限的過程中，有一系列工藝被普遍采用。最大的問題是，我們能否通過這一系列工藝，進(jìn)一步得到一個(gè)純ALE或ALD工藝，因?yàn)槠涫找鎸⑹呛芸捎^的。這對于各向同性刻蝕和各向異性刻蝕都可以適用。由于到處都有柵極，有一個(gè)需要用極高選擇性進(jìn)行處理的各向同性成分。如果能使其具備足夠的生產(chǎn)力，ALE會是一個(gè)自然的工藝解決方案。這就是ALE面臨的挑戰(zhàn)——如何使其更快。

Q7： 最后一個(gè)問題。請您展望一下整個(gè)行業(yè)在未來幾年的前景，有可能遇到的障礙有哪些？

Rick Gottscho：開發(fā)成本一直是個(gè)大問題，工藝缺陷更是個(gè)難題。首先是測量，除了速度慢和成本高以外，現(xiàn)在測量的難度也越來越大。在這種情況下，客戶的最終采樣能力受到了限制。有時(shí)采樣成本過高致使不得不放棄檢查，當(dāng)然那就要面對質(zhì)量失控的風(fēng)險(xiǎn)。解決問題的希望在于虛擬測量和數(shù)據(jù)。所以這些挑戰(zhàn)也帶來了機(jī)遇。而EUV光刻還需要解決缺陷率問題。但總的來說，我對于這些問題的解決持樂觀態(tài)度。我們轉(zhuǎn)向干膜光刻膠的原因之一就是似乎沒有其他可行方案，尤其是采用High-NA技術(shù)的EUV光刻。但集合整個(gè)行業(yè)的力量，我們最終會克服這些挑戰(zhàn)的。另一個(gè)問題是大數(shù)據(jù)，這個(gè)領(lǐng)域有大量未開發(fā)的機(jī)會，但問題是半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)很難實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)共享。在大數(shù)據(jù)方面，我對醫(yī)療保健行業(yè)更為樂觀，這個(gè)行業(yè)可以收集大量的個(gè)人數(shù)據(jù)，進(jìn)行匿名化處理和挖掘后再應(yīng)用于一般人群和個(gè)體，根據(jù)表觀基因組特性打造量身定制的解決方案。如果半導(dǎo)體行業(yè)也能如此將會是一件很好的事情，我們就可以將很多客戶的數(shù)據(jù)結(jié)合起來，然后再通過某種方式實(shí)現(xiàn)對這些數(shù)據(jù)的多維度挖掘?，F(xiàn)在每個(gè)人都認(rèn)識到數(shù)據(jù)的價(jià)值，大家都不愿意放手，但這樣就會抑制整個(gè)行業(yè)生態(tài)的創(chuàng)新力。