引言

　　在綜合驗(yàn)光儀的驗(yàn)光過(guò)程中，用戶會(huì)根據(jù)不同的測(cè)試需求和習(xí)慣設(shè)置一些系統(tǒng)配置參數(shù)，這些參數(shù)需要保存起來(lái);更為重要的是，患者測(cè)得的雙眼屈光數(shù)據(jù)也需要長(zhǎng)時(shí)間地保存起來(lái)，以備下次更換眼鏡時(shí)作為配鏡參考和數(shù)據(jù)比較。這樣，就面臨一個(gè)系統(tǒng)掉電后數(shù)據(jù)保存的問(wèn)題。

　　傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類：非易失性存儲(chǔ)器包括EPROM、EEPROM和Flash等，在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，但由于采用 ROM技術(shù)，所以存在寫入時(shí)間長(zhǎng)、寫入次數(shù)有限、寫入時(shí)功耗較高等缺點(diǎn);而易失性存儲(chǔ)器雖然性能高、寫入次數(shù)不受限制、易用，但在掉電的情況下數(shù)據(jù)無(wú)法保存。對(duì)于大量數(shù)據(jù)的掉電存儲(chǔ)，大多采用SRAM加后備電池的方法實(shí)現(xiàn)，在實(shí)際使用過(guò)程中存在著數(shù)據(jù)不可靠、數(shù)據(jù)容易丟失以及需要維護(hù)電池等一系列的問(wèn)題，大大增加了產(chǎn)品維護(hù)的工作并降低了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。鐵電存儲(chǔ)器FRAM的出現(xiàn)為以上問(wèn)題的解決提供了一個(gè)很好的方案。

　　鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是美國(guó)Ramtron公司推出的一款掉電數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，它結(jié)合了高性能和低功耗操作，能在沒(méi)有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。 FRAM不僅克服了EEPROM和Flash寫入時(shí)間長(zhǎng)、寫入次數(shù)有限的缺點(diǎn)，又避免了增加備用電池，做到了快速、可靠的數(shù)據(jù)掉電保存。FRAM鐵電存儲(chǔ)器因其掉電不丟失、讀寫速度快、無(wú)限次讀寫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，逐步成為一種主流存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用在儀器儀表、工業(yè)控制、數(shù)字家電和通信產(chǎn)品等方面。

　　1 FM1808鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

　　FM1808是由Ramtron公司推出的一款存儲(chǔ)容量為32K×8位的并行接口FRAM。其主要特點(diǎn)有：采用64K×8位的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu);低電壓，使用2.7～3.6 V電源供電;無(wú)限次讀寫;掉電數(shù)據(jù)保存1O年;讀寫速度快，內(nèi)存訪問(wèn)速度可達(dá)70 ns;先進(jìn)的高可靠性鐵電存儲(chǔ)方式;低功耗，小于20μA的靜態(tài)工作電流，讀寫操作的功耗相同。

　　2 FM1808存儲(chǔ)器讀寫操作

　　FM1808通過(guò)并行口與外部處理器進(jìn)行接口，其操作雖然與SRAM十分類似，但在使用過(guò)程中應(yīng)注意它們之間的細(xì)微差異。FM1808時(shí)序和普通SRAM時(shí)序的比較如圖1所示。

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　　圖1 FM1808時(shí)序和普通SRAM時(shí)序的比較

　　由FM1808的時(shí)序波形和主要特性可知，在使用FM1808時(shí)需要注意以下幾個(gè)方面：

　?、俨⒖贔M1808內(nèi)含地址鎖存器，在芯片使能端()的下降沿鎖存每個(gè)地址，這樣就允許在每一次內(nèi)存存取周期開始之后改變地址總線。每次內(nèi)存存取都需要在下降沿鎖存地址，都必須確保產(chǎn)生一次由高向低的躍變，所以用戶不能像SRAM一樣將引腳接地。利用來(lái)控制地址的理由有兩個(gè)方面，一是鎖存新的地址，另一個(gè)是利用為高時(shí)產(chǎn)生必需的預(yù)充電時(shí)間。

　?、赟RAM地址鎖存后，不會(huì)因?yàn)楦淖兊刂分刀绊慡RAM的內(nèi)存操作。與SRAM不同，F(xiàn)M1808的地址在鎖存后仍可能會(huì)隨著地址的變化而發(fā)生變化。當(dāng)?shù)刂繁绘i存后，地址值必須滿足保持時(shí)間參數(shù)后才能改變。

　?、哿硗庖粋€(gè)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)與VDD有關(guān)。電池后備SRAM會(huì)不停地監(jiān)測(cè)VDD以便必要時(shí)切換至后備方式，在一個(gè)低電壓水平下，它們會(huì)封鎖用戶對(duì)內(nèi)存的訪問(wèn)以降低活動(dòng)SRAM對(duì)電池電源的消耗;而FRAM存儲(chǔ)器不需要這些系統(tǒng)開銷，在任何電源水平下，內(nèi)存都不會(huì)鎖住用戶對(duì)內(nèi)存的存取。然而，在電源超出正常工作范圍之外時(shí)，用戶必須阻止處理器對(duì)內(nèi)存的存取。當(dāng)電源下跌時(shí)，通常的設(shè)計(jì)慣例是使處理器復(fù)位，除此之外沒(méi)有其他的特殊要求。