受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:12
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2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 我國首臺新一代大尺寸集成電路單晶硅生長設(shè)備在西安實現(xiàn)一次試產(chǎn)成功。這是由西安理工大學(xué)和西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司共同研制的。本次制成的單晶硅棒長度為 2.1 米，直徑達 300mm，也就是 12 英寸，標(biāo)志著我國芯片制造領(lǐng)域中，12 英寸硅晶圓關(guān)鍵技術(shù)得到突破，解決了 “卡脖子”難題。
2020-12-28 09:14:403385 156單晶硅不同擴散方阻下的功率對比
2012-08-06 11:00:48
3D Experience — 產(chǎn)品協(xié)同研發(fā)平臺
2021-01-08 07:30:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽能電池詳細(xì)工藝
2012-08-06 11:49:37
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗都可以提，請照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細(xì)地講講如何實現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細(xì)地講講如何實現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-08 10:43:08
各位大蝦，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細(xì)地講講如何實現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-15 12:25:03
青海堿業(yè)有限公司煅燒車間從2013年開始使用YR-ER101單晶硅差壓變送器，選用該系列變送器是看中昌暉單晶硅變送器的高穩(wěn)定性、低溫度漂移和高精度性能。因現(xiàn)場應(yīng)用環(huán)境惡劣，強腐蝕和強電磁干擾對任何
2018-02-25 21:56:50
BeSang之前的許多設(shè)計都是偽3D。” Simon Sze在1967年曾經(jīng)于貝爾實驗室發(fā)明了用于非易失性存儲器件的浮柵金屬氧化晶體管。Sze現(xiàn)在是***一所大學(xué)的教授?！ 癝oC將邏輯單元
2008-08-18 16:37:37
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
***求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01:11
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2010-10-31 14:00:00
的技術(shù)組件： · 單晶硅傳感器 · 高性能ASIC · 兩個芯片外殼 圖3 產(chǎn)品參數(shù)表 傳感器的核心：單晶硅傳感器 硅傳感器（每個MEMS的核心）傳統(tǒng)上是批量生產(chǎn)或以表面微加工工藝制造
2020-07-07 09:36:40
人臉。這是由于目前基于RGB等2D空間的主流活體檢測方案未考慮光照、遮擋等干擾因素對于檢測的影響，而且存在計算量大的缺點。而數(shù)跡智能團隊研發(fā)的3D SmartToF活體檢測方案則可以有效解決此問題。那么
2021-01-06 07:30:13
廠家求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 13:58:27
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
4Gb到100Gb的密度.談及循環(huán)及數(shù)據(jù)保留間的強相關(guān)性，使用N削D來獲得高寫入性能的系統(tǒng)經(jīng)常面對一個困難即在長時間的休止?fàn)顟B(tài)下如何保證足夠的數(shù)據(jù)保留。變相存儲器：新的儲存器創(chuàng)建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實現(xiàn)高速接口？如何讓接收到的時鐘與數(shù)據(jù)中心對準(zhǔn)？為了縮短設(shè)計周期應(yīng)遵循哪些規(guī)則？如何設(shè)計存儲器接口才能獲得更高性能？
2021-04-14 06:30:23
我對工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
的NOR以及硅盤中應(yīng)用的NAND閃速存儲器，在寫入時為高 V th ；而AND及DINOR閃速存儲器中，在寫人時為低 V th 。
2018-04-10 10:52:59
根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點，以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素，溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子，建立了一個新穎的硅各向異性腐蝕的計算機模擬模型。在+,--開發(fā)
2009-07-02 14:12:24
19 單晶硅SO I 高溫壓力傳感器是一種新型高性能高溫壓力傳感器。它與擴散硅壓力傳感器相比有較高的工作溫度, 與多晶硅高溫壓力傳感器相比有更高的工作靈敏度。這主要得益于它采
2009-07-03 10:12:1422 QGM600-8XB 單晶硅棒切方滾磨機床是在硅單晶棒數(shù)控滾磨機上開發(fā)而成，單晶棒數(shù)控滾磨機床是我公司獨立開發(fā)研制的。該產(chǎn)品全部替代了日本滾磨機床，國內(nèi)很多企業(yè)需單晶硅棒
2009-12-20 09:25:3742 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584926 什么是單晶硅
可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電
2009-03-04 15:14:504416 什么是單晶硅
單晶硅英文名稱：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:4511317 單晶硅電池生產(chǎn)工藝流程詳細(xì)介紹
2009-11-04 09:17:372167 單晶硅電池生產(chǎn)工藝流程（一） （內(nèi)部資料）
2009-11-07 15:05:415965 單晶硅電池生產(chǎn)工藝流程（一） （內(nèi)部資料）
2009-11-07 15:07:481661
單晶硅太陽能電池
硅系列太陽能電池中，單晶硅大陽能電池轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為
2009-11-07 16:18:322577 1）區(qū)域熔煉法 以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅
2010-07-18 11:22:117458 1、根據(jù)合同要求，驗收單晶硅電池片的功率及等級，例如125的A級，就只要A1的，功率為2.57~2.7，再此時得問清楚電池片的功率是正公差還是負(fù)公差，選用正公差的。
2010-08-30 12:00:021479 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成
2011-06-23 10:43:22151 晶體硅中的雜質(zhì)或缺陷會顯著地影響各種硅基器件的性能。用常規(guī)化學(xué)腐蝕法顯示出單晶硅中的缺陷，觀察典型的位錯。通過實驗發(fā)現(xiàn)缺陷分布的一般規(guī)律：中間尺寸大，密度小，邊緣
2012-06-06 15:33:2010264 
美研究人員日前稱，他們發(fā)現(xiàn)一種通過單晶硅體提高鋰離子電池性能的技術(shù)。這項技術(shù)可以用于電動汽車電池研發(fā)，有助于生產(chǎn)能量更強、壽命更長、充/換電循環(huán)次數(shù)更多的新型電池。
2012-07-24 11:40:361170 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4411227 荷蘭馬斯特里赫特大學(xué)和代爾夫特理工大學(xué)的研究團隊就在折紙原理中得到靈感并研發(fā)了會自動改變形狀的材料，用這種特殊材料3D打印的對象在外界環(huán)境的刺激下將自動發(fā)生形狀的折疊。這項研究成果在實際應(yīng)用中的意義
2016-10-25 15:24:491751 基于SOC的高性能存儲器控制器設(shè)計_張鵬劍
2017-01-07 18:39:170 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法 本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長單晶硅晶片，其特征為：對全部晶片進行熱氧化處理時，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過Cu淀
2017-09-28 16:35:3018 吸收效率 ，可提高單晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。實驗探索了一種廉價的硅織構(gòu)化腐蝕技術(shù) ，即單獨采用 Na2SiO3代替?zhèn)鹘y(tǒng)的氫氧化鈉和異丙醇溶液 ，以減少價格較高的異丙醇的用量 ，降低成本。不采用異丙醇或其他機械消泡的條件下 ，用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 5 %的 Na2S
2017-09-30 10:49:528 對NTD氫區(qū)熔單晶硅進行了不同溫度下等時退火，采用Hall 電學(xué)方法測量了電阻率、遷移率隨退火溫度的變化規(guī)律。利用紅外吸收技術(shù)測量了單晶硅氫區(qū)熔退火前后及NTD氫區(qū)熔單晶硅不同退火溫度下與氫、輻照
2017-10-17 15:43:4211 加工流程; 單晶生長一切斷一外徑滾磨一平邊或V 型槽處理一切片一倒角一研磨一腐蝕一拋光一清洗一包裝 切斷： 目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度
2017-10-20 14:38:3423 組件的發(fā)電性能。實驗表明，在晴天直射強光和陰雨天弱散射光環(huán)境下，非晶硅太陽能電池板的比功率發(fā)電量均大于單晶硅。
2017-10-21 11:11:0611 千克。 （2）多晶硅太陽電池是標(biāo)準(zhǔn)正方形，與準(zhǔn)方形的單晶硅太陽電池相比多晶硅太陽電池在組件封裝有更高的占空比。 （3）制備多晶硅晶錠比制備單晶硅晶錠耗費更少的能量，相同時間內(nèi)可冷凝更多的多晶硅晶錠，生產(chǎn)效率更高。 （4）多晶硅和
2017-11-13 14:49:0721 本文已多晶硅為中心，主要介紹了多晶硅的技術(shù)特征、單晶硅與多晶硅的區(qū)別、多晶硅應(yīng)用價值以及多晶硅行業(yè)走勢概況及預(yù)測進行分析。
2017-12-18 11:28:1362508 單晶硅作為晶體材料的重要組成部分，目前已經(jīng)得到廣泛的運用。本文主要介紹了單晶硅的相關(guān)概念以及全球單晶硅生產(chǎn)商排名狀況。
2017-12-18 17:55:3855504 研究人員最近展示了使用單晶硅對可見光進行精確的顏色控制，該研究成果發(fā)表在納米快報上。
2018-02-09 14:20:556483 據(jù)報道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長繆向水及其團隊正在研制一款基于相變存儲器的3D XPOINT存儲技術(shù)。他估計，在這項技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 近年來，合肥集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭強勁，短短幾年，就建成了一條較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。我市一家企業(yè)自主研發(fā)出的 12 英寸單晶硅棒和生產(chǎn)硅棒最核心的設(shè)備——大尺寸單晶硅爐兩項成果，打破了國際壟斷，填補了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)空白。
2018-04-29 15:14:008236 在3D存儲器選通管和高密度阻變存儲器及其集成技術(shù)的研究上開展合作，全力研發(fā)下一代3D存儲芯片，為早日實現(xiàn)存儲器芯片技術(shù)的國產(chǎn)化貢獻力量。
2018-06-11 01:15:002853 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 單晶硅具有兩種同晶，結(jié)晶和無定形。晶體硅進一步分為單晶硅和多晶硅，兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆，具有金屬光澤，并且是導(dǎo)電的，但導(dǎo)電性不如金屬，并且隨溫度增加，并且具有半導(dǎo)體特性。
2019-04-11 13:53:31181237 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽能電池板，目前廣泛的應(yīng)用于光伏市場中。單晶硅光伏組件光電轉(zhuǎn)換率較高，在弱光條件下表現(xiàn)比同類產(chǎn)品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽能電池片按照不同的串、并陣列排列而構(gòu)成的。多晶硅光伏組件性價比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發(fā)電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5067272 單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。
2019-06-24 14:46:3122142 
24張PPT解讀半導(dǎo)體單晶硅生長及硅片制備技術(shù)
2019-07-26 18:03:448751 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 、光子器件、MEMS、Wide I/O存儲器和布局先進邏輯電路的硅中介層，圍繞3D平臺性能評估，重點介紹硅3D封裝的主要挑戰(zhàn)和技術(shù)發(fā)展。
2020-01-16 09:53:001550 從最初為圖像傳感器設(shè)計的硅2.5D集成技術(shù)，到復(fù)雜的高密度的高性能3D系統(tǒng)，硅3D集成是在同一芯片上集成所有功能的系統(tǒng)芯片（SoC）之外的另一種支持各種類型的應(yīng)用的解決方案，可用于創(chuàng)建性價比更高的系統(tǒng)。
2020-04-10 17:38:493498 
隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展，直拉法單晶硅生長技術(shù)在單晶硅制造中逐漸顯出其主導(dǎo)地位。為使結(jié)晶過程更加穩(wěn)定和實用有效，則需提高對工藝參數(shù)的控制精度，基于CCD攝像掃描識別技術(shù)的單晶硅等徑生長速度控制技術(shù)得到業(yè)界的重視。
2020-10-04 17:57:002550 
電子發(fā)燒友為你提供區(qū)分單晶硅和多晶硅電池板的方法免費下載
2020-11-24 18:30:4019 AI技術(shù)的研究正在從2D走向更高難度的3D。12月3日，記者獲悉，阿里技術(shù)團隊研發(fā)了全新3D AI算法，可基于2D圖片精準(zhǔn)搜索出相應(yīng)的3D模型，準(zhǔn)確率大幅提升10%，可降低3D打印、VR看房、場景
2020-12-04 15:49:214285 近日，記者從云南省工業(yè)和信息化廳了解到，近年來云南著力推動產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化調(diào)整，產(chǎn)業(yè)集聚態(tài)勢逐步顯現(xiàn)，目前云南省已形成30萬噸單晶硅拉制和41吉瓦切片生產(chǎn)能力，今年前10個月已生產(chǎn)單晶硅12萬噸，云南已經(jīng)成為全球最大的綠色單晶硅光伏材料生產(chǎn)基地，并正在成為全球最大的綠色硅材加工一體化制造基地。
2020-12-23 17:02:352539 硅材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最基礎(chǔ)、最核心的材料，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的復(fù)雜生產(chǎn)流程，也要從基礎(chǔ)硅材料的生產(chǎn)開始。在硅材料的生產(chǎn)中，有兩個基礎(chǔ)的概念：多晶硅和單晶硅。這二者具體代表什么意思呢？它們的區(qū)別在哪里呢？本篇科普文章就簡單給大家簡單作一個解析
2020-12-24 13:21:1614177 單晶硅具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。
2021-02-24 15:56:2030938 半導(dǎo)體行業(yè)需要具有超成品表面和無損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過程中的變形機制一直是研究重點。
2021-12-22 17:35:401531 
近日，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員朱慧瓏團隊利用研發(fā)的垂直晶體管新工藝，制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優(yōu)勢，又具三維一體集成的制造成本低的優(yōu)點。
2022-11-22 15:01:141402 NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長等優(yōu)勢，在人工智能、汽車電子和工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著不可替代的作用。
2022-11-24 17:05:42694 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:185704 單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價格較貴。
2023-06-08 16:04:419315 什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:427750 無錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來，一直專注于新型存儲芯片研發(fā)與銷售的高新技術(shù)，尤其是新型3D鐵電存儲器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構(gòu)和工藝的創(chuàng)新設(shè)計以及相關(guān)產(chǎn)品的制造及量產(chǎn)。經(jīng)過不懈的努力，拍
2022-04-29 15:34:082856 
對太陽能板感興趣的朋友們，想必大家都有了一個比較深層次的了解，但對于剛加入光伏行業(yè)的人來說，我覺得還是有必要再給大家說一下單晶硅電池、多晶硅電池和非晶硅電池之間的區(qū)別。如果有說得不妥當(dāng)?shù)牡胤?，也還請
2022-03-23 09:50:4013043 
光伏」擁有的美能3D共聚焦顯微鏡可輕易檢測太陽能電池的光柵絨面，并運用其生成的數(shù)據(jù)檢測單晶硅太陽能電池的清洗制絨和絲網(wǎng)印刷工藝。本期「美能光伏」將給您介紹單晶硅太
2023-08-19 08:36:273295 
摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造出來的呢？
2023-10-26 09:47:012819 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單晶硅太陽電池的溫度和光強特性.pdf》資料免費下載
2023-11-02 11:16:372 單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設(shè)備，常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個單晶硅太陽能電池片組成，每個電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進行支撐和保護。
2023-11-29 09:46:065748 擴散硅、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇? 擴散硅、單晶硅和電容式壓力差壓變送器是常用于工業(yè)領(lǐng)域中測量流體壓力的儀器。它們各自具有不同的特點和適用場景。下面將詳細(xì)介紹這三種壓力變送器的區(qū)別
2024-01-30 15:06:289142 在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中，傳感器作為感知的核心元件，其性能的優(yōu)劣直接影響到整個系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴散硅壓力變送器作為壓力測量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江
2024-03-15 11:53:392043 
本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識，解釋了單晶硅電阻率控制原理。
2024-04-07 09:33:154237 
單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子（電子或空穴）在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失（即通過復(fù)合過程失去）的平均時間。
2024-04-19 16:11:395812 
在現(xiàn)代工業(yè)和科技應(yīng)用中，單晶硅技術(shù)和無線壓力變送器技術(shù)的發(fā)展正扮演著至關(guān)重要的角色。單晶硅以其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。而無線壓力變送器則代表了壓力測量領(lǐng)域的創(chuàng)新進展，為工業(yè)生產(chǎn)和智能化系統(tǒng)的發(fā)展提供了重要支持。
2024-09-09 14:25:581664 ? ? 在石油化工、電力能源等高精度測量領(lǐng)域，穩(wěn)定與可靠是核心訴求。天水華天傳感器推出的CYB6200系列單晶硅壓力變送器，以±0.075%超高精度、超強抗干擾、高過載性能及智能組態(tài)功能，為工業(yè)測量
2025-03-08 16:51:081503 本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響。
2025-03-18 16:46:211312 
濾、精密過濾等手段。比如在單晶硅切割廢液處理中，先通過過濾將廢砂漿中的固體顆粒分離出來，便于后續(xù)處理3。沉淀：利用重力作用使廢液中的懸浮顆粒自然沉降，可分為自然沉
2025-06-30 13:45:47495 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122961 英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:0163
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