本輪存儲芯片價格上漲牽動著眾多半導體業(yè)者的心。事實上，在半導體行情瞬息萬變的時期，供需端已經(jīng)悄然發(fā)生新改變。未來存儲價格行情會如何走？芯八哥深入挖掘和分析全球存儲廠商最新業(yè)績數(shù)據(jù)，供業(yè)者參考。

作者：Joey

從2021年Q3開始，以手機、PC為代表的消費電子需求率先走弱，隨后DRAM和NAND Flash價格開始在2022年3月由漲轉跌。經(jīng)過一年多時間價格的劇烈調整，存儲行業(yè)終于在2023Q2逐漸實現(xiàn)了供需均衡，并且價格在第三季度消費旺季迎來了共振上漲。

隨著全球核心存儲廠商業(yè)績的披露完畢，存儲行情的走勢也越來越清晰。在當下時間節(jié)點，主要大廠的業(yè)績是否有改善？有哪些細分賽道是值得我們關注的？未來存儲行情將如何演變？且聽芯八哥逐一道來。

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存儲廠商Q3最新成績單

據(jù)芯八哥不完全統(tǒng)計，從全球存儲市場來看，受消費電子消費旺季的帶動，在2023Q3全球十大存儲大廠中，有9家廠商在營收上出現(xiàn)環(huán)比增長，僅希捷科技一家廠商環(huán)比下跌。Q3凈利潤方面，除了華邦電、希捷科技、慧榮科技外，其他7大廠商凈利潤都開始出現(xiàn)環(huán)比增長，其中南亞科、華邦電、三星電子更是以441%、255.52%、94.7%的增長幅度排名前三。

全球主要存儲大廠2023Q3及前三季度業(yè)績情況

資料來源：wind,芯八哥整理

具體來看，三星電子在2023Q3實現(xiàn)營收為504.58億美元，環(huán)比增長12.32%，同比下降12.22%。凈利潤為41.17億美元，環(huán)比增長255.52%，同比下滑39.85%。三星電子表示，伴隨存儲全行業(yè)的減產(chǎn)，行業(yè)觸底意識不斷增強，公司收到了大量采購咨詢。公司存儲業(yè)務以提高盈利能力為重點，將持續(xù)擴大HBM、DDR5、LPDDR5x、UFS 4.0等先進節(jié)點產(chǎn)品的銷售。對于庫存水平較高的老產(chǎn)品，公司正在針對性地通過降低產(chǎn)量來減少庫存。

美光2023財年第四財季數(shù)據(jù)顯示，其本季度營收40.1億美元，環(huán)比增長6.88%，同比減少39.64%。凈虧損為14.3億美元，環(huán)比增長24.58%，虧損幅度較上季度減少。分產(chǎn)品來看，美光DRAM產(chǎn)品單季營收28億美元，環(huán)比增長3%，位元出貨量環(huán)比增長10多個百分點，ASP環(huán)比下降高個位數(shù)百分比；NAND產(chǎn)品單季營收為12億美元，環(huán)比增長19%，位元出貨量環(huán)比增長超40%，ASP環(huán)比下滑十幾個百分點。

SK海力士的Q3財報指出，公司Q3營收為69.1億美元，同比下降17%，環(huán)比增長24%。凈虧損為16.7億美元，環(huán)比增長17%，同比下滑34%。從具體業(yè)務來看，公司NAND業(yè)務收入占比27%，約2.45萬億韓元， Bit出貨量環(huán)比增長約5%，ASP環(huán)比輕微下降；DRAM業(yè)務收入占比67%，約6.07萬億韓元， Bit出貨環(huán)比增長約20%，ASP環(huán)比增長約10%。SK海力士表示，公司業(yè)績在一季度低點后持續(xù)改善，今年一季度由盈轉虧的DRAM業(yè)務僅在兩個季度后實現(xiàn)扭虧為盈。而面向AI應用的HBM3、高容量DDR5和高性能LPDRAM等產(chǎn)品銷售勢頭良好，連續(xù)虧損的NAND業(yè)務也有跟隨市況出現(xiàn)好轉的跡象。

除了三星、美光、SK海力士原廠三巨頭之外，西部數(shù)據(jù)、南亞科和華邦電在2023Q3營收環(huán)比增長幅度分別為2.92%、10.10%、3.22%，業(yè)績也有明顯的反彈表現(xiàn)。西部數(shù)據(jù)表示，該季度業(yè)績超出公司預期，受益于單位容量的不斷增長，公司的閃存和HDD的利潤率得到連續(xù)改善；南亞科技指出，隨著市場朝DDR5轉換，各家供應商投片較集中在DDR5，有助DDR4、LPDDR4庫存去化。此外，公司其還指出存儲市場需求在Q3已有所改善，第四季bit出貨量將增加，價格也有機會翻揚，虧損可望進一步收斂；華邦電認為，今年各界表示景氣不佳，主要是2021年及2022年景氣大好，使得今年景氣修正，在心理感受上有擴大情況。今年產(chǎn)品銷售情況其實不會比2019年及2020年差，若排除2021年及2022年因疫情造成的異常狀況，今年產(chǎn)業(yè)景氣應屬于健康狀態(tài)，還處于長期上升趨勢中。

而在模組廠商方面，希捷科技的Q3業(yè)績表現(xiàn)依然比較掙扎，在2024會計年度Q1財報實現(xiàn)營收為49.16億美元，同比下滑34.15%，環(huán)比下滑9.24%；工業(yè)模組廠商宜鼎國際在Q3實現(xiàn)營收為0.65億美元，環(huán)比增長4.81%。凈利潤為0.09億美元，環(huán)比增長32.83%，業(yè)績已有一定的改善；主控廠商方面，群聯(lián)電子和慧榮科技分別在Q3的營收分別為3.84億美元、1.72億美元，環(huán)比分別增長23.80%、22.78%，業(yè)績也出現(xiàn)一定的復蘇情況。群聯(lián)執(zhí)行長潘健成指出，9月SSD模組出貨量持續(xù)回溫，加上NAND市場價格回穩(wěn)起漲態(tài)勢明確，客戶開始陸續(xù)回補庫存。我們認為Q3期間由于OEM客戶調整庫存已近尾聲，再加上公司有拿到更多Design-in的案子，控制芯片需求也已逐步回升，整體投片量緩步擴大;慧榮科技慧榮科技總裁兼CEO Wallace Kou 表示,我們對第三季度的強勁表現(xiàn)感到滿意，因為開始看到渠道中的庫存水平正?；?，公司eMMC+UFS控制器在第三季度銷量環(huán)比增長100%至105%，而我們的 SSD 控制器銷量再次實現(xiàn)環(huán)比增長。

從中國大陸市場來看，11大上市存儲廠商中除了兆易創(chuàng)新、朗科科技、恒爍股份外，其他8家公司在Q3季度營收都出現(xiàn)了環(huán)比增長。其中，佰維存儲、德明利、江波龍分別以34.78%、33.67%、29.03%的環(huán)比增幅位例前三；Q3凈利潤方面，目前行業(yè)出現(xiàn)一定的分化，其中瀾起科技、北京君正、普冉股份、朗科科技等廠商凈利潤環(huán)比增長已經(jīng)在30%以上，而兆易創(chuàng)新、東芯股份、聚辰股份、恒爍股份等廠商即使在行業(yè)回暖的當下，業(yè)績依然延續(xù)了此前的下跌趨勢。

中國大陸主要存儲廠商2023Q3及前三季度業(yè)績情況

資料來源：wind,芯八哥整理

具體來看，兆易創(chuàng)新第三季度營業(yè)收入14.29億元，同比下降28.14%，環(huán)比下滑12.05%。凈利潤為0.98億元，同比下降82.71%，環(huán)比下滑47.45%；瀾起科技Q3營收為5.98億元，環(huán)比增長17.61%。凈利潤為1.52億元，環(huán)比增長144.47%。隨著公司DDR5 內存接口芯片出貨量持續(xù)提升，公司主要經(jīng)營指標已經(jīng)連續(xù)兩個季度環(huán)比明顯改善；北京君正第三季度營收11.99億元，環(huán)比增長4.03%。凈利潤為1.46億元，環(huán)比增長 36.07%；江波龍在第三季度營收為28.72億元，同比增長66.62%。凈利潤-2.87億元，環(huán)比增長9.05%。江波龍表示，在原廠減產(chǎn)效應的影響下，晶圓價格上漲的趨勢已經(jīng)形成，產(chǎn)業(yè)鏈上下游對于本輪價格調整基本達成一致。在存儲主要市場中，NAND Flash的整體漲幅更為一致，DRAM不同產(chǎn)品的漲幅存在較大差異。盡管目前下游市場對存儲器的采購需求有一定的恢復，但后續(xù)的漲價幅度與漲價頻率，取決于下游終端需求能否形成持續(xù)支撐，需要持續(xù)關注宏觀經(jīng)濟復蘇情況。

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供需端發(fā)生新變化

存儲的行情走勢具有明顯的周期性，其價格的波動走向與供需兩端動態(tài)博弈的強弱息息相關。

在供給端，存儲市場約90%左右的產(chǎn)能掌握在以三星電子、美光科技、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等原廠手里，他們的資本開支與擴產(chǎn)計劃影響著整個市場供給的波動。

在面對庫存高漲、普遍利潤虧損的情形下，從去年Q4開始存儲原廠相繼啟動減產(chǎn)。其中三星已加大NAND閃存減產(chǎn)力度，公司已在上半年將NAND閃存產(chǎn)量削減了20%，預計到2023年底減產(chǎn)幅度將達50%；SK海力士已經(jīng)在2022Q4減少部分低利潤及高庫存產(chǎn)品的晶圓產(chǎn)能，效果已經(jīng)在Q1逐漸顯現(xiàn)。此外，公司也在盡量減少不必要的投資，使2023整體資本支出將同比減少超50%；美光在 2023 年資本支出下降 42%，近期將DRAM和NAND晶圓開工率進一步減少至接近30%，預計減產(chǎn)將持續(xù)到2024年。

資料來源：芯八哥整理

原廠的大幅減產(chǎn)，讓此前存儲行業(yè)高企的庫存自Q1季度高點大幅度減少。此外，根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2023年Q2三星、美光、海力士的稼動率分別下降至77%/74%/82%。為了保利潤，目前各大存儲廠稼動率依然保持在低位運行。

資料來源：芯八哥整理

在需求端，手機市場方面，受消費旺季的帶動，集邦咨詢預計第三季度智能手機產(chǎn)量約為2.97億部，環(huán)比增長9.1%，同比增長2.7%。目前，存儲的RAM和ROM最新產(chǎn)品規(guī)范發(fā)展到了LPDDR5/5x和UFS4.0，已經(jīng)成為各大手機廠商高端旗艦應用首選。在Q3季度蘋果、華為等新機發(fā)售的帶動下，旗艦產(chǎn)品對LPDDR5/5x及UFS4.0的需求不斷增加，加上由于存儲跌價導致的存儲容量增長將推動下半年產(chǎn)品售價有所改善。SK海力士表示，由于今年下半年新機發(fā)售加上旗艦產(chǎn)品組合增加，LPDDR5需求加速，整機上看，伴隨部分換機周期來臨，整機出貨量明年預計將實現(xiàn)約5%增長；美光指出，公司移動業(yè)務在Q3單季營收12億美元，環(huán)比增長48%，主要受季節(jié)性和發(fā)貨時間的影響所致。

至于PC市場，根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)顯示，2023年3季度全球PC出貨量環(huán)比增長了11%，出貨量為6820萬臺。隨著PC終端庫存恢復健康水位，供應鏈備貨需求逐步回溫，且存儲器低價誘因加上存儲器原廠推動規(guī)格升級，預期2024年上半年DDR5滲透率將可望超過DDR4。SK海力士指出，PC市場隨著渠道庫存回歸正常水位，加上明年換機需求提升，整體出貨量有望實現(xiàn)約5%增長。另外，由于存儲產(chǎn)品成本下滑以及AI PC出現(xiàn)，預計2024年容量增長有望實現(xiàn)兩位數(shù)百分比。

資料來源：芯八哥整理

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存儲價格行情走勢

市場需求始終是商業(yè)創(chuàng)新的驅動力。隨著數(shù)字經(jīng)濟的不斷發(fā)展，存儲容量也在不斷提升。

自今年Q1以來，手機市場上，目前已經(jīng)有很多廠商的最新中高端機型已經(jīng)開始邁入512G。在下半年，華為、蘋果、小米等廠商也已經(jīng)發(fā)布了1T的手機設備；而在PC市場，今年全面進入512G和1T時代，并且以1T為主；服務器同樣，目前平均容量也在快速的向上發(fā)展。

隨著手機、PC、服務器三大主流應用存儲容量的不斷提升，整個行業(yè)的存儲容量也在不斷增長。根據(jù)CFM閃存市場的數(shù)據(jù)，2022年全球NAND總的生產(chǎn)量達到6100億的當量，同比增長約6%。而DRAM生產(chǎn)量大約在1900億GB的當量，上漲了約2%。在下半年存儲市場回暖的帶動下，據(jù)其預測，2023年NAND Flash的增速將保持在10%左右，而DRAM容量有望在去年2%的增速基礎上翻倍增長提升到5%。

資料來源：CFM閃存市場

除了容量的爆發(fā)式增長外，存儲芯片的性能也在不斷提升。以DRAM為例，隨著多核CPU數(shù)量的增加，滿足下一代帶寬要求的壓力變得更大，因此需要更高的內存技術。目前，DRAM先進制程技術已發(fā)展至第五代，10nm級別，美光稱之為1β DRAM，三星等廠商稱之為1b DRAM。

在2022年，美光正式量產(chǎn)1β DRAM，相較上一代的1α（1-alpha）制程，美光最新的1-beta制程功耗降低約15%，位元密度提升超過35%，每顆晶粒容量可達16Gb；三星方面，今年5月，三星量產(chǎn)12nm級16Gb DDR5 DRAM。9月，三星開發(fā)出基于12nm級工藝技術的32Gb DDR5 DRAM，將于今年年底開始量產(chǎn)。三星將于2026年推出DDR6內存，2027年即實現(xiàn)原生10Gbps的速度；SK海力士方面，今年1月，SK海力士將第四代10nm級（1a）DDR5服務器DRAM適用到英特爾第四代至強可擴展處理器，并在業(yè)界首次獲得認證。5月，SK海力士第5代10nm工藝1bnm已完成技術研發(fā)，采用HKMG（High-K Metal Gate）工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。

展望未來，三星電子指出，第四季度存儲價格將環(huán)比上漲，并且預計2024年智能手機市場需求將反彈；美光預計整個2024財年的定價和盈利能力都會有所改善，尤其在明年下半年毛利潤將會回正；SK海力士則指出，公司2024年資本支出將較2023年有所增加，但是考慮到整體財務穩(wěn)定性以及投資效率，增長幅度將降至最低。未來，公司將會把投資側重點放在HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力產(chǎn)品上。此外，公司也將進行以第四代10納米級(1a)和第五代10納米級(1b)DRAM為中心的生產(chǎn)線轉換，同時擴大對HBM TSV技術的投資。

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目前，雖然全球經(jīng)濟前景充滿種種不確定性，但存儲行業(yè)已經(jīng)釋出一些良好信號。根據(jù)TrendForce的預測，由于供應商嚴格控制產(chǎn)出，NAND Flash和DRAM在第四季合約價預計全面起漲，其中NAND Flash漲幅約8~13%，而DRAM季漲幅約3~8%。

不過，需要注意的是，此次存儲芯片價格的上升以及市場景氣度的改善，主要是由原廠“主動調控”而出現(xiàn)的，其漲勢能否延續(xù)仍需觀察供應商是否持續(xù)堅守減產(chǎn)策略以及下游實際需求回溫的程度。否則，在缺乏需求作為支撐的前提下，存儲價格在2024年要延續(xù)漲勢將有一定的難度。

審核編輯：黃飛

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