中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務(wù)，這一點當然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時才能實現(xiàn)這一愿景卻仍舊是個跡，日本的幾位半導體行業(yè)知情人士在接受采訪時指出。

　　中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財力，而這筆由地方政府主導的經(jīng)濟資源將被用于幫助中國的“記憶體夢”一步步成為現(xiàn)實。

　　不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識產(chǎn)權(quán)來源與工程技術(shù)人才。

　　中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠，旨在制造3D NAND閃存記憶體。整個建設(shè)計劃預計耗資２４０億美元，資金來源則包括集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及中國發(fā)展投資基金等多個財團，XMC方面指出。

　　一位日本半導體設(shè)備專家表示，這筆交付XMC的投資“極其巨大”。他同時語帶諷刺地指出：“這意味著項目必須得取得成功?！辈贿^在被問及XMC將使用哪家企業(yè)的3D NAND閃存技術(shù)時，他的回答是“他們說使用的是自有IP。不過我對此并不了解?！?/p>

　　三星對東芝

　　IHS技術(shù)公司半導體價值鏈主管Akira Minamikawa也表達了類似的謹慎態(tài)度。說起XMC的3D NAND閃存制造起步工作，他認為“非常艱難”。以三星為例，他指出盡管三星公司在其3D NAND閃存項目當中投入了大量資源，但仍然耗費相當長的時間才構(gòu)建完成。

　　東芝公司據(jù)稱同樣飽受3D NAND閃存開發(fā)難題的困擾。Minamikawa發(fā)現(xiàn)東芝公司的3D NAND閃存記憶體進程較三星方面“至少延后了一年時間”?！罢\然，東芝公司表示其3D NAND已經(jīng)開始發(fā)布樣品。但一般來講，樣品制造與批量生產(chǎn)之間仍然有著很大距離。”

　　可以肯定的是，XMC也將面臨著同樣的挑戰(zhàn)——事實證明，3D NAND閃存技術(shù)的發(fā)展成熟以及制作當中所必需的精密工藝技術(shù)都需要長時間打磨方可實現(xiàn)?！爱斎?，整個過程至少需要三到四年，”Minmikawa表示，“甚至更久。”

　　而更令各位專家費解的是，XMC是否真的擁有自己的3D NAND閃存知識產(chǎn)權(quán)。

　　一種可能的解釋來自Spansion公司一年前發(fā)布的聲明（此后該公司被Cypress所收購）。Spansion方面表示，其將與XMC合作開發(fā)3D NAND技術(shù)。

　　不過問題在于，Spansion的閃存記憶體開發(fā)工作并非主要指出NAND，而是NOR閃存，Takashi Yunokami在采訪中解釋稱。

　　Yunogami是一位工程師出身的顧問，并出版過多部關(guān)于日本半導體行業(yè)的論著。在日立公司效力期間，他專門負責干蝕刻技術(shù)的開發(fā)。

　　總而言之，沒人見到過Spansion的3D NAND親戚，Yunogami解釋道。這意味著XMC與Spansion——或者說現(xiàn)在的Cypress——的合作成果始終難以捉摸。

　　迎頭趕上不過在接受《電子工程時報》采訪時，武漢XMC公司給出了完全不同的3D NAND閃存技術(shù)發(fā)展綱要。XMC公司的一位發(fā)言人通過電子郵件對采訪做出了答復：

　　XMC公司于2014年開始推進3D NAND項目。在此之后，XMC與Spansion（現(xiàn)已被Cypress收購）則共同簽訂了面向3D NAND閃存研發(fā)工作的合作協(xié)議及交叉授權(quán)許可，意味著雙方將共享相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。

　　XMC方面宣稱，該公司于2015年5月“在3D NAND項目上取得了重大進展”，當時該公司的第一款測試芯片“通過電氣驗證”。這位發(fā)言人同時補充稱，“從那時開始，XMC不斷在記憶體單元性能與可靠性優(yōu)化方面取得改進?！?/p>

　　XMC公司深諳3D NAND市場上的競爭格局。在去年11月召開的集成電路行業(yè)促進大會上，ＸＭＣ公司首席運營官洪沨在演講中指出，ＮＡＮＤ閃存技術(shù)“為ＸＭＣ提供了千載難逢的發(fā)展機會?！彼瑫r補充稱，“三星主導3D NAND開發(fā)市場不過兩年左右。立足于當下，我們?nèi)匀缓苡锌赡苡^趕上并躋身一線集團?！?/p>

　　另外還有與Spansion的合作關(guān)系。盡管已經(jīng)被Cypress公司所收購，但XMC堅信“雙方的合作關(guān)系并未受到影響。”

　　回顧Spansion與XMC在去年2月發(fā)布的聲明，時任Spansion公司戰(zhàn)略聯(lián)盟高級副總裁的Ali Pourkeramati指出：

　　3D NAND將徹底轉(zhuǎn)變未來數(shù)據(jù)的存儲效率。我們擁有領(lǐng)先的MirrorBit技術(shù)，這是我們過去十年以來的努力結(jié)晶，而其將成為3D NAND創(chuàng)新工作中的核心優(yōu)勢并帶來無可匹敵的高性能數(shù)據(jù)存儲方案。

　　IHS公司的Minamikawa表示，日本各半導體企業(yè)都曾經(jīng)沖擊過NAND這一技術(shù)難題，不過具體時間點大概是在十年前。部分日本工程師對于NAND非常精通——然而，他們所開發(fā)了的NAND技術(shù)與如今的3D NAND閃存可謂截然不同，他坦言。

　　這就帶來了新的問題，XMC能否吸引到充足且經(jīng)驗豐富的工程師，以肩負起中國發(fā)展自有3D NAND的野心？這恐怕正是瓶頸所在，Minamikawa表示。

　　同樣的，中國在制程技術(shù)層面同樣缺乏人才儲備，Yunogami立足于客觀評論道，“就個人而言，我認為這會令XMC相當被動?！?/p>

　　投資思路毫無問題

　　不過考慮到大數(shù)據(jù)時代下對記憶體資源的迫切需求，Yunogami認為中國建立自己的記憶體業(yè)務(wù)是非常明智的。

　　為了證明實際經(jīng)濟效應，Sanford C. Bernstein公司研究人員預測稱，中國2013年用于采購芯片的開銷甚至高于石油進口總額。

　　XMC公司CEO楊士寧在去年11月于中國召開的記憶體與數(shù)據(jù)存儲技術(shù)峰會上做出了主題演講。

　　當時，楊士寧總結(jié)稱“記憶體開發(fā)工作將成為一場‘不可避免的戰(zhàn)斗’，特別是考慮到中國需要爭取在集成電路產(chǎn)業(yè)與國內(nèi)供應能力領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速突破?！?/p>

　　與CPU業(yè)務(wù)進行比較——其需要“一套相當復雜的生態(tài)系統(tǒng)”，楊士寧指出，“記憶體技術(shù)同樣很難實現(xiàn)突破，但只要能夠解決瓶頸并維持產(chǎn)量，所能產(chǎn)出的總存儲容量將快速提升?！?/p>

　　楊士寧就XMC的此次積極投資提出了三點理由。

　　目前全世界記憶體市場需求的55%來自中國。只要產(chǎn)品質(zhì)量過硬，產(chǎn)品將能夠順利吸引到國內(nèi)企業(yè)客戶的注意。第二，記憶體開發(fā)工作需要由政府出資并提供政策扶持。第三，好的項目能夠吸引大量技術(shù)人才進入中國。

　　其它響應中國記憶體產(chǎn)品號召的供應商還包括三星，其3D V-NAND閃存記憶體芯片工廠已經(jīng)于西安建成并投入使用；還有英特爾，其于去年10月宣布將升級位于大連的300毫米邏輯芯片工廠以用于生產(chǎn)3D NAND。

　　Sino King迅速跟進

　　來自***的Sino King Technology（由Elpida公司前任CEO Yukio Sakamoto執(zhí)掌）公司亦在積極追隨中國的記憶體發(fā)展野心與集成電路行業(yè)投資基金帶來的巨款。

　　日本經(jīng)濟報刊《Nikkei》于2月底報道稱，Sino King正計劃成為“中國在合肥投資8000億日元（折合70億美元）所建立的新項目中的一部分”，旨在面向物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備開發(fā)低功耗DRAM。

　　但隨后官方發(fā)布聲明，稱中國并沒有最終拍板這一項目規(guī)劃。

　　日本記憶體技術(shù)觀察家們則猜測，Sakamoto可能是在等待官方意見的過程中心情過分急切，而他泄露出消息則是為了向中方施壓。

　　《Nikkei》同時報道稱，Sino King公司計劃“最早到2017年下半年實現(xiàn)批量生產(chǎn)能力?！?/p>

　　Making Yunogami對Sino King的計劃表示懷疑，該公司宣稱“將從日本、***及中國招聘約1000名設(shè)計與生產(chǎn)技術(shù)工程師?！?/p>

　　Sino King公司在最初建立起只擁有10名來自日本與***的工程師。誠然，Sakamoto可以動用自己的關(guān)系吸引更多日本工程師，但建立“1000名工程師”的作法在記憶體技術(shù)領(lǐng)域“幾乎不可能”，Yunogami表示。

　　但原本曾任職于Renesas的工程師是否有可能批量加入呢？恐怕不行，Yunogami指出。“這批工程師中大部分已經(jīng)投奔東芝，并繼續(xù)從事3D NAND閃存開發(fā)工作?！?/p>