91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體功率器件在新能源汽車應(yīng)用中的兩大關(guān)鍵因素

廠商快訊 ? 來源:愛集微 ? 作者:孫俐俐 ? 2022-11-09 14:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2022年11月7-8日,“2022張江汽車半導(dǎo)體生態(tài)峰會暨全球汽車電子交流會”在上海張江科學(xué)會堂隆重舉行。本次會議以“智鏈未來 本立而道生”為主題,由上海市經(jīng)信委、浦東新區(qū)科經(jīng)委、自貿(mào)區(qū)張江管理局指導(dǎo),《中國汽車報(bào)》社主辦,張江高科、愛集微、浦東新區(qū)投資促進(jìn)二中心承辦,中國能源汽車傳播集團(tuán)支持。

“2022全球汽車電子分析師大會”持續(xù)升級打造專業(yè)、深度、全面和前瞻等核心亮點(diǎn)。7日的會場群賢畢至、群英薈萃,再次掀起了汽車半導(dǎo)體行業(yè)交流盛會和“頭腦風(fēng)暴”,共論和解碼全球新格局下的產(chǎn)業(yè)脈搏動向、重要挑戰(zhàn)和發(fā)展機(jī)遇。

在“分析師大會”的下午場中,集微咨詢朱航歐以“第三代半導(dǎo)體在新能源汽車上的應(yīng)用及展望”為主題,分享了第三代半導(dǎo)體在新能源汽車上的應(yīng)用、市場規(guī)模,并圍繞半導(dǎo)體優(yōu)勢、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、動向等維度,挖掘第三代半導(dǎo)體在新能源汽車的發(fā)展前景。

397233055814.175351401985147867.783.png

朱航歐表示,在全球經(jīng)濟(jì)衰退和整個(gè)半導(dǎo)體下行周期背景下,新能源汽車似乎成為了一個(gè)逆勢的窗口產(chǎn)業(yè),2021年全球的新能源汽車銷量大概672萬臺,集微咨詢預(yù)計(jì),2022年中國新能源汽車銷量或?qū)⒊^600萬輛。

同時(shí),其介紹到,平均每輛新能源汽車中的功率器件價(jià)值占到了車用半導(dǎo)體器件總價(jià)的55%以上,集微咨詢預(yù)計(jì),2022年中國新能源汽車功率器件市場規(guī)模將超過160億元。

談到新能源汽車?yán)锩娴墓β势骷?,逃不開非?;馃岬牡谌雽?dǎo)體的話題。朱航歐直言,從材料端來說,第三代半導(dǎo)體早在十幾年前以它高頻、耐高壓、高效的優(yōu)異的材料特性,獲得一些關(guān)注,只不過受限一些技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,下游的應(yīng)用沒有被打開,近兩年隨著上游的材料制備端、中游的進(jìn)步,下游的應(yīng)用逐漸被打開,包括知道的光伏、工業(yè)電源以及最為火熱的新能源汽車的市場。

對于第三大半導(dǎo)體的優(yōu)勢,朱航歐表示,損耗降低、提升能源轉(zhuǎn)換效率,同等電池容量有了更多的續(xù)航里程,提升整車競爭力。當(dāng)然,除了技術(shù)上的優(yōu)勢,我們認(rèn)為,第三代半導(dǎo)體功率器件在新能源汽車中的應(yīng)用也將加速車企的新能源汽車產(chǎn)品升級,為新能源汽車產(chǎn)業(yè)開拓更加廣闊的市場空間。

在活動現(xiàn)場,朱航歐針對SiC在電機(jī)驅(qū)動器/OBC/DC-DC中的優(yōu)勢表現(xiàn)等進(jìn)行了闡述。

據(jù)了解,早在2014年,豐田就推出了SiC MOSFET,受限于當(dāng)時(shí)高昂的成本和技術(shù)的不成熟,前期產(chǎn)業(yè)發(fā)展一直較緩。特斯拉作為整個(gè)行業(yè)的領(lǐng)頭羊,它在2018年Modle3就搭載了全碳化硅Mosfet率變器,國內(nèi)車企中,比亞迪、吉利、蔚來等也在加速SiC MOSFET逆變器的落地。

在其看來,國內(nèi)新能源汽車企業(yè)首先在OBC和DC-DC中應(yīng)用SiC器件,然后逐步滲透到可靠性要求更高的電機(jī)控制器。此外,多家零部件供應(yīng)商發(fā)布了開發(fā)、量產(chǎn)SiC電驅(qū)動系統(tǒng)的計(jì)劃,因此,上游企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)迅速,勢必導(dǎo)致價(jià)格大戰(zhàn);中游企業(yè)鎖定貨源,似乎遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠;下游企業(yè)試錯機(jī)會增加,未來SiC將會有更好的發(fā)展機(jī)會。

同時(shí),其進(jìn)一步介紹到,隨著大家對于充電效率和時(shí)間的敏感,絕大多數(shù)的主流車型目前將800V列為首選選擇,我們看到800V的電壓平臺下,硅的IGBT開關(guān)損耗其實(shí)是遠(yuǎn)高于SiC的,SiC的平臺它不僅僅可以解決里程焦慮的問題,而且它的充電快、動力強(qiáng),雖然單個(gè)器件成本是在上升的,但是長期來看,整車的成本還是會下降的,我們預(yù)計(jì)到2025年整個(gè)800V+SiC方案滲透率將超過15%。

當(dāng)然,對于SiC功率器件在新能源汽車中的細(xì)分規(guī)模,朱航歐也進(jìn)行了詳細(xì)介紹。其表示,SiC功率半導(dǎo)體首先在高性能C級及以上車型中取得應(yīng)用,然后逐步滲透到B級車和部分A級轎車。根據(jù)集微咨詢測算,2021年,新能源汽車SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約44.1億元;2022年預(yù)計(jì)近70億元。

到2026年,新能源汽車SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將接近280億元,年均復(fù)合增長率超過45%??紤]到性能利用率及成本的原因,SiC功率器件在A級車中的滲透率不會有太大提升,A級車中SiC功率器件的市場也會保持在一個(gè)相對較小的規(guī)模水平。B級及以上車型才是SiC功率器件的主要市場。

此外,其詳細(xì)介紹了GaN功率器件在新能源汽車的具體應(yīng)用及優(yōu)勢,在其看來,新能源汽車是不同技術(shù)路線(Si、SiC和GaN)的主要爭奪市場。就技術(shù)上而言,GaN電力電子器件在48V的混合動力汽車領(lǐng)域?qū)碛休^強(qiáng)的競爭力,而且基于其成本優(yōu)勢,未來市場前景被業(yè)內(nèi)人士看好。

對于第三代半導(dǎo)體在新能源汽車應(yīng)用中推進(jìn)的關(guān)鍵因素,朱航歐表示,第一毫無疑問就是可靠性問題,比如說碳化硅高頻開關(guān)帶來的電磁干擾,氮化鎵的異質(zhì)外延導(dǎo)致器件的可靠性的不確定性,這些問題都是我們所有企業(yè)亟待解決的問題,第二毋庸置疑就是成本問題,目前業(yè)界普遍認(rèn)為第三代半導(dǎo)體器件降到硅兩倍以內(nèi)的差價(jià)會大規(guī)模替代硅的器件。

值得一提的是,在峰會上,朱航歐對全球SiC五大龍頭企業(yè)現(xiàn)狀及動向也做出了非常詳細(xì)的介紹。其直言,從意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed、羅姆半導(dǎo)體、安森美5大企業(yè)的動向可以看出,其實(shí)這5大碳化硅企業(yè)都在不停擴(kuò)產(chǎn)垂直整合,由此可見,這5大企業(yè)其實(shí)對整個(gè)碳化硅在新能源汽車上應(yīng)用抱非常樂觀的態(tài)度。

而國內(nèi)的企業(yè)同樣在緊抓國產(chǎn)替代機(jī)遇積極擴(kuò)產(chǎn)布局,龍頭企業(yè)在加強(qiáng)上下游合作,車企在不停和碳化硅企業(yè)進(jìn)行合作。最后,朱航歐直言,可以預(yù)見,不論是第三代半導(dǎo)體還是整個(gè)新能源汽車,在未來一定會有一個(gè)非常好的發(fā)展前景。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    11395

    瀏覽量

    105285
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30751

    瀏覽量

    264345
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2122

    瀏覽量

    95137
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

    摘要隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體材料SiC碳化硅因其優(yōu)異的物理和電學(xué)性能,IGBT單管等高性能器件得到了廣泛應(yīng)用。絕緣方案作
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:40 ?66次閱讀
    氮化硼墊片在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?656次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化?b class='flag-5'>器件成本有望年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化?b class='flag-5'>器件成本有望年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?397次閱讀

    高頻交直流探頭第三代半導(dǎo)體測試的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?264次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    %。研發(fā)與認(rèn)證成本技術(shù)迭代:GaN技術(shù)處于快速發(fā)展期,Neway需持續(xù)投入研發(fā)(如第三代模塊研發(fā)費(fèi)用占比超15%)以保持技術(shù)領(lǐng)先。行業(yè)認(rèn)證:進(jìn)入新能源車、軌道交通等領(lǐng)域需通過AEC-Q100、ISO
    發(fā)表于 12-25 09:12

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    與之匹配的被動元件協(xié)同進(jìn)化。 當(dāng)第三代半導(dǎo)體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優(yōu)勢,新能源汽車
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?340次閱讀

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)功率器件可靠性的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代
    的頭像 發(fā)表于 12-04 08:21 ?976次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>可靠性的詳解;

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。GaN 憑
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?606次閱讀

    傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì)

    傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體新能源
    的頭像 發(fā)表于 09-21 16:12 ?1836次閱讀
    傾佳電子行業(yè)洞察:基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì)

    電鏡技術(shù)第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?739次閱讀
    電鏡技術(shù)<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>關(guān)鍵</b>應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1321次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅(SiC),它們電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2476次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?926次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,Si
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?902次閱讀
    是德示波器如何精準(zhǔn)測量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>SiC的動態(tài)特性