高通重磅發(fā)布第三代驍龍7+，引領(lǐng)AI與性能新紀(jì)元
近日，科技界掀起一陣狂潮，高通技術(shù)公司盛大發(fā)布第三代驍龍7+移動平臺，此舉不僅將終端側(cè)生成式AI技術(shù)首次引入驍龍7系，更在性能上實現(xiàn)飛躍，CPU性能飆升15%，GPU性能更是驚人提升45%。這一革命性的移動平臺，無疑將引領(lǐng)智能手機行業(yè)進入全新的AI與性能新紀(jì)元。
值得關(guān)注的是，第三代驍龍7+移動平臺支持一系列前沿AI模型，包括Baichuan-7B、Gemini Nano、Llama 2和智譜ChatGLM等大語言模型，為用戶提供更為智能、高效的體驗。此外，該平臺還是首個支持高頻并發(fā)（HBS）多連接技術(shù)Wi-Fi 7的驍龍7系平臺，無疑將為用戶帶來前所未有的連接體驗。
業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的手機廠商一加、真我realme和夏普已率先宣布將采用這一平臺，搭載第三代驍龍7+的商用終端預(yù)計將在不久的將來與我們見面。這一創(chuàng)新之舉，無疑將推動整個智能手機行業(yè)的技術(shù)進步，為用戶帶來更加美好的未來。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
高通
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
7731瀏覽量
199784 -
智能手機
+關(guān)注
關(guān)注
66文章
18690瀏覽量
186050 -
AI
+關(guān)注
關(guān)注
91文章
39757瀏覽量
301366
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
Cadence公司成功流片第三代UCIe IP解決方案
為推動小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)（UCIe）IP 解決方案，在臺積電先進的 N3P 工藝上實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
智慧科研新紀(jì)元：善思創(chuàng)興引領(lǐng)AI與自動化變革
薄膜性能評估進入三維精準(zhǔn)切片的新紀(jì)元。它突破傳統(tǒng)剝離測試局限，可同時精準(zhǔn)測量薄膜不同深度（如20μm、40μm、60μm）的剪切強度以及薄膜與基材間的 剝離強度 ，結(jié)果穩(wěn)定可靠、再現(xiàn)性優(yōu)異。
?深度解析
發(fā)表于 09-05 16:55
引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用
Semiconductor）深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
進迭時空第三代高性能核X200研發(fā)進展
繼X60和X100之后，進迭時空正在基于開源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進迭時空的第二代高性能核X100相比，X200的單位性
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論