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CoolSiC G2 1200V MOSFET

采用頂部散熱Q-DPAK封裝

第二代CoolSiC 1200V MOSFET，采用頂部散熱Q-DPAK封裝，提供4mΩ和5mΩ兩種導(dǎo)通電阻規(guī)格，廣泛適用于的工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)汽車(chē)充電、光伏逆變器、不間斷電源、固態(tài)斷路器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、人工智能以及商用電動(dòng)車(chē)等。

Q-DPAK封裝憑借其卓越的熱性能簡(jiǎn)化了組裝流程，降低系統(tǒng)成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱器件支持更優(yōu)化的PCB布局，有助于降低寄生參數(shù)和雜散電感的影響，同時(shí)提供更優(yōu)的熱管理能力。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMCQ120R004M2H

■IMCQ120R005M2H

產(chǎn)品特性

SMD頂部散熱封裝

低雜散電感

采用CoolSiC MOSFET 1200V G2技術(shù)，具備增強(qiáng)的開(kāi)關(guān)性能和更優(yōu)的優(yōu)值系數(shù)

.XT擴(kuò)散焊

極低的導(dǎo)通電阻

封裝CTI>600，并設(shè)有模具溝槽（CD>4.8mm）

優(yōu)異的耐濕性

具備雪崩、短路及功率循環(huán)耐受魯棒性

應(yīng)用價(jià)值

更高的功率密度

支持自動(dòng)化組裝

簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

相比底部散熱封裝，熱性能表現(xiàn)卓越

降低系統(tǒng)功率損耗

可在污染等級(jí)2條件下支持950V RMS電壓

高可靠性

優(yōu)化成本

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

提升功率密度

相比底部散熱器件，熱性能顯著提升

電氣設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)化

應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)汽車(chē)充電

太陽(yáng)能發(fā)電

不間斷電源

固態(tài)斷路器

工業(yè)驅(qū)動(dòng)

人工智能

商用電動(dòng)車(chē)