電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈多方消息指出，英特爾正與全球兩大云巨頭——亞馬遜（AWS）與谷歌進(jìn)行磋商，或?qū)⒗糜⑻貭栕匝械腅MIB及EMIB-T先進(jìn)封裝技術(shù)，為其自研AI芯片提供大規(guī)模代工服務(wù)。與此同時(shí)，馬斯克與英特爾合作的消息也一同傳來。
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可以看到，在AI大模型訓(xùn)練對帶寬與功耗提出極致要求，封裝技術(shù)已經(jīng)成為決定算力上限的“命門”。英特爾憑借其獨(dú)特的EMIB技術(shù)與IDM 2.0戰(zhàn)略，正試圖進(jìn)入高端AI封裝領(lǐng)域的一家獨(dú)大局面，重塑全球半導(dǎo)體版圖。


技術(shù)底座：英特爾EMIB與EMIB-T的“異構(gòu)集成”革命

在摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下，無法依靠縮小晶體管尺寸提升性能。英特爾此次贏得巨頭青睞的核心籌碼，正是其深耕多年的先進(jìn)封裝技術(shù)——EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）及其進(jìn)階版EMIB-T。

在臺(tái)積電CoWoS方案中，通常需要鋪設(shè)一整塊巨大的硅中介層（Silicon Interposer）來連接所有芯粒，成本高昂。而英特爾的EMIB技術(shù)采用的是“按需連接”的方式，不需要全幅的硅中介層，而是在有機(jī)基板中僅于需要高速互連的芯片下方，嵌入一個(gè)微小的高密度硅橋（Silicon Bridge）。英特爾表示，這種方式避免了所有信號(hào)和供電過孔都穿越整層中介層，能夠保持I/O平衡和電源完整性，并提升整體制造效率。

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EMIB 技術(shù)（圖源：英特爾）

綜合來看，英特爾的EMIB封裝技術(shù)具備成本、良率等優(yōu)勢。數(shù)據(jù)顯示，由于大幅減少了昂貴硅材料的使用面積，EMIB的整體成本比CoWoS方案低30%以上。另一方面，由于沒有大面積的中介層意味著缺陷密度更低，量產(chǎn)良率更易控制。同時(shí)，它支持不同制程節(jié)點(diǎn)的芯?；齑睿鐚?0nm的計(jì)算核心與28nm的I/O單元集成，非常適合異構(gòu)計(jì)算的AI芯片設(shè)計(jì)。

為了應(yīng)對生成式AI對帶寬和密度的指數(shù)級需求，英特爾推出了迭代版本EMIB-T（T代表Tall或Throughput）以及EMIB-M。據(jù)英特爾向媒體透露，EMIB-T技術(shù)可以顯著提升芯片互連能效，并大幅壓縮封裝體積。EMIB-T增加了硅通孔（TSV），能夠?qū)崿F(xiàn)垂直電源傳輸，并降低直流和交流噪聲帶來的信號(hào)串?dāng)_。EMIB-M則在硅橋中集成了金屬-絕緣體-金屬 (MIM) 電容器，能夠增強(qiáng)供電能力。

目前英特爾的EMIB技術(shù)已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。此外，關(guān)鍵的產(chǎn)能布局已經(jīng)就位，位于美國新墨西哥州里奧蘭喬（Rio Rancho）的工廠已具備了EMIB-T技術(shù)規(guī)?；虡I(yè)交付的能力。

與此同時(shí)，英特爾正將EMIB與Foveros 3D堆疊技術(shù)深度整合，構(gòu)建起一套極具競爭力的組合拳。目前，F(xiàn)overos技術(shù)已迭代至第五代，其中Foveros Direct實(shí)現(xiàn)了9微米的互連間距，互連密度突破1.2萬/平方毫米，能耗更是低至0.05皮焦/比特以下。按照技術(shù)路線圖規(guī)劃，英特爾計(jì)劃在2027至2028年間將間距進(jìn)一步壓縮至3微米，屆時(shí)互連密度將躍升至約11萬/平方毫米。此外，配合流體自對準(zhǔn)貼裝技術(shù)，其產(chǎn)能有望實(shí)現(xiàn)10倍的跨越式增長。

英特爾在業(yè)績電話會(huì)議中指出，AI時(shí)代正以前所未有的規(guī)模重塑半導(dǎo)體需求版圖：從承載AI加速與傳統(tǒng)計(jì)算的數(shù)據(jù)中心，延伸至網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與企業(yè)級應(yīng)用，最終滲透至客戶端與邊緣設(shè)備。面對AI工作負(fù)載在多元化場景中的快速落地，行業(yè)亟需構(gòu)建異構(gòu)硅基解決方案，通過集成GPU、ASIC以及NPU等多種計(jì)算單元，實(shí)現(xiàn)算力的精準(zhǔn)適配。

技術(shù)博弈：AI先進(jìn)封裝的“算力軍備競賽”

英特爾獲得谷歌和亞馬遜的AI芯片封裝訂單，不僅標(biāo)志著其代工業(yè)務(wù)在商業(yè)拓展上的重大突破，更深刻驗(yàn)證了英特爾在晶圓代工領(lǐng)域仍掌握著不可替代的技術(shù)競爭優(yōu)勢。眾所周知，英特爾經(jīng)歷了“內(nèi)憂外患”的一年：

在內(nèi)部，2025年全年?duì)I收為529億美元，與2021年790億美元的歷史高點(diǎn)相比，有較大的差距；其代工業(yè)務(wù)也處于虧損狀態(tài)。盡管英特爾最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn) 18A 已正式出貨，但良率提升速度未達(dá)預(yù)期，在缺陷密度和一致性上仍有不足。

在外部，消費(fèi)級芯片市場面臨來自AMD等廠商的激烈競爭，導(dǎo)致其市場份額不斷下降。在先進(jìn)制程的競爭中，英特爾一度落后于臺(tái)積電和三星。為了奪回技術(shù)領(lǐng)先地位，英特爾必須投入巨額資金研發(fā)新工藝，AI先進(jìn)封裝正是其押注的新機(jī)會(huì)。

英特爾的AI封裝技術(shù)找到了用武之地，而亞馬遜和谷歌也正處于自研芯片的關(guān)鍵時(shí)刻。與此同時(shí)，一則關(guān)于馬斯克“超級工廠”的消息，更是為這場算力戰(zhàn)爭增添了新的變數(shù)。

當(dāng)下，云廠商不再滿足于僅僅購買現(xiàn)成的GPU，它們正在通過自研芯片來掌握算力的定價(jià)權(quán)和控制權(quán)。

就在2025年，AWS宣布 UltraServers正式上線，該產(chǎn)品搭載多達(dá)144顆其自主研發(fā)的Trainium 3芯片。Trainium 3是亞馬遜首款采用3nm制程工藝的芯片，其計(jì)算性能比上一代相比提升4.4倍，能效與內(nèi)存帶寬也有4倍的增長，精準(zhǔn)聚焦于AI算力領(lǐng)域的性價(jià)比競爭賽道。

谷歌方面，在GTC 2026上公司宣布推出的自研TPU v6 “Trillium”芯片已大規(guī)模部署于Cloud TPU Pod，該芯片采用三星7nm工藝。此外，谷歌已經(jīng)成為1GW電力需求響應(yīng)里程碑，成為全球首家整合該容量的云服務(wù)商。

就在業(yè)內(nèi)傳出英特爾與亞馬遜、谷歌洽談的同時(shí) ，4月7日傳出重磅消息：英特爾將加入馬斯克的超級AI芯片工廠——Terafab綜合體項(xiàng)目，將實(shí)現(xiàn)每年高達(dá)1太瓦的算力。英特爾的加入，意味著其先進(jìn)封裝產(chǎn)能將直接服務(wù)于這個(gè)由馬斯克主導(dǎo)的“算力聯(lián)盟”。

根據(jù)公開的資料，在Terafab項(xiàng)目中，英特爾的角色將從單純的代工方轉(zhuǎn)變?yōu)槿溌芳夹g(shù)合作伙伴，其技術(shù)注入覆蓋了從底層工藝到頂層封裝的多個(gè)環(huán)節(jié)，包括18A制程、3D/EMIB先進(jìn)封裝技術(shù)，以及PowerVia背面供電等。

英特爾預(yù)期從2026年下半年至2027年上半年，客戶將陸續(xù)做出明確的供應(yīng)商選擇。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，尤其是在嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）及其增強(qiáng)版（EMIB-T）技術(shù)上，公司具備顯著的差異化競爭優(yōu)勢。英特爾CEO陳立武（Lip-Bu Tan）在第一財(cái)季業(yè)績電話會(huì)上表示，我們正提升EMIB與EMIB-T技術(shù)的質(zhì)量與良率，以支持客戶在2026年下半年開始的爬坡需求。

小結(jié)：
AI芯片的算力競賽，正成為英特爾在代工領(lǐng)域突圍的關(guān)鍵契機(jī)。英特爾憑借其獨(dú)特的EMIB技術(shù)與IDM 2.0戰(zhàn)略，正試圖進(jìn)入高端AI封裝領(lǐng)域的一家獨(dú)大局面，重塑全球半導(dǎo)體版圖。作為曾經(jīng)的行業(yè)霸主，英特爾能否憑借技術(shù)差異化優(yōu)勢重返巔峰、重塑全球半導(dǎo)體格局，并在AI封裝的激烈角逐中搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)，已成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。