歷史表明DRAM平均售價和市場增長將很快趨于下行；供應(yīng)商謹慎并隨時準備調(diào)整資本支出擴張計劃。

IC Insights在其“2018年McClean報告”的9月更新中披露，在過去兩年中，DRAM制造商一直在以接近滿負荷運行其存儲器晶圓廠，這導(dǎo)致DRAM價格穩(wěn)步上升，并為供應(yīng)商帶來可觀的利潤。圖1顯示，2018年8月DRAM的平均銷售價格（ASP）達到了6.79美元，相比兩年前增長了165％。雖然今年的DRAM平均銷售增速已經(jīng)放緩，但仍保持在2018年前八個月的穩(wěn)健上行軌跡。

DRAM市場以非常周期性而聞名，在經(jīng)歷了兩年的強勁增長之后，歷史優(yōu)先權(quán)現(xiàn)在強烈表明DRAM平均售價（和市場）將很快開始下行趨勢。一個指標顯示DRAM平均價格即將下滑，這是DRAM資本支出大幅增加以擴大或增加新晶圓廠產(chǎn)能的背靠背年份（圖2）。2017年DRAM資本支出增長81％至163億美元，預(yù)計今年將再增加40％至229億美元。在這些水平上的資本支出通常會導(dǎo)致大量的新產(chǎn)能和隨后的價格快速下降。

然而，這次略有不同的是，與前幾代產(chǎn)品相比，頂級DRAM供應(yīng)商現(xiàn)在使用的低于20nm工藝節(jié)點通常與顯著的支出升級相關(guān)的大的生產(chǎn)率提升要小得多。

在今年早些時候舉行的分析師日活動中，美光公司提供的數(shù)據(jù)顯示，制造低于20納米節(jié)點的DRAM需要增加35％的掩模級別，每個關(guān)鍵掩模的非光刻步驟數(shù)量增加110％由于需要制造≤20nm的器件，因此需要更多的設(shè)備（每個部件具有比上一代更大的占位面積），并且每個晶圓的潔凈室空間增加80％。在轉(zhuǎn)換到較小的技術(shù)節(jié)點之后，先前平均為50％的位體積增加，是≤20nm節(jié)點的一小部分。最終結(jié)果是供應(yīng)商必須投入更多資金才能減少比特量輸出。因此，最近資本支出的上升雖然非同尋常，但可能不會產(chǎn)生類似的過剩產(chǎn)能，就像過去一樣。

如圖2所示，預(yù)計2018年DRAM平均售價將上漲38％至6.65美元，但IC Insights預(yù)測隨著額外容量上線和供應(yīng)限制開始放緩，DRAM市場增長將會降溫。（值得一提的是，據(jù)報道，由于客戶需求預(yù)期疲軟，三星和SK海力士于3季度推遲部分擴張計劃。）

當然，DRAM市場中的通配符是中國初創(chuàng)公司未來幾年將扮演的角色和影響。據(jù)估計，中國約占DRAM市場的40％，約占閃存市場的35％。

至少有兩家中國IC供應(yīng)商Innotron和JHICC將參與今年的DRAM市場。雖然中國的產(chǎn)能和制造工藝最初不會與三星，SK海力士或美光公司相媲美，但看看這個國家的創(chuàng)業(yè)公司表現(xiàn)如何以及它們是否只為中國的國家利益服務(wù)，或者它們是否會擴展到滿足全球需求。