SK海力士在京畿道利川投資15萬億韓元（約916億人民幣），建設新的半導體生產線M16。

19日，SK海力士在利川工廠舉行了M16奠基儀式。

在本次活動中，SK集團會長崔泰源，SK集團首席副會長崔再源，SK Supex追求協(xié)議會議長Jo Daesik，全球成長委員長Park Jeungho, SK集團ICT委員長Park Seungwook, SK海力士代表理事Lee Seokhee等首腦部門領導都出席了活動。顯示出在最近半導體市場的高點爭議和市況悲觀論擴散的情況下，SK計劃通過進攻性投資取得正面突破的意圖。

SK集團崔泰源稱：“SK海力士已經寫出了一部克服艱難時期，在挫折中也堅持希望并取得成功的成長故事”，并稱“M16不僅要依靠尖端的硬件技術，也傾注我們的汗水和努力，去創(chuàng)造新的成長神話?！痹俅伪砻髁藢Π雽w事業(yè)投資和培育的強烈的決心。

M16是引領SK海力士未來的最尖端的半導體工廠。具備為了新一代微細工程的極紫外光刻（EUV）設備等，并將生產10幾納米的DRAM等尖端產品。并計劃于2020年下半年稼動。

M16工廠的建設是崔會長在2015年M14產線竣工儀式上提出的共計46萬億韓元規(guī)模的“未來愿景投資計劃”中的一環(huán)?？偼顿Y規(guī)模包含設備采購金額，約15萬億韓元。

M16完工后，繼目前利川的M10（DRAM）·M14（DRAM·Nand Flash）和忠清北道清州的M11·M12·M15（Nand Flash），中國無錫C2（DRAM）等之后，記憶芯片產品產能將大幅擴大。

SK海力士在繼10月初完成忠清北道清州的Nand Flash專用產線M15竣工后，便積極進行對C2產線的擴張施工等設備投資。

與此同時，計劃通過中國無錫合資法人在當地建設芯片代工廠，正式構建DRAM、Nand Flash和代工廠等“半導體三角成長軸”。

尤其是SK海力士正在與韓國政府共同促進大規(guī)模“半導體特色產業(yè)園區(qū)”構建方案。計劃不僅有半導體生產線，零部件、材料、設備企業(yè)也將入住園區(qū)，發(fā)揮協(xié)同作用。韓國政府最近正從恢復經濟活力層面向SK發(fā)出邀請，SK海力士也在進行詳細研究。

SK海力士社長Lee Seokhee稱“若說10幾年沒有建新工廠的SK海力士，在M14和M15建設上實現了許久以來的愿望，那么M16工廠則是SK海力士實現另一個跳躍的起跑線”，并稱“將通過與全球最先進尖端的基礎設施相匹配的創(chuàng)新與技術創(chuàng)造新的未來?！?/p>