深圳市浮思特科技有限公司文章

• Nexperia、東芝和Navitas擴展MOSFET產(chǎn)品線以應對高效能需求2024-08-27 11:47

  

  隨著電動車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等領域對高效、高性能組件需求的持續(xù)上升，電源管理系統(tǒng)的復雜性也隨之增加，市場對更先進和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對此，Nexperia、東芝和Navitas等公司紛紛擴展了各自的MOSFET產(chǎn)品線，以滿足行業(yè)的挑戰(zhàn)和機遇。Navitas、東芝和Nexperia的新型MOSFETNexperia最近擴展了其NextPowe

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• 半導體技術如何推動現(xiàn)代醫(yī)療電子的發(fā)展2024-08-27 11:46

  

  在過去幾十年中，醫(yī)療技術不斷進步，促使醫(yī)療行業(yè)在當前時代經(jīng)歷了徹底的變革。創(chuàng)新半導體在電子元件中的廣泛應用迅速為開發(fā)高度復雜的醫(yī)療儀器打開了大門，這些儀器能夠高效地診斷和管理各種病理狀況。持續(xù)的小型化電子元件的努力，促成了更小、更可穿戴或便攜的醫(yī)療設備的發(fā)展，使得患者可以進行持續(xù)而細致的監(jiān)測，為大多數(shù)患者提供在家護理的便利，而不犧牲醫(yī)療監(jiān)督的質(zhì)量?？纱┐骱捅?

  醫(yī)療電子 半導體 半導體元件 電子元件 2288瀏覽量

• 特斯拉上海超級工廠建設加速，Megapack電池產(chǎn)能蓄勢待發(fā)2024-08-23 11:09

  

  近日，特斯拉公司全球副總裁陶琳(Grace)通過其社交媒體平臺透露，位于中國上海的特斯拉新超級工廠建設正以前所未有的速度推進，當前工程進度已順利達到45%，特斯拉的目標是將生產(chǎn)時間表定在2025年第一季度，標志著這一矚目的項目正穩(wěn)步邁向新的里程碑?；厮葜寥ツ?，特斯拉與上海臨港新區(qū)成功達成了具有深遠意義的合作協(xié)議，并在年底舉行了盛大的正式簽約儀式，為特斯拉在中

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• GaN FET(場效應晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢2024-08-23 11:02

  

  本文重點介紹了一項新發(fā)展：將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)中，且無需外部供電。我們將深入探討這一解決方案的優(yōu)勢、性能以及通過60W適配器電子驗證板獲得的實驗結果。集成電流傳感器與外部電流傳感電阻的比較在電力電子應用中，例如反激式變換器或功率因數(shù)校正(PFC)，通常需要檢測開關電流，以實現(xiàn)峰值/谷值電流模式控

  GaN 傳感器 場效應晶體管 電流傳感 1088瀏覽量

• 新能源汽車充電技術的未來：高功率車載充電機(OBC)的崛起2024-08-20 11:34

  

  在全球汽車行業(yè)經(jīng)歷電動化轉型的浪潮中，新能源汽車的充電效率和便捷性成為了消費者關注的焦點。當前，大多數(shù)新能源汽車的車載充電機(OBC)功率在6.6kW至7.2kW之間，面對日益增大的電池容量，這一功率水平顯得捉襟見肘。為了滿足未來電動車的充電需求，行業(yè)內(nèi)已經(jīng)開始著手開發(fā)功率更高的OBC方案，目標功率范圍在11kW至22kW之間，這將為電動車的快速充電提供更強

  OBC 充電技術 新能源汽車 車載充電機 2360瀏覽量

• SiC FET在固態(tài)斷路器應用中的沖擊電流處理能力2024-08-20 11:05

  

  固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機械斷路器具有多種優(yōu)勢。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應用中擴大其競爭優(yōu)勢。SSCB的優(yōu)勢傳統(tǒng)的電機械斷路器依靠電磁作用進行短路檢測和中斷，同時利用雙金屬作用實現(xiàn)過載電流保護。電磁效應依賴于線圈和接點，涉及多個運動部件。故障限制響應時間通常在幾毫秒左右，具體取決于額定值和使

  SiC 固態(tài) 斷路器 短路檢測器 1372瀏覽量

• 臺積電斥資171.4億新臺幣收購Innolux工廠，加速先進封裝產(chǎn)能擴張2024-08-19 11:33

  

  全球領先的半導體制造巨頭臺積電，在持續(xù)擴大其生產(chǎn)版圖方面邁出了重要一步。據(jù)LibertyTimesNet于8月15日的最新報道，臺積電正式宣布已完成對先進封裝及面板制造商Innolux位于臺灣南部科學園區(qū)的一座重要工廠的收購，交易金額定為171.4億新臺幣，遠低于市場普遍預期的200億新臺幣水平，展現(xiàn)了其高效的資本運作能力。此次收購的工廠占地面積超過96,0

  TSMC 半導體 臺積電 1462瀏覽量

• 提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊2024-08-19 11:31

  

  近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉換器設計師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET的設計成功主要發(fā)生在低功率到20kW范圍內(nèi)的電力轉換器中，這些通常是全新設計，這一趨勢主要是由于提高光伏逆變器和其他工業(yè)電源應用的效率的需求。圖1設計師們現(xiàn)在正在使用市面上可用的高功率全SiC電力模塊和驅動器

  IGBT IGBT模塊 SiC 電力轉換器 2229瀏覽量

• SemiQ將S7封裝添加至其QSiC™高性能功率模塊系列2024-08-16 11:18

  

  SemiQ公司在其QSiC™系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設計靈活性，能夠為新設計提供緊湊、高效和高性能的選擇。同時，它們也便于無縫替換那些需要提升效率的舊系統(tǒng)。此次公告包括四個新電子模塊的發(fā)布：一個529AMOSFET模塊(GCMX003A120S7B1

  SemiQ SiC 功率模塊 1322瀏覽量

• 反向導電IGBT的控制方法2024-08-16 11:13

  

  當IGBT和二極管的功能結合在單個硅片上時，就產(chǎn)生了反向導電IGBT(RC-IGBT)。這使得標準的IGBT/二極管模塊可以在單個硅芯片上構建，從而增強了電流承載能力，而無需增加模塊的占地面積。此外，根據(jù)器件技術的不同，二極管的電氣性能可以受到IGBT柵極控制狀態(tài)的影響。然而，為了管理復合RC-IGBT中的損耗，需要考慮特殊的控制方法。器件介紹反向導電IGB

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