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      中科院半導(dǎo)體所

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      CMOS集成電路中閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生與防護(hù)

      閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一種危險(xiǎn)的寄生效應(yīng)，可能導(dǎo)致芯片瞬間失效甚至永久燒毀....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:30 ?2465次閱讀
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      淺談三維集成封裝技術(shù)的演進(jìn)

      在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，堆疊技術(shù)作為推動(dòng)高集成度與小型化的核心趨勢，正通過垂直堆疊芯片或封裝實(shí)現(xiàn)更緊湊的封....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:29 ?5029次閱讀
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      熱載流子注入效應(yīng)對芯片有什么危害

      熱載流子注入效應(yīng)(Hot Carrier Inject, HCI)是半導(dǎo)體器件(如晶體管)工作時(shí)，高....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:27 ?1294次閱讀
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      功率半導(dǎo)體晶圓級封裝的發(fā)展趨勢

      在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:24 ?4172次閱讀
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      集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

      薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過材料堆積形....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:25 ?3152次閱讀
      集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

      3D封裝架構(gòu)的分類和定義

      3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:23 ?1877次閱讀
      3D封裝架構(gòu)的分類和定義

      淺談SPICE模型參數(shù)自動(dòng)化提取

      在過去的幾十年里，半導(dǎo)體器件緊湊型模型已經(jīng)從 BJT Gummel-Poon 模型中的幾個(gè)參數(shù)發(fā)展到....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:21 ?1268次閱讀

      詳解芯片制造中的可測性設(shè)計(jì)

      然而，隨著納米技術(shù)的出現(xiàn)，芯片制造過程越來越復(fù)雜，晶體管密度增加，導(dǎo)致導(dǎo)線短路或斷路的概率增大，芯片....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:19 ?2764次閱讀
      詳解芯片制造中的可測性設(shè)計(jì)

      硅通孔電鍍材料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

      硅通孔（TSV）技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔，達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-14 08:30 ?6774次閱讀
      硅通孔電鍍材料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

      TSV制造工藝概述

      硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)是一種通過在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-13 10:41 ?3604次閱讀
      TSV制造工藝概述

      一文詳解晶圓級封裝與多芯片組件

      晶圓級封裝（WLP）與多芯片組件（MCM）作為先進(jìn)封裝的“雙引擎”，前者在晶圓未切割時(shí)即完成再布線與....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-13 10:36 ?2434次閱讀
      一文詳解晶圓級封裝與多芯片組件

      PoP疊層封裝與光電路組裝技術(shù)解析

      半導(dǎo)體封裝正快速走向“堆疊+融合”：PoP把邏輯和存儲垂直整合，先測后疊保良率;光電路組裝用光纖替代....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-10 08:08 ?10082次閱讀
      PoP疊層封裝與光電路組裝技術(shù)解析

      系統(tǒng)級立體封裝技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

      系統(tǒng)級立體封裝技術(shù)作為后摩爾時(shí)代集成電路產(chǎn)業(yè)的核心突破方向，正以三維集成理念重構(gòu)電子系統(tǒng)的構(gòu)建邏輯。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-29 10:46 ?7735次閱讀
      系統(tǒng)級立體封裝技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

      碳化硅材料有什么特點(diǎn)

      目前車規(guī)級IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導(dǎo)體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-29 10:44 ?2821次閱讀
      碳化硅材料有什么特點(diǎn)

      一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

      SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計(jì)，是在頂層硅與硅襯底....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 16:17 ?6739次閱讀
      一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

      晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

      隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:53 ?1626次閱讀
      晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

      集成電路制造中封裝失效的機(jī)理和分類

      隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進(jìn)，封裝缺陷對可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:52 ?1029次閱讀
      集成電路制造中封裝失效的機(jī)理和分類

      集成電路中場效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法

      柵極電阻的存在對電路性能的影響很大，會引入熱噪聲，增大電路的噪聲系數(shù)，影響器件的開關(guān)速度和最大振蕩頻....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:51 ?967次閱讀
      集成電路中場效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法

      HBM技術(shù)在CowoS封裝中的應(yīng)用

      HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:47 ?2199次閱讀

      一文詳解BSIM-SOI模型

      隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應(yīng)等瓶頸。SOI....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:41 ?2106次閱讀
      一文詳解BSIM-SOI模型

      一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

      天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對純度....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:13 ?1339次閱讀
      一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

      拉曼光譜的基礎(chǔ)知識

      想象一下，如果我們能夠"聽見"分子的"聲音"，那會是什么樣的？拉曼光譜技術(shù)正是這樣一種神奇的工具，它....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:11 ?2606次閱讀
      拉曼光譜的基礎(chǔ)知識

      光伏電池的發(fā)展歷程和分類

      2025 光伏電池的研究起源可追溯至 1883 年，科學(xué)家 Charles Fritts 采用硒半導(dǎo)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:09 ?1587次閱讀
      光伏電池的發(fā)展歷程和分類

      電源管理芯片常見術(shù)語

      PMIC (Power Management Integrated Circuit)：電源管理集成電....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:07 ?1215次閱讀

      一文詳解TEM中的非彈性散射和電子束損傷

      為什么非彈性散射值得我們關(guān)注?因?yàn)檫@類散射過程產(chǎn)生了多種信號，每種信號都能提供比彈性電子更豐富的樣品....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-16 11:30 ?1878次閱讀
      一文詳解TEM中的非彈性散射和電子束損傷

      離子注入技術(shù)的常見問題

      離子注入單晶靶材時(shí)，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-12 17:16 ?2471次閱讀
      離子注入技術(shù)的常見問題

      一文詳解TEM中的彈性散射

      彈性散射電子是TEM圖像襯度的主要來源，同時(shí)也產(chǎn)生衍射圖樣(DPs)的大部分強(qiáng)度，因此理解控制這一過....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-10 15:20 ?2683次閱讀
      一文詳解TEM中的彈性散射

      一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

      拉曼散射通常是一種非常微弱的效應(yīng)，因?yàn)榧ぐl(fā)的光子與參與散射過程的分子之間存在非諧振的相互作用。因此，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-09 09:50 ?1415次閱讀
      一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

      一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

      在空間輻射環(huán)境下，高能質(zhì)子與重離子的作用會誘發(fā)單粒子效應(yīng)。誘發(fā)這類單粒子效應(yīng)的空間輻射，主要來源于兩....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:57 ?1339次閱讀
      一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

      PDK在集成電路領(lǐng)域的定義、組成和作用

      PDK（Process Design Kit，工藝設(shè)計(jì)套件）是集成電路設(shè)計(jì)流程中的重要工具包，它為設(shè)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:56 ?2404次閱讀