(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡(jiǎn)稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)
2022-05-19 16:03:51
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意法半導(dǎo)體布局第三代半導(dǎo)體多年，是推動(dòng)氮化鎵、碳化硅等發(fā)展商用的主要廠商之一。在氮化鎵方面，2018年意法半導(dǎo)體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術(shù)。意法
2020-02-24 08:57:484103 解決方案，點(diǎn)燃“物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備人機(jī)界面”革命中國(guó)，2018年7月12日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼
2018-07-13 15:52:39
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
新任總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery任新執(zhí)行委員會(huì)主席中國(guó)，2018年6月4日——根據(jù)意法半導(dǎo)體新任總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery的提議，監(jiān)事會(huì)批準(zhǔn)成立新組建的由
2018-06-04 16:24:42
? 意法半導(dǎo)體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開發(fā)人員的需求專門設(shè)計(jì) ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品及解決方案 意法半導(dǎo)體(ST)收購(gòu)Atollic——專注于Arm? 微控制器集成開發(fā)環(huán)境的嵌入式系統(tǒng)公司意法半導(dǎo)體(ST)與亞馬遜云計(jì)算服務(wù)平臺(tái)合作，提供基于STM32和Amazon FreeRTOS的IoT云節(jié)點(diǎn)整體解決方案
2018-02-09 14:08:48
中國(guó)，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測(cè)試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器制造技術(shù)邁入新里程碑。意法半導(dǎo)體(ST)宣布成功結(jié)合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
戰(zhàn)略，針對(duì)未來(lái)幾年部署一些新的舉措，從而形成了宏偉計(jì)劃和2025年目標(biāo)。 ”2017 年意法半導(dǎo)體于可持續(xù)發(fā)展所取得的重要成果：創(chuàng)新與合作伙伴關(guān)系? 將總收入的 31 ％重新投入研發(fā)和資本支出，這是對(duì)創(chuàng)新
2018-05-29 10:32:58
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡(jiǎn)化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來(lái)會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?；统錾\(yùn)營(yíng)完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
IIC：技術(shù)創(chuàng)新不遺余力，意法半導(dǎo)體展示兩個(gè)“第一”領(lǐng)先半導(dǎo)體廠商在技術(shù)創(chuàng)新方面可謂不遺余力。意法半導(dǎo)體這次在本屆國(guó)際集成電路展(2006 IIC)上除了正式在中國(guó)市場(chǎng)正式推介其
2008-09-27 11:40:15
趕上甚至超過(guò)了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
負(fù)有盛名。MACOM公司氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)是第四代，且極具價(jià)格優(yōu)勢(shì)和廣闊的應(yīng)用前景。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)Demo關(guān)于MACOM據(jù)悉，MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與世界領(lǐng)先的獨(dú)立定位技術(shù)專家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半導(dǎo)體STM32* 開放式開發(fā)
2018-09-07 11:12:27
證明了技術(shù)如何真地改變并實(shí)現(xiàn)讓印度更快發(fā)展的環(huán)境。"意法半導(dǎo)體大中華、南亞、印度和韓國(guó)（亞太區(qū)）PDSA系統(tǒng)工程和戰(zhàn)略計(jì)劃業(yè)務(wù)開發(fā)應(yīng)用總監(jiān)Allan Lagasca補(bǔ)充道：“通過(guò)開發(fā)創(chuàng)新的微電子技術(shù)
2018-03-08 10:17:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬(wàn)家客戶、成千上萬(wàn)名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
、低功耗和可配置性的完美組合?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體北歐銷售副總裁Iain Currie表示：“這個(gè)創(chuàng)新的感測(cè)技術(shù)可讓任何物品、表面或空間具有觸控互動(dòng)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠完全自由地設(shè)計(jì)。Neonode選用意法
2018-02-06 15:44:03
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
的IO-Link，能更好地幫助設(shè)備互聯(lián)互通。 傳感與數(shù)據(jù)處理：作為MEMS和傳感器技術(shù)創(chuàng)新、生產(chǎn)及應(yīng)用方面的領(lǐng)導(dǎo)者，意法半導(dǎo)體能夠提供多種產(chǎn)品和定制化解決方案，以滿足客戶的不同需求。本次展會(huì)意法半導(dǎo)體將
2018-06-28 10:59:23
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導(dǎo)體工程師，因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職，繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
▌2024ST工業(yè)峰會(huì)簡(jiǎn)介
第六屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024 即將啟程！在為期一整天的活動(dòng)中，您將探索意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新，推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展。參加意法半導(dǎo)體及合作伙伴高管的精彩主題演講
2024-10-16 17:18:50
意法半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
意法半導(dǎo)體ST鞏固無(wú)線通信半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位
中國(guó)，2008年5月27日 — 意法半導(dǎo)體（
2008-07-15 15:52:371217 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(ST)于10月17日至20日期間在2011年美國(guó)國(guó)際太陽(yáng)能展覽會(huì)上展示了太陽(yáng)能發(fā)電站及節(jié)能住宅的最新創(chuàng)新。 意法半導(dǎo)體提供完整的系統(tǒng)解決方案
2011-10-21 10:17:351078 北京時(shí)間2月20日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，歐洲最大的半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體日前將其CFO卡爾洛·費(fèi)羅（Carlo Ferro）派駐到意法半導(dǎo)體無(wú)線業(yè)務(wù)和愛立信手機(jī)平臺(tái)部門合資企業(yè)——ST-Ericss
2012-02-21 09:50:38716 意法半導(dǎo)體（ST）榮登湯森路透（Thomson Reuters） 2012年全球百大創(chuàng)新企業(yè)排行榜，成為全世界最具創(chuàng)新力的企業(yè)之一。
2012-12-13 09:34:371093 中國(guó)，業(yè)界領(lǐng)先的微型投影和感測(cè)技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)MicroVision公司 （納斯達(dá)克證交所代碼： MVIS）和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）意法半導(dǎo)體宣布，雙方將合作研發(fā)和銷售激光掃描（LBS）技術(shù)。
2018-04-24 11:43:001858 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)宣布正式收購(gòu)專業(yè)軟件開發(fā)商Draupner Graphics，后者是TouchGFX軟件框架的開發(fā)和供應(yīng)商。
2018-07-25 14:42:053321 據(jù)最新消息稱：德國(guó)半導(dǎo)體公司英飛凌（Infineon）擬收購(gòu)意法半導(dǎo)體（ST），雙方已舉行了早期會(huì)談。若收購(gòu)成功，將誕生一家新的歐洲半導(dǎo)體巨頭！
2018-08-05 10:26:045685 electronica 2018最火展區(qū)之一，意法半導(dǎo)體的亮眼科技。
2018-12-03 16:44:325393 意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1988年6月成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為
2018-12-29 10:31:5729771 
意法半導(dǎo)體在汽車電子領(lǐng)域是一家重要的上游供應(yīng)商，業(yè)界多次有傳聞，英飛凌將收購(gòu)意法半導(dǎo)體。法國(guó)政府和意大利政府通過(guò)控股公司平分了ST 27.5%的股份，而法國(guó)政府一直對(duì)英飛凌收購(gòu)意法半導(dǎo)體持反對(duì)意見。
2019-01-16 09:33:306689 SiC功率器件大勢(shì)所趨，國(guó)際巨頭競(jìng)相布局，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體擬通過(guò)并購(gòu)整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。日前，意法半導(dǎo)體宣布，公司已簽署協(xié)議，收購(gòu)瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商
2019-04-06 16:41:362673 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布，已與歐洲領(lǐng)先的氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3，000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。同時(shí)，這一協(xié)議還將根據(jù)盈利能力支付計(jì)劃支付額外的獎(jiǎng)金。 EpiGaN的GaN產(chǎn)品主要用于RF（射頻）、
2019-05-16 09:17:001720 臺(tái)積電昨日宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。
2020-02-21 15:41:183076 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，優(yōu)勢(shì)十分明顯，例如，在大功率工作時(shí)能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。
2020-02-24 17:15:131626 以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導(dǎo)體材料越來(lái)越受到市場(chǎng)重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購(gòu)法國(guó)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購(gòu)協(xié)議。
2020-03-10 11:22:193244 滿天芯消息，10月15日，意法半導(dǎo)體宣布收購(gòu)和整合SOMOS半導(dǎo)體資產(chǎn)。所收購(gòu)的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司SOMOS專注于為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)和5G市場(chǎng)提供基于硅的功率放大器和RF前端模塊產(chǎn)品。 SOMOS成立
2020-10-19 17:10:113559 基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對(duì)稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 意法半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡(jiǎn)化高達(dá)200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 意法半導(dǎo)體將于 11 月 3 日在中國(guó)深圳福田香格里拉大酒店舉辦意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì) 2021 。
2021-11-03 10:44:532109 意法半導(dǎo)體推出了一個(gè)新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER 產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出了一個(gè)新系列——氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。該系列的目標(biāo)應(yīng)用包括消費(fèi)類電子產(chǎn)品的內(nèi)置
2022-01-17 14:22:543358 意法半導(dǎo)體榮登科睿唯安Clarivate?全球最具創(chuàng)新力的企業(yè)年度榜排行榜，入選2022全球百?gòu)?qiáng)創(chuàng)新企業(yè)Top 100 Global Innovator? 2022。
2022-03-03 11:04:172521 
意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。
2022-05-20 09:16:172063 本文（上）回顧了氮化鎵的發(fā)展歷程，并介紹了意法半導(dǎo)體MasterGaN產(chǎn)品系列和解決方案；本文（下）將介紹意法半導(dǎo)體VIPerGaN產(chǎn)品系列和解決方案。
2022-09-20 09:07:262904 傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和氮化鎵
2022-12-13 10:00:083919 了解氮化鎵
-寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？
-氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:252391 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:562409 
意法半導(dǎo)體怎么樣 意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113004 氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 17:41:29999 氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對(duì)硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 意法半導(dǎo)體中國(guó) 意法半導(dǎo)體(中國(guó))投資有限公司成立于2005年06月17日，注冊(cè)地位于上海市閔行區(qū)東川路555號(hào)丁樓4層，法定代表人為MARCO LUCIANO CASSIS。經(jīng)營(yíng)范圍包括一、在國(guó)家
2023-02-16 16:32:562859 來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204100 在電源與能源應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體將展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個(gè)單一封裝內(nèi)整合了意法半導(dǎo)體第三代氮化鎵（GaN）功率晶體管和改進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)器。
2023-06-30 16:33:451393 ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
2023 年 9 月 6 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453087 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:123281 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國(guó)” ， 關(guān)注我們 ???????? 2023年11月21日，意法封測(cè)創(chuàng)新中心在深圳河套深港科技創(chuàng)新合作區(qū)的灣區(qū)芯谷盛大開幕。該封測(cè)創(chuàng)新中心整合和聚集了與制造、封裝
2023-12-07 10:45:021367 2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:111621 氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184061 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 近日，備受矚目的全球百?gòu)?qiáng)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)榜單揭曉，意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）憑借其卓越的技術(shù)研發(fā)實(shí)力和創(chuàng)新能力，成功榮登這一榜單。這一榮譽(yù)再次證明了意法半導(dǎo)體在全球半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-03-14 09:16:461859 繼榮登2024年全球百?gòu)?qiáng)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)榜單之后，意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）再度迎來(lái)喜訊。在近日舉辦的第二十二屆中國(guó)自動(dòng)化及數(shù)字化年度評(píng)選（CAIMRS）中，意法半導(dǎo)體的兩款產(chǎn)品憑借其卓越的創(chuàng)新性能，分別榮獲了“應(yīng)用創(chuàng)新獎(jiǎng)”和“數(shù)字化創(chuàng)新獎(jiǎng)”。
2024-03-28 10:23:55900 日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件，旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競(jìng)爭(zhēng)激烈，但氮化鎵因其極低的功率損耗而備受矚目。
2024-10-22 15:10:021757 為了推動(dòng)氮化鎵(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升，意法半導(dǎo)體近日推出了EVL250WMG1L參考設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)，是一款諧振轉(zhuǎn)換器
2024-12-25 14:19:481143 專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來(lái)，始終致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用。公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品線覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片以及模組等多個(gè)領(lǐng)域，能
2025-01-02 14:36:301522 為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151134 科在中國(guó)的制造產(chǎn)能。 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司 意法半導(dǎo)體 （簡(jiǎn)稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè) 英諾賽科 ，共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各
2025-04-01 10:06:023810 
新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報(bào)道。 ? ? 日前， 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場(chǎng)及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:413670 為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-07-18 14:40:16942 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）宣布，擬收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱NXP）的MEMS傳感器業(yè)務(wù)，繼續(xù)鞏固其全球傳感器龍頭地位。擬收購(gòu)的恩智浦業(yè)務(wù)專注于汽車安全產(chǎn)品以及
2025-07-30 16:01:32798
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