揚(yáng)杰科技推出IGBT PIM模塊產(chǎn)品，分別有P2、P3兩款封裝外形，1200V，電流10A~35A，芯片參數(shù)穩(wěn)定，一致性優(yōu)異
2020-07-22 14:42:19
3132 ，IGBT、超結(jié)MOSFET等中高壓產(chǎn)品也受到了更多關(guān)注，不過(guò)面對(duì)第三代半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的強(qiáng)勢(shì)沖擊，未來(lái)增速面臨放緩跡象。 ? 然而在低壓領(lǐng)域的硅基MOSFET市場(chǎng)，SGT MOSFET正在獲得快速增長(zhǎng)。SGT MOSFET在性能上帶來(lái)了新的升級(jí)，并逐步取代傳統(tǒng)的Trench（
2024-08-02 00:13:0011133 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，在低壓領(lǐng)域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能優(yōu)勢(shì)，正在獲得快速增長(zhǎng)，逐步取代傳統(tǒng)
2025-07-12 00:15:003191 ? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，揚(yáng)杰科技是集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷(xiāo)售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。公司已經(jīng)推出了分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊
2025-08-11 08:08:005286 壓場(chǎng)效率管（MOSFET）MOS管型號(hào)：HC021N10L-AMOS管參數(shù)：100V35A內(nèi)阻：22mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：1880pF類(lèi)型：SGT工藝NMOS開(kāi)啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
SGT100A羅德與施瓦茨SGT100A-------------------------------------------公司名稱：深圳市捷威信電子儀器有限公司聯(lián)系人：譚會(huì)平
2021-08-06 09:35:51
HGK075N10L【TO-252、100V15A、VGS=20V、Vth=1.65V、75mR@10V、SGT工藝】
HGK075N10L 是一款面向中低壓功率場(chǎng)景的N 溝道 SGT 工藝
2025-11-17 14:04:46
倒計(jì)時(shí)！就在明天！大咖打call 第二彈！OpenHarmony開(kāi)源大師兄新品發(fā)布會(huì)，6月30日10:00重磅開(kāi)啟。立即報(bào)名：OpenHarmony開(kāi)源大師兄新品發(fā)布會(huì)
2022-06-29 13:59:54
R&S羅德SGT100A回收射頻信號(hào)源供應(yīng)熱線：***供應(yīng)VX號(hào)：15015200707供應(yīng)QQ:3140751627（同微）koukou:三一四零七五一六二七(同微)R_SSGT100
2021-06-24 16:22:34
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
德國(guó)羅德與施瓦茨SGT100A/SGS100A射頻信號(hào)源公司名稱：深圳市捷威信電子儀器聯(lián)系人：劉*** V：18025446127座機(jī)號(hào)：0755-27538807QQ
2021-09-26 08:57:49
德國(guó)羅德與施瓦茨SGT100A矢量射頻信號(hào)源公司名稱：深圳市捷威信電子儀器聯(lián)系人：劉*** V：18025446127座機(jī)號(hào)：0755-27538807QQ：2770811561Ｅ－mail：liu
2021-10-09 10:46:49
管（MOSFET）MOS管型號(hào)：惠海半導(dǎo)體HG012N06LMOS管參數(shù)：60V50A（50N06）內(nèi)阻：11mR（VGS=10V）結(jié)電容：550pF 類(lèi)型：SGT工藝NMOS開(kāi)啟電壓：1.8V封裝
2020-08-29 14:51:46
全國(guó)回收SGT100A、高價(jià)收購(gòu)R&S SGT100A信號(hào)發(fā)生器本公司大量回收二手儀器上門(mén)回收現(xiàn)金回收高價(jià)回收無(wú)論你在哪，只要你想賣(mài)，一個(gè)電話，我們上門(mén)回收！R&S?SGT100
2018-11-23 16:33:09
如題，最近國(guó)產(chǎn)的rsic-v的mcu有什么新品發(fā)布。那種超低功耗的！
2024-04-13 07:58:52
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:36:20
23 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 8月22日，揚(yáng)杰科技發(fā)布其2019年上半年業(yè)績(jī)報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入8.91億元，同比增長(zhǎng)1.50%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)8660.49萬(wàn)元，同比下降44.44%。
2019-08-25 11:11:453172 由揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）主辦的共創(chuàng)共享，合作雙贏||揚(yáng)杰科技充電樁功率器件解決方案推介會(huì)在深圳JW萬(wàn)豪大酒店正式召開(kāi)。
2020-07-27 11:10:032633 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）首次亮2020（第二屆）半導(dǎo)體大會(huì)。
2020-08-26 17:16:041494 產(chǎn)品特點(diǎn)
1、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434609 
的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。 ? ? ? ? ? ?SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝制造方法，因其不需要在溝槽內(nèi)生長(zhǎng)厚的屏蔽電極介質(zhì)層，同時(shí)Bsg具有良好的高溫回流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小
2020-12-25 14:02:0731772 MOSFET大致可以分為以下幾類(lèi)：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
2021-01-22 08:41:4211404 揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進(jìn)的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì)，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí)，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
2022-04-08 15:01:342714 
NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:342966 
NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232635 
NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003102 
NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243 
展會(huì)，揚(yáng)杰科技盛裝亮相，現(xiàn)場(chǎng)豐富的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品系列在各應(yīng)用端的解決方案，吸引了全國(guó)各地的客戶在展臺(tái)處駐足參觀和咨詢，揚(yáng)杰應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)給客戶提供了專業(yè)的產(chǎn)品方案建議以及實(shí)際案列分享。 ? ? ? ? ? ? ? 展會(huì)上，揚(yáng)杰科技成功舉辦了SiC、IGBT、MOSFET新品發(fā)布會(huì)以
2022-11-18 15:16:41604 揭秘WAYON維安新研發(fā)的SGT MOSFET，三大優(yōu)勢(shì)前途無(wú)量！
2023-01-06 12:59:083573 
20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH950UPE
2023-02-07 18:54:170 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH850UPE
2023-02-07 18:54:360 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH550UPE
2023-02-07 18:54:520 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH1200UPE
2023-02-07 18:57:040 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV50XPA
2023-02-07 19:08:130 100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PXP1500-100QS
2023-02-15 18:51:490 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-NXV100XP
2023-02-16 21:22:490 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PMV240SP
2023-02-17 19:41:560 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK4D38-20P
2023-02-17 19:54:330 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK4D110-20P
2023-02-17 19:56:520 100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PXP400-100QS
2023-02-20 18:48:420 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y10-30P
2023-02-20 19:03:030 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y19-30P
2023-02-20 19:03:191 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:400 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y24-40P
2023-02-20 19:06:230 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y14-40P
2023-02-20 19:12:590 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB100XPEA
2023-02-20 19:30:130 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 N 溝道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS
2023-02-22 18:47:050 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 70 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PMT200EPE
2023-02-23 18:51:161 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-40P
2023-02-23 19:03:480 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100XPEA
2023-02-23 19:22:080 20 V、2 A P 溝道溝槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術(shù)，具有出色的Qg*Ron產(chǎn)品(FOM)，極低的導(dǎo)通電阻(Ron
2023-06-08 14:24:222022 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開(kāi)關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:282136 
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:451376
賀
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捷報(bào)頻傳 再獲佳績(jī)
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揚(yáng)杰科技榮獲“江蘇省
2023-10-24 19:30:05828 
供應(yīng)SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 20A600V單管igbt，提供SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:29:481 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書(shū)參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:345 近日，據(jù)邗江發(fā)布消息，在維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司副董事長(zhǎng)梁瑤信心滿滿地告訴記者，“去年揚(yáng)杰電子實(shí)現(xiàn)開(kāi)票銷(xiāo)售60億元，今年有望取得更大突破。”
2024-02-20 09:34:581974 近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 在新能源市場(chǎng)迅猛發(fā)展的浪潮中，功率器件作為電力電子變換系統(tǒng)的核心部件，其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求，揚(yáng)杰科技近日隆重推出了一系列新型SJ MOSFET產(chǎn)品，特別針對(duì)光伏微逆變、工業(yè)電源和服務(wù)器電源等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2024-06-28 09:53:251090 2024年7月8-10日，為期三天的慕尼黑上海電子展圓滿落幕，揚(yáng)杰科技憑借卓越先進(jìn)的展品、行業(yè)應(yīng)用解決方案、獨(dú)具一格的展臺(tái)設(shè)計(jì)，現(xiàn)場(chǎng)銷(xiāo)售人員、FAE、PM、行業(yè)經(jīng)理等進(jìn)行專業(yè)接待交流，吸引大量新老客戶來(lái)現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行互相交流探討，展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)人流如織，使得揚(yáng)杰科技成為本次展會(huì)一大亮點(diǎn)。
2024-07-14 10:06:431264 近日，揚(yáng)杰科技推出了專為PC主板應(yīng)用設(shè)計(jì)的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的SGT技術(shù)，具有出色的電氣性能。
2024-10-12 15:59:231276 uSGT MOSFET的市場(chǎng)前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SGT-MOS嚴(yán)格意義上來(lái)說(shuō)，在工藝上并沒(méi)有
2024-11-08 10:36:3412782 
揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產(chǎn)品，產(chǎn)品均采用開(kāi)爾文接觸，明顯減少了開(kāi)關(guān)時(shí)間，降低了開(kāi)關(guān)損耗，支持更高頻率的應(yīng)用與動(dòng)態(tài)響應(yīng)；同時(shí)相比插腳器件降低了電路板空間，增加了電路板的集成化，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)
2024-11-27 14:15:381287 
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品是基于傳統(tǒng)溝槽式MOSFET的改進(jìn)版本，其出色的導(dǎo)通電阻、品質(zhì)因子和快速硬開(kāi)關(guān)能力，為電源設(shè)計(jì)人員提供了解決提高系統(tǒng)效率
2024-11-30 09:18:331481 近日，喜訊傳來(lái)，揚(yáng)杰科技全資子公司MCC（越南）工廠正式步入通線階段。這一里程碑式的成就標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在積極開(kāi)拓國(guó)際市場(chǎng)、加速全球化進(jìn)程上邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-12-16 11:29:212836 風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮”在上?！ど虾Ｖ行某晒εe辦。會(huì)上，主辦方重磅發(fā)布了《2024中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)TOP100》榜單，揚(yáng)杰科技位居第16位。 據(jù)了解，“中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)TOP100”進(jìn)入門(mén)檻需要營(yíng)業(yè)收入3億元以上。TOP50的營(yíng)收門(mén)檻已經(jīng)超過(guò)10億元，基于中國(guó)資本市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)的估值，基本上也對(duì)應(yīng)了
2024-12-21 10:27:043216 
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)構(gòu)，使得器件
2025-01-03 10:19:162056 
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類(lèi)似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545893 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58999 揚(yáng)杰科技于2024年推出了一系列用于汽車(chē)電子的N60V SGT MOSFET，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
2025-04-01 10:39:531036 
Mosfet新品與微溝槽IGBT單管，前者采用高密度溝槽設(shè)計(jì)，導(dǎo)通電阻降低20%，適用于服務(wù)器電源與消費(fèi)電子快充；后者通過(guò)背面加工工藝優(yōu)化，飽和壓降與關(guān)斷損耗雙降，可提升變頻器能效5%以上。 二 技術(shù)論壇 共探發(fā)展 ? ? ? ? 展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，揚(yáng)杰科技的技術(shù)專家也帶來(lái)了兩場(chǎng)關(guān)于SiC、IGBT的專業(yè)
2025-05-09 10:11:561318 
近日，全球第一大汽車(chē)零部件技術(shù)供應(yīng)商博世集團(tuán)（BOSCH）全球電子和軟件采購(gòu)高級(jí)副總裁Gohlicke Bernd、全球電子和軟件采購(gòu)副總裁Sbanski Oliver率隊(duì)蒞臨揚(yáng)杰科技。揚(yáng)杰
2025-05-19 09:27:42985 在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381107 
近日，揚(yáng)杰科技副董事長(zhǎng)劉從寧率項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)專程前往維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)拜訪，代表企業(yè)向管委會(huì)主任仇震及領(lǐng)導(dǎo)班子鄭重遞交送上印有 “政企聯(lián)動(dòng)創(chuàng)效率，高效服務(wù)助發(fā)展” 的鮮紅錦旗，致謝管委會(huì)在揚(yáng)杰科技7號(hào)廠
2025-05-30 16:22:54820 作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592501 
極型晶體管（IGBT）和快速恢復(fù)二極管（FWD），適用于多種高功率應(yīng)用場(chǎng)景，展現(xiàn)了揚(yáng)杰電子在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力。 產(chǎn)品概述 MG35P12E1A是一款電壓等級(jí)為1200V、額定電流35A的IGBT模塊，其設(shè)計(jì)兼顧了高效能與可靠性。模塊采用低電感封裝技術(shù)，具有低
2025-06-18 17:52:14645 
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
揚(yáng)杰科技近日推出SOD-323HE封裝TVS新品，產(chǎn)品散熱性能優(yōu)，背部Pad面積大，對(duì)比SOD-123FL散熱路徑更改，由原來(lái)的引腳散熱更改為背部金屬板Pad散熱，金屬散熱面積增大89% 。同時(shí)封裝外形小，比SOD-123HE封裝長(zhǎng)度降低56%，寬度降低56%，滿足封裝小型化的發(fā)展趨勢(shì)。
2025-07-21 11:43:011210 
揚(yáng)杰科技近日推出了一系列用于汽車(chē)電子的P60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)，同時(shí)優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力
2025-08-13 17:57:012747 
2025年8月8日上午，揚(yáng)杰科技與北京一高科技控股集團(tuán)（簡(jiǎn)稱“北京一高科技”）聯(lián)合辦學(xué)簽約儀式在揚(yáng)杰科技順利舉行。
2025-08-13 18:02:161214 N100V MOSFET產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
2025-09-15 09:57:56624 
在功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化浪潮中，ZK100G200P憑借“性能對(duì)標(biāo)進(jìn)口、成本更具優(yōu)勢(shì)”的特點(diǎn)，成為打破國(guó)際品牌壟斷的關(guān)鍵力量。其100V/205A參數(shù)組合、SGT工藝帶來(lái)的高頻低損耗特性。
2025-10-15 11:20:36513 
在中小型功率電子設(shè)備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級(jí)的進(jìn)程中，MOSFET作為電能控制的核心器件，其性能與尺寸的平衡成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET，以100V
2025-10-21 10:54:37324 
在功率電子領(lǐng)域，“適配性”與“可靠性”是器件立足市場(chǎng)的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET，以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能基底，融合SGT（超結(jié)溝槽柵）先進(jìn)工藝與經(jīng)典
2025-10-21 11:38:20301 
中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管，以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù)，融合SGT（屏蔽柵晶體管）工藝與高適配封裝，不僅精準(zhǔn)破解這一行業(yè)痛點(diǎn)，更在工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源儲(chǔ)能、消費(fèi)電子三大領(lǐng)域構(gòu)建起“高效能-高可靠-低成本”的應(yīng)用生態(tài)，成為國(guó)產(chǎn)中低壓大功率器件的標(biāo)桿選擇。
2025-10-24 17:53:57912 
2025年10月28日上午8時(shí)56分，揚(yáng)杰科技先進(jìn)封裝項(xiàng)目（一期）開(kāi)工儀式在五號(hào)廠區(qū)舉行。揚(yáng)州維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)黨工委副書(shū)記、管委會(huì)主任仇震，管委會(huì)副主任潘健年，揚(yáng)杰科技董事長(zhǎng)梁勤等領(lǐng)導(dǎo)及參建單位、企業(yè)員工代表出席，共同見(jiàn)證這一重要時(shí)刻。
2025-10-31 16:11:29745 ? 揚(yáng)杰科技 2025? “裝備系列”之 東風(fēng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈供需對(duì)接交流活動(dòng) —會(huì)議回顧— ? ? 11月28日，“2025《裝備強(qiáng)國(guó)》系列之東風(fēng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈供需對(duì)接交流活動(dòng)”在東風(fēng)汽車(chē)集團(tuán)有限公司研發(fā)
2025-12-02 11:03:36411 
2025年12月2日，揚(yáng)杰科技與奔馳正式簽訂長(zhǎng)期合作協(xié)議。此次合作歷經(jīng)近兩年的深度對(duì)接，標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與全球市場(chǎng)拓展方面取得積極進(jìn)展，為公司優(yōu)化高端客戶網(wǎng)絡(luò)、穩(wěn)固行業(yè)市場(chǎng)地位奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2025-12-10 18:01:431166 12月6日下午，江蘇省委副書(shū)記、省長(zhǎng)劉小濤一行蒞臨揚(yáng)杰科技調(diào)研，揚(yáng)州市委書(shū)記王進(jìn)健，揚(yáng)州市委副書(shū)記、秘書(shū)長(zhǎng)焦慶標(biāo)，邗江區(qū)委書(shū)記張新鋼等陪同，揚(yáng)杰科技董事長(zhǎng)梁勤、副董事長(zhǎng)梁瑤熱情接待。
2025-12-10 18:04:041579 長(zhǎng)晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺(tái)，與Gen1.0相比，F(xiàn)om值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平
2025-12-18 10:08:23272 
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