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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>業(yè)界首款全SiC功率模塊問(wèn)世:開(kāi)關(guān)效率提升10倍

業(yè)界首款全SiC功率模塊問(wèn)世:開(kāi)關(guān)效率提升10倍

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2012-12-13 10:49:311584

SiC功率器件和模塊

SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)(擊穿場(chǎng))和帶隙(能隙),分別是Si的10和3。此外,可以
2022-11-22 09:59:262550

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)呢?

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982

三菱電機(jī)工業(yè)用NX封裝SiC功率模塊解析

三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-22 10:58:423053

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科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?

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中國(guó)上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:551734

15 年代碼經(jīng)驗(yàn),總結(jié)出提升 10 效率的三件事!

【譯者注】本文作者 Matt Watson 已經(jīng)寫(xiě)了超過(guò) 15 年的代碼,也由此總結(jié)出了提升 10 效率的三件事。Matt 表示,一個(gè) 10 效率的開(kāi)發(fā)人員很快就知道了他們需要做什么,要問(wèn)
2017-10-14 17:35:54

50KW85KHzSiC車(chē)載無(wú)線充電系統(tǒng)

充電系統(tǒng)卻一直在研發(fā)中,今天我們就來(lái)了解一SiC功率器件的車(chē)載無(wú)線充電系統(tǒng)。今天介紹的這個(gè)研究是一SiC功率器件的車(chē)載無(wú)線充電系統(tǒng),功率為50KW,載波頻率為85KHz,功率密度為9.5KW
2021-04-19 21:42:44

SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

0? 引言SiC-MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊(簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC 模塊”)由于其高開(kāi)關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開(kāi)關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例所謂SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性SiC功率模塊所謂SiC功率模塊SiC功率模塊開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2
2018-11-27 16:38:39

SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)有什么優(yōu)勢(shì)

新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步,從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08

SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)其1

通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。SiC功率模塊開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的SiC功率模塊開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17

SiC功率模塊的特征與電路構(gòu)成

電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化(例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-25 06:20:09

SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

。例如,SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。關(guān)于“高速工作”,通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率,變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實(shí)際上有能做到原有1/10左右的例子?!案邷毓ぷ鳌笔侵溉菰S在
2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此,在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

Dielectric Constant: εS11.89.712.89.5p. n Control○○○△Thermal Oxide○○××2. 功率器件的特征SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10,因此與Si器件
2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件概述

電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化(例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52

業(yè)界首個(gè)集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案

LPC11C00宣傳頁(yè):業(yè)界首集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09

SiC功率模塊介紹

SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“SiC功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn),根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04

SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車(chē)全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018(第4賽季)”的文圖瑞Formula E車(chē)隊(duì)提供SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季(第
2018-12-04 10:24:29

SiC功率模塊開(kāi)關(guān)損耗

SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。SiC功率模塊開(kāi)關(guān)損耗SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30

SiC模塊柵極誤導(dǎo)通的處理方法

和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET,使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與SiC功率模塊的柵極和源極連接,來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26

開(kāi)關(guān)損耗更低,頻率更高,應(yīng)用設(shè)備體積更小的SiC功率模塊

開(kāi)關(guān)電源電路相同。另外,SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象,因此PWM控制無(wú)需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率,還可實(shí)現(xiàn)小型化,這是SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢(shì)。由
2018-12-04 10:14:32

CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一工業(yè)級(jí)碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專(zhuān)為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21

Leadway GaN系列模塊功率密度

,開(kāi)關(guān)速度可達(dá)硅基的10。這一特性使得GaN模塊在高頻應(yīng)用中損耗更低,允許通過(guò)提升開(kāi)關(guān)頻率(如10MHz以上)縮小電感、變壓器等被動(dòng)元件尺寸,從而直接提升功率密度。磁集成與拓?fù)鋬?yōu)化: Leadway
2025-10-22 09:09:58

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì),雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后,通過(guò)將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合,雙方將能夠提供滿足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案,從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。
2023-03-29 15:06:13

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率模塊驅(qū)動(dòng)選型

項(xiàng)目名稱(chēng):SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng),通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
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%提升到了97.3%。圖5功率損耗對(duì)比5、結(jié)論新的APS系統(tǒng)采用了最新的1.2kVSiC功率模塊,憑借其低損耗、高工作溫度等特點(diǎn),器件的開(kāi)關(guān)頻率得以提高。在本設(shè)計(jì)中,作者考慮到了高開(kāi)關(guān)頻率可以使濾波
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三大產(chǎn)品+三維生態(tài),騰訊云存儲(chǔ)新藍(lán)圖來(lái)了 精選資料分享

騰訊云存儲(chǔ),正在形成面向未來(lái)的藍(lán)圖。在5月10日騰訊云存儲(chǔ)產(chǎn)品戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上,騰訊云一次性發(fā)布了業(yè)界首十微秒級(jí)的極速型云硬盤(pán)、業(yè)界首突破百GB 吞吐的文件存儲(chǔ)、以及業(yè)界首創(chuàng)能夠10提升...
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如何使用SiC功率模塊改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)?

設(shè)計(jì)方面,SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?! 榱颂岣?b class="flag-6" style="color: red">功率密度,通常的做法是設(shè)計(jì)更高開(kāi)關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器?! C/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介  在許多應(yīng)用中,較高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小,電感和電容值
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應(yīng)用SiC模塊應(yīng)用要點(diǎn):專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果

作為應(yīng)用SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn),本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上,介紹使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43

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德州儀器推出業(yè)界首超低功耗 FRAM 微控制器開(kāi)發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)高達(dá)100的寫(xiě)入速度增幅及250的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37

怎么實(shí)現(xiàn)基于業(yè)界首Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設(shè)計(jì)?

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2021-06-15 09:14:03

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化(例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
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技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)隆重推出了業(yè)界首棧式AI驅(qū)動(dòng)型EDA解決方案Synopsys.ai,覆蓋了先進(jìn)數(shù)字與模擬芯片的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、測(cè)試和制造環(huán)節(jié)?;诖?,開(kāi)發(fā)者第一次
2023-04-03 16:03:26

深?lèi)?ài)半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶(hù)在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03

用于汽車(chē)應(yīng)用的碳化硅MOSFET功率模塊

具有更高的熱性能和堅(jiān)固性,以及高度可靠的環(huán)氧樹(shù)脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致:  優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu),顯著提升動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能;  功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%;  更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24

采用SiC模塊解決方案的10kW 3級(jí)UPS逆變器可實(shí)現(xiàn)高效率并減小尺寸和重量

Fraunhofer ISE用ROHM SiC和柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)備開(kāi)發(fā)了一10kW的三相UPS逆變器,如圖4所示。100kHz的高開(kāi)關(guān)頻率導(dǎo)致輸出端的無(wú)源濾波器組件和輸入電容小,從而使輸出電容器和輸入
2019-10-25 10:01:08

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

10mΩ(typ)的、SiC-SBD內(nèi)置型SiC功率模塊。下圖為與現(xiàn)有產(chǎn)品的關(guān)系示意圖。BSM180D12P3C007的開(kāi)關(guān)損耗與IGBT模塊相比大幅降低,比ROHM現(xiàn)有的IGBT模塊產(chǎn)品也低42
2018-12-04 10:11:50

黎志遠(yuǎn)_業(yè)界首電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399

黎志遠(yuǎn)_業(yè)界首電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50

全球最小單片機(jī)問(wèn)世——Microchip推出業(yè)界首6引腳單

全球最小單片機(jī)問(wèn)世 ——Microchip推出業(yè)界首6引腳單片機(jī)     全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology(美國(guó)微芯科技公
2009-07-06 09:02:002398

Intel發(fā)布業(yè)界首雙網(wǎng)口10Gb以太網(wǎng)卡

Intel發(fā)布業(yè)界首雙網(wǎng)口10Gb以太網(wǎng)卡  Intel今天發(fā)布了第三代基于10GBase-T 10Gbps以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的服務(wù)器網(wǎng)卡“X520-T2”,并首次配備了
2010-01-29 09:17:101330

創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%

創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%   德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù),面向高電流DC/DC應(yīng)用,推出5目前業(yè)界首個(gè)采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:221113

Digi發(fā)布業(yè)界首極簡(jiǎn)單易用的可編程 ZigBee模塊

Digi 發(fā)布業(yè)界首極簡(jiǎn)單易用的可編程 ZigBee 模塊  - 獨(dú)立無(wú)線軟件使 ZigBee 的開(kāi)發(fā)更簡(jiǎn)單快速 -   
2010-03-04 18:15:071016

業(yè)界首可以在多天線無(wú)線基站中實(shí)現(xiàn)更高速度、性能和設(shè)計(jì)效率

業(yè)界首可以在多天線無(wú)線基站中實(shí)現(xiàn)更高速度、性能和設(shè)計(jì)效率的四通道 DAC 問(wèn)世-- 與雙通道器件相比,ADI 的1GSPS 四通道 DAC 的數(shù)據(jù)速率可以提高25%,PCB 占位面積可以減少20%
2010-04-28 17:15:51805

TPS2540 業(yè)界首具有板載電源開(kāi)關(guān)的主機(jī)側(cè)充電控制集成

  日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一最新電源管理器件,該款器件高度集成限流電源開(kāi)關(guān)與 2.6 GHz 高帶寬信號(hào)開(kāi)關(guān),并針對(duì) USB 接口進(jìn)行了精心優(yōu)化。TPS2540 是業(yè)界首具有板載
2010-12-01 09:00:091263

MAX12005 業(yè)界首8 ×4衛(wèi)星中頻開(kāi)關(guān)IC

MXIM推出MAX12005,業(yè)界首8 × 4衛(wèi)星中頻開(kāi)關(guān)IC可擴(kuò)充到允許多達(dá)16個(gè)衛(wèi)星信號(hào)。高度集成,MAX12005非常靈活,一個(gè)空間受限的范圍廣,如果分配和多路開(kāi)關(guān)應(yīng)用衛(wèi)星的適應(yīng)性。
2011-01-14 09:52:00811

業(yè)界首10Gb以太網(wǎng)無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)單芯片系統(tǒng)解決方案

博通公司宣布,正式推出業(yè)界首10Gb以太網(wǎng)無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)光網(wǎng)絡(luò)單元(ONU)單芯片系統(tǒng)(SoC)解決方案。Broadcom的10Gbps BCM55030單芯片系統(tǒng)解決方案提供的帶寬是現(xiàn)有1G EPON解決方案的10。
2011-01-22 11:11:07990

TI推出業(yè)界首支持14個(gè)電源電壓軌的汽車(chē)PMIC

德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首支持 14 個(gè)電源電壓軌的汽車(chē)電源管理集成電路 (PMIC)。作為業(yè)界首支持超過(guò) 10 個(gè)電壓軌的汽車(chē) PMIC
2011-10-26 09:45:51976

羅姆半導(dǎo)體“SiC功率模塊開(kāi)始量產(chǎn),開(kāi)關(guān)損耗降低85%

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)推出的“SiC功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構(gòu)
2012-03-23 08:52:572163

Redpine推出業(yè)界首集成式、低功率Wi-Fi模塊

Redpine Signals, Inc,近日宣布推出業(yè)界首適用于M2M市場(chǎng)的集成式、低功率Wi-Fi模塊。該模塊有很多針對(duì)Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:111111

Mouser推出Cree公司的業(yè)界首1200V高頻碳化硅半電橋模塊

Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業(yè)界首在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
2013-06-05 10:17:191608

ROHM擴(kuò)充“SiC功率模塊產(chǎn)品陣容

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出額定1200V/300A的“SiC功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:441022

Synaptics推出業(yè)界首支持UHD 的顯示產(chǎn)品

人機(jī)交互解決方案的領(lǐng)先開(kāi)發(fā)商Synaptics宣布推出4最新顯示驅(qū)動(dòng)集成電路(DDIC)解決方案,其中包括業(yè)界首支持超高清(UHD)分辨率的產(chǎn)品。
2015-07-15 11:14:471758

業(yè)界首900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。
2015-09-07 09:29:312449

貿(mào)澤電子率先備貨ON Semiconductor的FDMF8811橋式功率級(jí)模塊

功率級(jí)模塊。FDMF8811模塊業(yè)界首面向半橋和橋DC-DC轉(zhuǎn)換器的100V橋式功率級(jí)模塊,采用高性能PowerTrench? MOSFET 技術(shù)減少了轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)振鈴。
2018-05-17 15:47:001562

DC/DC模塊提供業(yè)界最高的功率效率

PKU4300D新系列1/16磚封裝DC/DC模塊可提供業(yè)界最高的功率效率 對(duì)于ICT、電信和工業(yè)市場(chǎng)中的分布式和中間總線等應(yīng)用,高級(jí)總線轉(zhuǎn)換器旨在替代部署在這些應(yīng)用中的一系列終端用戶(hù)電路板上的1
2018-04-07 22:18:008264

安捷倫宣布推出業(yè)界首能夠自動(dòng)表征實(shí)際工作電壓下功率器件節(jié)點(diǎn)電容的功率器件電容分析儀

安捷倫科技公司日前宣布推出業(yè)界首能夠自動(dòng)表征實(shí)際工作電壓下功率器件節(jié)點(diǎn)電容的功率器件電容分析儀。
2018-04-28 08:34:001482

何謂SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“SiC功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691

業(yè)界首28 nm FPGA Kintex-7 10Gbps 收發(fā)器性能演示

Xilinx公司業(yè)界首28 nm FPGA Kintex-7 10Gbps 收發(fā)器性能演示。
2018-06-01 15:50:005004

三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了首6.5kVSiC(Silicon Carbide)功率模塊

6.5kV新型SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)洌话愕拇?b class="flag-6" style="color: red">功率應(yīng)用可以采用并聯(lián)連接來(lái)提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自身的寄生電容、寄生電感和寄生阻抗等。3D電磁
2018-09-13 15:04:126799

Qorvo推出業(yè)界首個(gè)集成式前端模塊 可滿足Wi-Fi 6系統(tǒng)的屋覆蓋

RF解決方案提供商Qorvo日前宣布該公司推出了業(yè)界首個(gè)集成式前端模塊(iFEM),可滿足Wi-Fi 6(802.11ax)系統(tǒng)的高可靠屋覆蓋。iFEM將Qorvo的先進(jìn)BAW濾波器技術(shù)與其獨(dú)特的edgeBoost功能相結(jié)合,將Wi-Fi范圍擴(kuò)大了一,處理容量增加了三。
2020-01-06 15:23:481238

出貨100萬(wàn) 三星業(yè)界首EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶(hù)評(píng)估,并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。
2020-03-25 16:53:572848

德州儀器業(yè)界首差分感應(yīng)開(kāi)關(guān)能夠自動(dòng)補(bǔ)償溫度變化

“ 德州儀器公司今天推出業(yè)界首差分感應(yīng)開(kāi)關(guān),其采用雙線圈架構(gòu),能夠自動(dòng)補(bǔ)償溫度變化和元件老化。LDC0851能夠利用印刷電路板(PCB)上的線圈檢測(cè)導(dǎo)電材料存在與否。這種獨(dú)特的方法實(shí)現(xiàn)了低成本
2020-09-11 16:34:493110

DN369 - 業(yè)界首開(kāi)關(guān)降壓-升壓型控制器采用單個(gè)電感器實(shí)現(xiàn)了極高的效率

DN369 - 業(yè)界首開(kāi)關(guān)降壓-升壓型控制器采用單個(gè)電感器實(shí)現(xiàn)了極高的效率
2021-03-21 15:26:524

POWI推出業(yè)界首內(nèi)部集成的汽車(chē)級(jí)高壓開(kāi)關(guān)IC

標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首采用碳化硅(SiC)初級(jí)開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC。新IC可提供高達(dá)70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車(chē),以及電動(dòng)巴士、卡車(chē)和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
2022-02-15 11:45:531476

PI推出業(yè)界首采用SiC MOSFET的汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC

Power Integrations今日發(fā)布兩新器件,為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首采用碳化硅(SiC)初級(jí)
2022-02-16 14:10:122674

Ameya360:SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造

電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果: 開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化 (例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化) 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化 (例:電抗器或電容等的小型化)
2023-01-12 16:35:471139

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果: 開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化 (例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化) 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化 (例:電抗器或電容等的小型化)
2023-02-07 16:48:231562

何謂SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211334

SiC功率模塊開(kāi)關(guān)損耗

SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2)開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:221533

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“SiC功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“SiC功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“SiC功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“SiC功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:041134

相移橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)

作為Si功率元器件評(píng)估篇的第2波,將開(kāi)始一系列有關(guān)Si功率元器件通過(guò)PSFB電路進(jìn)行“相移橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類(lèi)大功率電源中大多采用橋電路,尤其是相移橋(以下稱(chēng)“PSFB
2023-02-13 09:30:056234

相移橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升效率的評(píng)估

相移橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升,針對(duì)本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率,本文將會(huì)給出使用實(shí)際電源電路進(jìn)行評(píng)估的結(jié)果。具體而言,本文對(duì)Q1~Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時(shí)的結(jié)果進(jìn)行了比較。
2023-02-13 09:30:062124

何謂SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“SiC功率模塊”。本文想讓大家了解SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920

SiC功率模塊開(kāi)關(guān)損耗

SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234

如何充分發(fā)揮SiC功率模塊的優(yōu)異性能

首先需要了解的是:接下來(lái)要介紹的不是SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18878

業(yè)界首模擬信號(hào)10KV高隔離放大器變送器模塊.

業(yè)界首模擬信號(hào)10KV高隔離放大器變送器模塊.
2022-02-11 15:46:17686

東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布, 推出業(yè)界首 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:071150

美光推出業(yè)界首標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊

美光科技近日宣布推出業(yè)界首標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAMM2),這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項(xiàng),旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。
2024-01-19 16:20:471222

SiC器件如何提升電動(dòng)汽車(chē)的系統(tǒng)效率

SiC器件可以提高電動(dòng)汽車(chē)的充電模塊性能,包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動(dòng)汽車(chē)的整體性能表現(xiàn)。
2024-03-18 18:12:342390

提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

的電力轉(zhuǎn)換器中,這些通常是全新設(shè)計(jì),這一趨勢(shì)主要是由于提高光伏逆變器和其他工業(yè)電源應(yīng)用的效率的需求。圖1設(shè)計(jì)師們現(xiàn)在正在使用市面上可用的高功率SiC電力模塊和驅(qū)動(dòng)器
2024-08-19 11:31:252088

PI推出業(yè)界首1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出InnoMux-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專(zhuān)有的PowiGaN技術(shù)制造而成,是業(yè)界首1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC。
2024-11-05 13:40:571066

浮思特|如何通過(guò)設(shè)計(jì)SiC功率模塊優(yōu)化電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)熱管理效率?

提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率密度是提升電動(dòng)汽車(chē)性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊,有可能將功率密度提高一SiC器件具有高溫電阻性、低損耗,并且能在高頻下運(yùn)行。盡管SiC器件已經(jīng)有
2024-12-09 11:54:521141

使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對(duì)成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而,有些設(shè)計(jì)人員可能仍然認(rèn)為 SiC 半導(dǎo)體相當(dāng)昂貴且難以控制
2025-01-26 22:10:001253

業(yè)界首個(gè)華為發(fā)布液冷兆瓦級(jí)超充 補(bǔ)能效率較傳統(tǒng)快充樁提升近4

在2025華為智能電動(dòng)&智能充電網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)略與新品發(fā)布會(huì)上,華為正式發(fā)布了業(yè)界首個(gè)液冷兆瓦級(jí)超充解決方案。不僅僅是充電快,壽命還長(zhǎng),使用壽命長(zhǎng)達(dá) 10 年。 據(jù)悉,華為液冷兆瓦級(jí)超充搭載的是華為自主
2025-04-23 16:26:531376

SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC模塊開(kāi)啟高效能新時(shí)代

導(dǎo)通損耗降低57% :15mΩ超低導(dǎo)通電阻(25℃),高溫175℃時(shí)僅28mΩ,較IGBT大幅減少發(fā)熱。 開(kāi)關(guān)頻率提升5 :支持100kHz高頻開(kāi)關(guān)(IGBT僅20kHz),設(shè)備體積縮小40
2025-07-29 09:57:57511

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