相比)SiC成長(zhǎng)10倍,GaN翻至60倍,Si增長(zhǎng)45.1%。 該機(jī)構(gòu)指出,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要在中國(guó)和歐洲擴(kuò)張,從2017年~2018年,SiC增長(zhǎng)41.8%至3.7億美元。目前,SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)占70%,并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低,預(yù)計(jì)將進(jìn)一
2019-06-25 11:22:42
8864 Fairchild開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款輸入電壓范圍為2.8V 至36V的整合式負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品AccuPower™系列,以滿足設(shè)計(jì)人員在中等電壓方面的需求。
2011-01-26 21:54:12
1851 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款3:1高速USB開(kāi)關(guān)——NCN1188
2011-08-18 08:53:48
2904 IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行
2012-11-12 15:58:55
4686 安立公司(Anritsu Company)推出業(yè)界首款電池供電的高功率便攜式無(wú)源互調(diào)(PIM)分析儀PIM Master? MW82119A
2012-12-13 10:49:31
1584 SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)(擊穿場(chǎng))和帶隙(能隙),分別是Si的10倍和3倍。此外,可以
2022-11-22 09:59:26
2550 為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
3982 
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-22 10:58:42
3053 
3月25日消息 三星電子(Samsung Electronics)宣布,已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶(hù)評(píng)估,并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。
2020-03-26 09:12:56
4442 科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列,為電動(dòng)汽車(chē)快速充電和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:00
1978 中國(guó)上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55
1734 
【譯者注】本文作者 Matt Watson 已經(jīng)寫(xiě)了超過(guò) 15 年的代碼,也由此總結(jié)出了提升 10 倍效率的三件事。Matt 表示,一個(gè) 10 倍效率的開(kāi)發(fā)人員很快就知道了他們需要做什么,要問(wèn)
2017-10-14 17:35:54
充電系統(tǒng)卻一直在研發(fā)中,今天我們就來(lái)了解一款全SiC功率器件的車(chē)載無(wú)線充電系統(tǒng)。今天介紹的這個(gè)研究是一款全SiC功率器件的車(chē)載無(wú)線充電系統(tǒng),功率為50KW,載波頻率為85KHz,功率密度為9.5KW
2021-04-19 21:42:44
0? 引言SiC-MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊(簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC 模塊”)由于其高開(kāi)關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開(kāi)關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例所謂SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2
2018-11-27 16:38:39
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步,從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化(例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-25 06:20:09
。例如,SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。關(guān)于“高速工作”,通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率,變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實(shí)際上有能做到原有1/10左右的例子?!案邷毓ぷ鳌笔侵溉菰S在
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此,在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
Dielectric Constant: εS11.89.712.89.5p. n Control○○○△Thermal Oxide○○××2. 功率器件的特征SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,因此與Si器件
2019-07-23 04:20:21
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化(例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
LPC11C00宣傳頁(yè):業(yè)界首款集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn),根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車(chē)全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018(第4賽季)”的文圖瑞Formula E車(chē)隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季(第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET,使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接,來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
的開(kāi)關(guān)電源電路相同。另外,SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象,因此PWM控制無(wú)需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率,還可實(shí)現(xiàn)小型化,這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢(shì)。由
2018-12-04 10:14:32
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專(zhuān)為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
,開(kāi)關(guān)速度可達(dá)硅基的10倍。這一特性使得GaN模塊在高頻應(yīng)用中損耗更低,允許通過(guò)提升開(kāi)關(guān)頻率(如10MHz以上)縮小電感、變壓器等被動(dòng)元件尺寸,從而直接提升功率密度。磁集成與拓?fù)鋬?yōu)化:
Leadway
2025-10-22 09:09:58
技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì),雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后,通過(guò)將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合,雙方將能夠提供滿足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案,從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。
2023-03-29 15:06:13
項(xiàng)目名稱(chēng):全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng),通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
%提升到了97.3%。圖5功率損耗對(duì)比5、結(jié)論新的APS系統(tǒng)采用了最新的1.2kV全SiC功率模塊,憑借其低損耗、高工作溫度等特點(diǎn),器件的開(kāi)關(guān)頻率得以提高。在本設(shè)計(jì)中,作者考慮到了高開(kāi)關(guān)頻率可以使濾波
2017-05-10 11:32:57
我國(guó)“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
一、 SiC的材料優(yōu)勢(shì)
碳化硅(SiC)作為寬禁帶材料相較于硅(Si)具有很多優(yōu)勢(shì),如表1所示:3倍的禁帶寬度,有利于碳化硅器件工作在更高的溫度;10倍
2023-10-07 10:12:26
騰訊云存儲(chǔ),正在形成面向未來(lái)的藍(lán)圖。在5月10日騰訊云存儲(chǔ)產(chǎn)品戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上,騰訊云一次性發(fā)布了業(yè)界首款十微秒級(jí)的極速型云硬盤(pán)、業(yè)界首款突破百GB 吞吐的文件存儲(chǔ)、以及業(yè)界首創(chuàng)能夠10倍提升...
2021-07-12 07:35:21
功率器件與拓?fù)鋬?yōu)化
寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開(kāi)關(guān)損耗高,限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)器件可顯著降低損耗:
SiC MOSFET導(dǎo)通電阻低(僅為硅
2025-05-21 14:38:45
介紹了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二極管的100KHz,10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
設(shè)計(jì)方面,SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?! 榱颂岣?b class="flag-6" style="color: red">功率密度,通常的做法是設(shè)計(jì)更高開(kāi)關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器?! C/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介 在許多應(yīng)用中,較高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小,電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn),本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上,介紹使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器開(kāi)發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)高達(dá)100倍的寫(xiě)入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37
怎么實(shí)現(xiàn)基于業(yè)界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設(shè)計(jì)?
2021-06-15 09:14:03
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化(例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
新品發(fā)布|業(yè)界首款!潤(rùn)開(kāi)鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開(kāi)發(fā)平臺(tái)HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)隆重推出了業(yè)界首款全棧式AI驅(qū)動(dòng)型EDA解決方案Synopsys.ai,覆蓋了先進(jìn)數(shù)字與模擬芯片的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、測(cè)試和制造環(huán)節(jié)?;诖?,開(kāi)發(fā)者第一次
2023-04-03 16:03:26
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶(hù)在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
具有更高的熱性能和堅(jiān)固性,以及高度可靠的環(huán)氧樹(shù)脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致: 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu),顯著提升動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能; 功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
Fraunhofer ISE用ROHM SiC和柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)備開(kāi)發(fā)了一款10kW的三相UPS逆變器,如圖4所示。100kHz的高開(kāi)關(guān)頻率導(dǎo)致輸出端的無(wú)源濾波器組件和輸入電容小,從而使輸出電容器和輸入
2019-10-25 10:01:08
10mΩ(typ)的、SiC-SBD內(nèi)置型全SiC功率模塊。下圖為與現(xiàn)有產(chǎn)品的關(guān)系示意圖。BSM180D12P3C007的開(kāi)關(guān)損耗與IGBT模塊相比大幅降低,比ROHM現(xiàn)有的IGBT模塊產(chǎn)品也低42
2018-12-04 10:11:50
黎志遠(yuǎn)_業(yè)界首款電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
全球最小單片機(jī)問(wèn)世
——Microchip推出業(yè)界首款6引腳單片機(jī)
全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology(美國(guó)微芯科技公
2009-07-06 09:02:00
2398 Intel發(fā)布業(yè)界首款雙網(wǎng)口10Gb以太網(wǎng)卡
Intel今天發(fā)布了第三代基于10GBase-T 10Gbps以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的服務(wù)器網(wǎng)卡“X520-T2”,并首次配備了
2010-01-29 09:17:10
1330 創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù),面向高電流DC/DC應(yīng)用,推出5款目前業(yè)界首個(gè)采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:22
1113 
Digi 發(fā)布業(yè)界首款極簡(jiǎn)單易用的可編程 ZigBee 模塊
- 獨(dú)立無(wú)線軟件使 ZigBee 的開(kāi)發(fā)更簡(jiǎn)單快速 -
2010-03-04 18:15:07
1016 業(yè)界首款可以在多天線無(wú)線基站中實(shí)現(xiàn)更高速度、性能和設(shè)計(jì)效率的四通道 DAC 問(wèn)世-- 與雙通道器件相比,ADI 的1GSPS 四通道 DAC 的數(shù)據(jù)速率可以提高25%,PCB 占位面積可以減少20%
2010-04-28 17:15:51
805 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款最新電源管理器件,該款器件高度集成限流電源開(kāi)關(guān)與 2.6 GHz 高帶寬信號(hào)開(kāi)關(guān),并針對(duì) USB 接口進(jìn)行了精心優(yōu)化。TPS2540 是業(yè)界首款具有板載
2010-12-01 09:00:09
1263 MXIM推出MAX12005,業(yè)界首款8 × 4衛(wèi)星中頻開(kāi)關(guān)IC可擴(kuò)充到允許多達(dá)16個(gè)衛(wèi)星信號(hào)。高度集成,MAX12005非常靈活,一個(gè)空間受限的范圍廣,如果分配和多路開(kāi)關(guān)應(yīng)用衛(wèi)星的適應(yīng)性。
2011-01-14 09:52:00
811 博通公司宣布,正式推出業(yè)界首款10Gb以太網(wǎng)無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)光網(wǎng)絡(luò)單元(ONU)單芯片系統(tǒng)(SoC)解決方案。Broadcom的10Gbps BCM55030單芯片系統(tǒng)解決方案提供的帶寬是現(xiàn)有1G EPON解決方案的10倍。
2011-01-22 11:11:07
990 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持 14 個(gè)電源電壓軌的汽車(chē)電源管理集成電路 (PMIC)。作為業(yè)界首款支持超過(guò) 10 個(gè)電壓軌的汽車(chē) PMIC
2011-10-26 09:45:51
976 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構(gòu)
2012-03-23 08:52:57
2163 Redpine Signals, Inc,近日宣布推出業(yè)界首款適用于M2M市場(chǎng)的集成式、低功率Wi-Fi模塊。該模塊有很多針對(duì)Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:11
1111 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
2013-06-05 10:17:19
1608 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44
1022 人機(jī)交互解決方案的領(lǐng)先開(kāi)發(fā)商Synaptics宣布推出4款最新顯示驅(qū)動(dòng)集成電路(DDIC)解決方案,其中包括業(yè)界首款支持超高清(UHD)分辨率的產(chǎn)品。
2015-07-15 11:14:47
1758 SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。
2015-09-07 09:29:31
2449 功率級(jí)模塊。FDMF8811模塊為業(yè)界首款面向半橋和全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器的100V橋式功率級(jí)模塊,采用高性能PowerTrench? MOSFET 技術(shù)減少了轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)振鈴。
2018-05-17 15:47:00
1562 PKU4300D新系列1/16磚封裝DC/DC模塊可提供業(yè)界最高的功率和效率 對(duì)于ICT、電信和工業(yè)市場(chǎng)中的分布式和中間總線等應(yīng)用,高級(jí)總線轉(zhuǎn)換器旨在替代部署在這些應(yīng)用中的一系列終端用戶(hù)電路板上的1
2018-04-07 22:18:00
8264 安捷倫科技公司日前宣布推出業(yè)界首款能夠自動(dòng)表征實(shí)際工作電壓下功率器件節(jié)點(diǎn)電容的功率器件電容分析儀。
2018-04-28 08:34:00
1482 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:13
14691 Xilinx公司業(yè)界首款28 nm FPGA Kintex-7 10Gbps 收發(fā)器性能演示。
2018-06-01 15:50:00
5004 6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)洌话愕拇?b class="flag-6" style="color: red">功率應(yīng)用可以采用并聯(lián)連接來(lái)提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自身的寄生電容、寄生電感和寄生阻抗等。3D電磁
2018-09-13 15:04:12
6799 RF解決方案提供商Qorvo日前宣布該公司推出了業(yè)界首個(gè)集成式前端模塊(iFEM),可滿足Wi-Fi 6(802.11ax)系統(tǒng)的高可靠全屋覆蓋。iFEM將Qorvo的先進(jìn)BAW濾波器技術(shù)與其獨(dú)特的edgeBoost功能相結(jié)合,將Wi-Fi范圍擴(kuò)大了一倍,處理容量增加了三倍。
2020-01-06 15:23:48
1238 三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶(hù)評(píng)估,并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。
2020-03-25 16:53:57
2848 “ 德州儀器公司今天推出業(yè)界首款差分感應(yīng)開(kāi)關(guān),其采用雙線圈架構(gòu),能夠自動(dòng)補(bǔ)償溫度變化和元件老化。LDC0851能夠利用印刷電路板(PCB)上的線圈檢測(cè)導(dǎo)電材料存在與否。這種獨(dú)特的方法實(shí)現(xiàn)了低成本
2020-09-11 16:34:49
3110 DN369 - 業(yè)界首款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型控制器采用單個(gè)電感器實(shí)現(xiàn)了極高的效率
2021-03-21 15:26:52
4 標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC。新IC可提供高達(dá)70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車(chē),以及電動(dòng)巴士、卡車(chē)和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
2022-02-15 11:45:53
1476 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)
2022-02-16 14:10:12
2674 電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果: 開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化 (例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化) 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化 (例:電抗器或電容等的小型化)
2023-01-12 16:35:47
1139 的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗,通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果: 開(kāi)關(guān)損耗的降低,可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化 (例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化) 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化 (例:電抗器或電容等的小型化)
2023-02-07 16:48:23
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繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21
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全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2)開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22
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ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:08
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ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04
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作為Si功率元器件評(píng)估篇的第2波,將開(kāi)始一系列有關(guān)Si功率元器件通過(guò)PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類(lèi)大功率電源中大多采用全橋電路,尤其是相移全橋(以下稱(chēng)“PSFB
2023-02-13 09:30:05
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相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升,針對(duì)本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率,本文將會(huì)給出使用實(shí)際電源電路進(jìn)行評(píng)估的結(jié)果。具體而言,本文對(duì)Q1~Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時(shí)的結(jié)果進(jìn)行了比較。
2023-02-13 09:30:06
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繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08
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全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28
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首先需要了解的是:接下來(lái)要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18
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業(yè)界首款模擬信號(hào)10KV高隔離放大器變送器模塊.
2022-02-11 15:46:17
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點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布, 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07
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美光科技近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAMM2),這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項(xiàng),旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。
2024-01-19 16:20:47
1222 SiC器件可以提高電動(dòng)汽車(chē)的充電模塊性能,包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動(dòng)汽車(chē)的整體性能表現(xiàn)。
2024-03-18 18:12:34
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的電力轉(zhuǎn)換器中,這些通常是全新設(shè)計(jì),這一趨勢(shì)主要是由于提高光伏逆變器和其他工業(yè)電源應(yīng)用的效率的需求。圖1設(shè)計(jì)師們現(xiàn)在正在使用市面上可用的高功率全SiC電力模塊和驅(qū)動(dòng)器
2024-08-19 11:31:25
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深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出InnoMux-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專(zhuān)有的PowiGaN技術(shù)制造而成,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC。
2024-11-05 13:40:57
1066 提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率密度是提升電動(dòng)汽車(chē)性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊,有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗,并且能在高頻下運(yùn)行。盡管SiC器件已經(jīng)有
2024-12-09 11:54:52
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作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對(duì)成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而,有些設(shè)計(jì)人員可能仍然認(rèn)為 SiC 半導(dǎo)體相當(dāng)昂貴且難以控制
2025-01-26 22:10:00
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在2025華為智能電動(dòng)&智能充電網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)略與新品發(fā)布會(huì)上,華為正式發(fā)布了業(yè)界首個(gè)全液冷兆瓦級(jí)超充解決方案。不僅僅是充電快,壽命還長(zhǎng),使用壽命長(zhǎng)達(dá) 10 年。 據(jù)悉,華為全液冷兆瓦級(jí)超充搭載的是華為自主
2025-04-23 16:26:53
1376 導(dǎo)通損耗降低57% :15mΩ超低導(dǎo)通電阻(25℃),高溫175℃時(shí)僅28mΩ,較IGBT大幅減少發(fā)熱。 開(kāi)關(guān)頻率提升5倍 :支持100kHz高頻開(kāi)關(guān)(IGBT僅20kHz),設(shè)備體積縮小40
2025-07-29 09:57:57
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評(píng)論