Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:00
6418 鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:002039 ? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:572329 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
PW2330開發(fā)了一種高效率的同步降壓DC-DC變換器3A輸出電流。PW2330在4.5V到30V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作集成主開關(guān)和同步開關(guān)，具有非常低的RDS（ON）以最小化傳導(dǎo)損失。PW2330
2021-01-21 15:38:02
PW2330開發(fā)了一種高效率的同步降壓DC-DC變換器3A輸出電流。PW2330在4.5V到30V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作集成主開關(guān)和同步開關(guān)，具有非常低的RDS（ON）以最小化傳導(dǎo)損失。PW2330
2021-01-21 10:33:30
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
SoC的20 V輸入解決方案該LTC7150S提出了用于工業(yè)和汽車電源，高性能的吧。它具有高效率，小外形和低EMI。集成的高性能MOSFET和熱管理功能可在高達(dá)20V的輸入電壓下實(shí)現(xiàn)高達(dá)20A的電流可靠
2019-03-09 11:46:55
描述 PMP11600 是一款適用于 5V/2A 適配器應(yīng)用的參考設(shè)計(jì)。此解決方案可實(shí)現(xiàn)經(jīng)過全面測試且符合傳導(dǎo) EMI 標(biāo)準(zhǔn)的高效率初級側(cè)控制器 UCC28704。此參考設(shè)計(jì)采用伏秒平衡同步整流器
2022-09-28 06:59:38
適用于MCP16301高壓輸入集成開關(guān)降壓型穩(wěn)壓器的（4V至30V VIN至3.3V VOUT，150 mA）電路。 MCP16301 / H器件是高度集成的高效率，固定頻率，降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器，采用流行的6引腳SOT-23封裝，采用高達(dá)36V的輸入電壓源工作
2020-05-29 10:08:15
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
消費(fèi)類電子安森美半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理表示：“由于便攜如今的電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)尺寸繼續(xù)減少，同時其板載特性繼續(xù)增多
2012-12-07 15:52:50
/5732.2017_2D00_06_2D00_06_5F00_180313.png]圖2：在大多數(shù)電動工具中，電子設(shè)備位于手柄中傳統(tǒng)意義上講，適用于驅(qū)動大功率電機(jī)的FET其封裝又大又重，如TO-220、DPAK和D2PAK。TI的小型無引線封裝（SON）5mm
2018-06-27 09:58:14
(5A)。通常，效率可提高約 3-4%。特性高效率 (90%)，純轉(zhuǎn)換器效率為 92%5V (5A) 輸出具有同步整流器的隔離式反激使用 TPS23754 高功率、高效率 PoE 接口 PD 和 PWM 控制器能夠接受來自 AUX 電源（如適配器）的電源此電路設(shè)計(jì)經(jīng)過全面功能測試，推薦用于新設(shè)計(jì)`
2015-05-06 14:11:25
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿足基站遠(yuǎn)程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
描述TIDA-00774 是一款 1kW 驅(qū)動器，適用于由 5 芯鋰離子電池供電（最高電壓 21V）的電動工具中的三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)。本設(shè)計(jì)是一款 65mm x 60mm 的緊湊型
2018-11-01 16:34:29
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
%的緊湊型電子變壓器?！ ∵@種緊湊型變壓器的設(shè)計(jì)，首先遇到的問題是要在高功率密度和高效率兩者間作折衷選擇，其研制出的主要技術(shù)是使用銅箔交疊的平面繞組結(jié)構(gòu)，以增加銅箔密度的方法減小在高頻(MHz級
2016-01-18 10:27:02
，對通信電源產(chǎn)品提出了高效率、高功率密度的客觀要求。同時新型高性能器件的不斷涌現(xiàn)與和軟開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)，客觀上也為通信電源的高效率，高功率密度設(shè)計(jì)提供了可能性。本文主要介紹了一臺1.8KW的高效率通信
2011-03-10 11:00:12
ZCC2410型描述特征 ZCC2410是一種高效率、高功率密度、寬輸入范圍、電流模式升壓變換器。該轉(zhuǎn)換器集成了一個10mΩ，24V電源開關(guān)和一個同步門驅(qū)動器，以提高轉(zhuǎn)換器的效率。它提供一個外部電阻
2020-03-02 09:34:25
效率。PS7516適用于鋰電池升壓5V1A的高效率應(yīng)用中。PS7516特點(diǎn)寬輸入電壓：2.0V～5.5V高轉(zhuǎn)換效率高達(dá)96%低RDS（ON）集成功率MOSFET550KHz固定開關(guān)頻率輕負(fù)載低功耗模式
2020-10-31 13:52:55
能量轉(zhuǎn)換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容，達(dá)到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。電源轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展著重在達(dá)到高功率密度及高轉(zhuǎn)換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉(zhuǎn)換
2018-12-05 09:48:34
射頻功率放大器被廣泛應(yīng)用于各種無線通信設(shè)備中。在通訊基站中，線性功放占其成本比例約占1／3。高效率，低成本的解決功放的線性化問題顯得非常重要。因此高效率高線性的功放一直是功放研究的熱門課題。
2019-09-17 08:08:11
及高效率需求的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。CAB450M12XM3在電動汽車充電站、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及牽引驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。
主要特性
極致功率密度：得益于SiC技術(shù)
2025-03-17 09:59:21
）兼容性。技術(shù)優(yōu)勢GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠(yuǎn)高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應(yīng)用。高
2025-12-12 09:40:25
描述PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
克服了上述問題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
的60%，提供高性價比的全國產(chǎn)解決方案。多領(lǐng)域應(yīng)用的覆蓋能力：工業(yè)自動化：為PLC、傳感器、執(zhí)行器等提供穩(wěn)定直流電源，支持生產(chǎn)線高效運(yùn)行。電動汽車：適配車載OBC（如比亞迪800V平臺，功率密度10kW
2025-10-22 09:09:58
MPN12AD20-TS可作為高功率密度、高效率的替代方案，適用于需要20A負(fù)載的場景，但需驗(yàn)證輸入/輸出范圍、保護(hù)功能及溫度范圍的匹配性。以下是對MPN12AD20-TS替代ADI、TI
2025-11-26 09:43:44
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
MOSFET 采用 100%銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅(jiān)固耐用，提供較高的板級可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用?！?具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統(tǒng)應(yīng)用
2022-10-28 16:18:03
概述OC5808L 是一款支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型DC-DC，芯片內(nèi)置100V/2A功率MOS，輸入電壓90V。OC5808L具有低待機(jī)功耗、高效率、低紋波、優(yōu)異的母線電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率等特性
2020-05-19 10:59:32
：8V～30V高電流精度：±3%高效率：97%負(fù)載開路和短路保護(hù) PWM和線性調(diào)光滯環(huán)控制：無需補(bǔ)償最高工作頻率：1MHz內(nèi)置過溫電流補(bǔ)償控制 DIM腳接NTC電阻到地實(shí)現(xiàn)過溫電流補(bǔ)償 DIM腳接電
2020-04-21 15:19:31
，適用于寬范圍，交流輸入電壓，高功率因數(shù)（PF）和高達(dá)100 W輸出功率的高效率。整體電源架構(gòu)包括EMI濾波器級，PFC升壓轉(zhuǎn)換器，雙開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器和兩個控制選項(xiàng)，用于配置輸出以操作單個LED串或最多四個獨(dú)立LED串
2019-09-27 08:42:30
外，新設(shè)備還通過了UL-60950-1認(rèn)證（圖6）。點(diǎn)擊顯示大圖圖6采用RxxP22005D的典型應(yīng)用電路[來源：RECOM]結(jié)論由于該材料的固有和物理特性，對高效率和高功率密度器件的不斷增長的需求
2019-07-30 15:15:17
）和高功率密度的要求。
工業(yè)與能源電力：適用于工業(yè)變頻器、電機(jī)驅(qū)動器、太陽能優(yōu)化器、儲能變流器（PCS）中的功率變換單元。其強(qiáng)大的抗干擾能力完美契合工業(yè)環(huán)境。
高端消費(fèi)電子：用于大功率氮化鎵快充適配器
2025-12-10 08:55:48
在追求高效率、高功率密度的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器及電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中（尤其汽車電子領(lǐng)域），驅(qū)動器的性能至關(guān)重要。針對GaN、SiC等寬帶隙器件對高速、強(qiáng)驅(qū)動力和高驅(qū)動電壓的需求
2025-08-09 09:18:36
與通信基站電源：高頻開關(guān)特性提升功率密度。
不間斷電源（UPS）：快速響應(yīng)能力保障負(fù)載切換的可靠性。
高噪聲環(huán)境應(yīng)用
適用于電力電子設(shè)備（如變頻器和焊接機(jī)），其高CMTI可抑制共模噪聲
2025-11-28 08:14:38
采用專有的瞬時PWM結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)適用于高降壓應(yīng)用和輕負(fù)載下的高效率。此外，它在在連續(xù)傳導(dǎo)模式下的500kHz偽恒定頻率，以最小化電感器和電容器。PW2312是一個高頻，同步，整流，降壓，開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器與內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個非常緊湊的解決方案，以實(shí)現(xiàn)1.5A的峰值輸出電流在廣
2021-11-17 06:29:04
采用專有的瞬時PWM結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)適用于高降壓應(yīng)用和輕負(fù)載下的高效率。此外，它在在連續(xù)傳導(dǎo)模式下的500kHz偽恒定頻率，以最小化電感器和電容器。特征內(nèi)部整流MOS的低RDS（on）（頂部/底部）：90/60 mΩ4.5-30V輸入電壓范圍瞬時PWM架構(gòu)實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)...
2021-11-15 08:03:05
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計(jì)校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計(jì)中，采用了GaNSense功率ic，以實(shí)現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲的高性價比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。
2019-09-03 07:22:10
描述TIDA-01495 是一款具有低厚度（17mm 高）、94.1% 的峰值效率、高功率密度、通用輸入、24V 直流及 480W 輸出的消費(fèi)級交流/直流電源參考設(shè)計(jì)。其電路具有
2018-10-15 09:37:43
ROHM的“BU33UV7NUX”是面向干電池驅(qū)動的電子設(shè)備開發(fā)而成的、消耗電流低至業(yè)界低級別的、內(nèi)置MOSFET的升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。在智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備等移動設(shè)備中，鋰離子電池等可充電
2018-12-04 10:25:18
AL3050EV1，AL3050評估板是一款電流模式升壓型LED驅(qū)動器，具有可編程亮度調(diào)光控制功能，適用于便攜式設(shè)備。 AL3050具有30V額定值的集成MOSFET和功率二極管，可支持多達(dá)8個串聯(lián)
2020-06-04 06:53:32
功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何設(shè)計(jì)一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無刷電機(jī)驅(qū)動器參考設(shè)計(jì)。訂購具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動評估模塊。
2017-08-21 14:21:03
功率行波管的發(fā)展走過了70年的歷程，具有寬頻帶、高功率、高效率等特點(diǎn)，是現(xiàn)代雷達(dá)通信電子戰(zhàn)等系統(tǒng)的核心元器件，并不斷地推動系統(tǒng)向高頻率、高功率、集成化、一體化發(fā)展。
2019-07-05 08:17:35
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
概述SL3075是一款高性能的降壓（Buck）轉(zhuǎn)換器，專為寬輸入電壓范圍（4.5V至65V）設(shè)計(jì)，特別適用于需要高功率密度和高效率的應(yīng)用場景。其集成90mΩ高側(cè)MOSFET，能夠提供高達(dá)5A的連續(xù)
2025-07-11 10:20:33
`一款高效率、高功率密度的AC/DC適配器解決方案，具有較寬的輸入電壓范圍(100-240-V AC)，適用于筆記本電腦適配器和智能手機(jī)充電器應(yīng)用。該設(shè)計(jì)包括一個基于UCC28056的前端過渡模式
2019-01-16 10:54:03
效率和功率密度，同時確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
產(chǎn)品類型：Trench MOS（低壓）
產(chǎn)品簡介：溝槽型工藝，適用于200V以下低壓領(lǐng)域，大電流
2024-09-23 17:07:50
、SL3041的應(yīng)用
SL3041適用于各種需要降壓恒壓的電路中，如電池充電器、LED照明、電子儀器等。該器件可以將72V輸入電壓降至5V，為電路提供穩(wěn)定的供電電壓。同時，由于其高效能和低功耗的特點(diǎn)
2023-10-23 15:44:10
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
100V/10A 功率MOS輸出電壓從5V 到30V 可調(diào)支持輸出恒流高效率：可高達(dá)93%工作頻率：160KHz內(nèi)置過溫保護(hù)內(nèi)置軟啟動
2016-09-28 13:38:47
描述PMP11220 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度的 PMBus 同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，用于對包括輸出電壓在內(nèi)的電源進(jìn)行編程和裕量調(diào)節(jié)。憑借適合工業(yè)總線應(yīng)用的 24V 額定輸入，此設(shè)計(jì)允許對輸出
2018-12-21 11:49:47
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 和功率驅(qū)動器的解決方案。該系列采用飛兆在DrMOS方面的專業(yè)技術(shù)，為高性能計(jì)算和電信系統(tǒng)中的同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用提供高效率、高功率密度和高開關(guān)頻率性能。
2013-11-14 16:57:012749 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:511504 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:041121 PMP15025 包含一個單相同步降壓轉(zhuǎn)換器，從 24V 輸入提供穩(wěn)定的 5V @ 4A 解決方案。此設(shè)計(jì)的特點(diǎn)是具有高效率和高功率密度，適用于工業(yè)自動化應(yīng)用，例如機(jī)器人和電機(jī)驅(qū)動。
2017-11-14 17:43:43
20 MLP55-27L封裝內(nèi)組合了高性能N溝道溝槽式MOSFET和一顆控制器，具有高效率和高功率密度，并提高了長期可靠性，簡化了熱管理。
2018-05-21 10:56:002471 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率而設(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率
2021-03-01 12:16:023163 LTC4355 - 適用于高可用性系統(tǒng)的 48V 理想二極管“或”控制器具有更高效率并可監(jiān)視故障
2021-03-20 21:26:326 AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相變換器
2021-04-27 15:55:052 高效率高功率密度電力電子技術(shù)及案例分析
2021-07-22 09:59:285 (MOSFET)，因?yàn)樗軌蝌?qū)動更高的功率密度和高達(dá) 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:521635 
電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:114328 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-09 14:21:5468 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復(fù)超結(jié) MOSFET，適用于高效率和可靠的電動汽車充電應(yīng)用
2022-11-15 20:17:570 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:351525 
這種切換式DC/DC功率轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率并減少開關(guān)損耗，使其更適用于高功率和高效率應(yīng)用。在電源領(lǐng)域的應(yīng)用相當(dāng)廣泛，包含:高端消費(fèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)電源管理以及電動車相關(guān)充電系統(tǒng)等。
2023-05-25 11:25:261645 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:221294 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:101320 隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
由于LLC諧振轉(zhuǎn)換器能夠滿足現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)對高性能要求的需求，因此成為電力電子學(xué)中的熱門話題。 這種切換式DC/DC功率轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率并減少開關(guān)損耗，使其更適用于高功率和高效率應(yīng)用。在
2024-01-22 11:41:48902 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
MOSFET旨在進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用中的功率密度，并顯著增強(qiáng)熱性能，從而為用戶帶來更為出色的性能體驗(yàn)。
2024-03-12 10:38:141480 BOSHIDA ?AC/DC電源模塊：適用于各種功率需求的電子設(shè)備 AC/DC電源模塊是一種廣泛應(yīng)用于不同電子設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換模塊。它具有輸出穩(wěn)定、高效率、可靠性強(qiáng)等特點(diǎn)，適用于各種功率需求
2024-05-24 11:20:441319 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:26:180 法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：1.電子設(shè)備：法拉電容可用于移動設(shè)備、電子手表、智能手機(jī)等電子產(chǎn)品中，用于儲存短時間內(nèi)需要大量能量供應(yīng)的場景，如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531030 
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
，具有旁路模式的高功率功率放大器，適用于藍(lán)牙?應(yīng)用真值表，具有旁路模式的高功率功率放大器，適用于藍(lán)牙?應(yīng)用管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-08-28 18:31:53
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