飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 日前推出了全新系列的 低功率、面向應用、極性反向保護開關(guān)，其中有些保護開關(guān)還具有過壓瞬變保護功能。
2012-08-21 17:21:36
1106 飛兆半導體近日舉行了2012年度的北京媒體交流培訓活動，會上，飛兆半導體中國區(qū)銷售總監(jiān)王劍，技術(shù)經(jīng)理陳立烽，高級應用經(jīng)理曹巍向媒體朋友介紹了飛兆半導體在功率半導體和移動
2012-08-26 11:08:501171 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機驅(qū)動設(shè)計者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機驅(qū)動應用
2012-09-10 09:59:45880 飛兆半導體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計人員在汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:041314 飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應用中面臨提升功率密度的同時節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:441436 為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:142068 
推動器件小型化趨勢。 更高功率密度的重要性 更高的功率密度對于滿足各地日益增長的能源需求以及市場對更小、更高效的電源的持續(xù)需求至關(guān)重要。半導體供應商已經(jīng)成功地從標準硅基器件中獲得了大量利用，硅基器件將繼續(xù)成為電源系統(tǒng)的重要組成
2023-11-16 13:28:339930 
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計。
2025-09-23 09:26:332066 
也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 ? 更高的功率密度和溫度 ?功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標，
2022-12-26 09:30:523461 描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
的恒定導通時間控制器 所有器件采用單一尺寸（5mm x 5.5mm PQFN 34L） 兼容所有輸出電容類型（MLCC、電解電容等）
飛兆半導體承諾改進技術(shù)和工藝，利用
更佳的性能和
更高的功能
集成度以及設(shè)計支持資源，達到最大程度地減少元器件數(shù)目并縮短工程開發(fā)時間的目的，幫助工程師應對挑戰(zhàn)?！ ?/div>
2018-09-27 10:49:52
應用，這一產(chǎn)品系列可讓設(shè)計人員通過削減所需供應商的數(shù)目來簡化供應鏈管理。 飛兆半導體利用了照明和功率管理方面的核心專有技術(shù)，提供用于LED照明應用的多種拓撲，包括: 初級端調(diào)節(jié)(PSR)反激式；單級
2011-07-13 08:52:45
支持高功率密度和高溫操作，滿足這些應用場景對性能和可靠性的嚴苛要求。
智能電網(wǎng)與分布式發(fā)電：在并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)中，該模塊能夠優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率，為智能電網(wǎng)和分布式發(fā)電提供有力支持。
2025-03-17 09:59:21
：7A 負載條件下的啟動波形結(jié)論LTC7820 是一款固定比例高電壓高功率開關(guān)電容器控制器，具有內(nèi)置柵極驅(qū)動器以驅(qū)動外部 MOSFET，可實現(xiàn)非常高的效率 (達 99%) 和高功率密度。堅固的保護功能
2018-10-31 11:26:48
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計，實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
RD-400，參考設(shè)計支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進的飛兆半導體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進的飛兆半導體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進的飛兆半導體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進的飛兆半導體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:41:49
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
半導體器件主要有功率模組、功率集成電路（即Power IC，簡寫為PIC，又稱為功率IC）和分立器件三大類；其中，功率模組是將多個分立功率半導體器件進行模塊化封裝；功率IC對應將分立功率半導體器件與驅(qū)動
2019-02-26 17:04:37
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
元件來適應略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些應用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
支持更小的體積、更高的集成度、更少的外圍器件。友恩將從半導體晶圓高低壓集成器件工藝技術(shù)和高功率密度封裝技術(shù)兩大方向協(xié)同推進新一.代更高集成度的開關(guān)電源芯片及其解決方案的研發(fā)。針對 GaN 晶體管的高頻
2020-10-30 09:39:44
Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導體解決方案的特點是在單一IC上高度集成各種元件，配合高效和先進的電路拓撲，廣泛應用于1W或以
2011-07-15 21:47:14
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
大功率半導體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導體直接輸出激光器介紹直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標準封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術(shù)指標有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
外部器件的高性價比方案。安森美半導體還將展出新的NCD570x系列門極驅(qū)動器，具有高驅(qū)動電流以提供寶貴的、更高的系統(tǒng)能效，和充分集成多種保護功能的能力以增強安全性。安森美半導體的汽車產(chǎn)品陣容不斷擴展
2018-10-30 09:06:50
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無刷電機驅(qū)動器參考設(shè)計。訂購具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動評估模塊。
2017-08-21 14:21:03
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
關(guān)鍵問題。為了應對這一挑戰(zhàn)，快捷半導體公司開發(fā)出智能功率級模塊 (SPS:Smart Power Stage) 系列— 下一代超緊湊型整合式 MOSFET 外加驅(qū)動器功率級解決方案。該系列利用快捷半導體
2013-12-09 10:06:45
星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級功率密度Jonathan Harper，安森美半導體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
氮化鎵功率半導體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應用提供性能。因此，設(shè)計工程師可以期望： 具有高功率密度，可減小系統(tǒng)尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關(guān)的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
2019-08-01 08:16:08
48V 電壓驅(qū)動至電路板。那么，還有什么其他辦法可以在不增加成本的前提下提高數(shù)據(jù)中心的功率密度呢？本文概述了一種兩級架構(gòu)解決方案——以一種靈活的、可調(diào)節(jié)的、高性價比方式，將 48V 電壓驅(qū)動至負載點
2021-05-26 19:13:52
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)
2022-11-07 06:45:10
和渦流損耗給繞組和磁心設(shè)計以及相應地給磁心材料和導體材料品種規(guī)格的選用所帶來的種種限制。本文對工作頻率為2MHz，功率密度大于400W/cm3，功率范圍在50~100W，輸出電壓為1.5V，效率高于99
2016-01-18 10:27:02
改善功率密度，同時還能實現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級設(shè)計可廣泛應用于眾多需要快速響應的空間受限型應用，例如 5G 電信電源、服務器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級設(shè)計，具有高達
2018-10-17 15:39:59
飛兆半導體揭示功率半導體的未來挑戰(zhàn):隨著世界各地對能源和環(huán)境問題日益重視，加上能源供應緊縮、需求不斷增長，半導體供應商在推動能效提高方面扮演著更為主動積極的角色
2009-12-19 14:58:50
9 飛兆半導體實現(xiàn)效率高達94%的電源參考設(shè)計
在消費應用中降低噪聲并保護敏感電路飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 200W DC-DC
2009-05-08 10:51:25734 飛兆半導體開發(fā)出一款集成漏電流感測功能的功率開關(guān)FSGM0565R
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)響應客戶對能夠降低離線電源的待機功耗并簡化設(shè)計的解決方案的需求
2010-02-05 08:34:251175 功率開關(guān)對電源效率的影響(飛兆案例)
高頻開關(guān)電源運行(電子)允
2010-04-16 15:40:462733 
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51813 FAN73933-飛兆半導體全新高壓柵極驅(qū)動器IC提供更佳抗噪能力和性能
馬達驅(qū)動逆變器、分布式電
2010-09-17 12:48:461325 Fairchild(飛兆半導體)已經(jīng)開發(fā)出 Mini-SPM（Mini–智慧功率模組）系列產(chǎn)品。
2011-03-09 19:03:411674 
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FSL1x6系列綠色模式飛兆功率開關(guān) (FPS)器件，這些集成式PWM控制器帶有專有的綠色模式功能，提供了先進的間歇模式控制
2011-04-27 08:58:221924 兆半導體公司開發(fā)出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驅(qū)動器 + MOSFET) 器件，這些器件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設(shè)計人員滿足不同應用的特定設(shè)計需求
2011-05-27 08:51:061544 為了幫助設(shè)計人員應對這些挑戰(zhàn)，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊.
2011-06-15 09:01:072745 對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:133531 飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS? DrMOS系列FDMF6708N，這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動器功率級解決方案
2012-03-21 08:59:523222 在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設(shè)計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor）的FD
2012-04-27 08:57:32828 飛兆半導體公司（紐約證券交易所代號： FCS），全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商，最近將Power Supply WebDesigner （PSW） – 一款在線設(shè)計和模擬工具，可在
2013-09-27 13:59:241607 開關(guān)型電源（SMPS）在通常便攜式計算機中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。
2020-10-02 16:23:009639 機電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:151460 10A DC/DC 微型模塊在一個緊湊封裝內(nèi)提供了新的功率密度級
2021-03-19 08:07:577 的散熱
通過機電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:262447 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設(shè)計目標。
2022-05-31 09:47:063203 
為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力，堪比功率半導體里的“學霸”。
2022-08-01 14:58:551638 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243 本文將介紹實現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:591604 
也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 更高的功率密度和溫度 功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標，轉(zhuǎn)
2022-12-26 07:15:022248 集成寬帶隙(WBG)半導體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應用中的替代品，是一個不斷增長的市場，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。WBG具有更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀，了解更多關(guān)于基于WBG的半導體器件的廣泛應用。
2023-02-02 16:36:162763 功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設(shè)計目標。
2023-02-06 14:24:203471 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
幾乎每個應用中的半導體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計挑戰(zhàn)都歸結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34892 
ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導體的集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:311819 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
半導體基礎(chǔ)功率模塊因其相對于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢而變得越來越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域，選擇半導體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件對效率、可靠性和整體系統(tǒng)性能有著顯著的影響。半導體基礎(chǔ)功率模塊的優(yōu)勢
2024-06-07 11:17:501177 
著關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的不斷進步，功率半導體器件正朝著高性能、高集成度、智能化方向發(fā)展，功率集成技術(shù)也日益成熟，為各行業(yè)帶來了更高的效率和可靠性。
2025-04-09 13:35:401447 
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