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飛兆半導體推出Generation II XS DrMOS器件

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2025-05-19 10:16:02

電子束半導體圓筒聚焦電極

電子束半導體圓筒聚焦電極 在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過調焦來確保電子束焦點在目標物體上。要確認是焦點的最小直徑位置非常困難,且難以測量。如果焦點是一條直線,就可以免去調焦過程,本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27

龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發(fā)展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業(yè)關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統(tǒng)化設計能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:471042

半導體兩大行業(yè)盛會圓滿落幕

4月,作為國內深耕于IGBT、MOS管的廠家代表,半導體成功參加了第104屆中國電子展(深圳)以及慕尼黑上海電子展,兩大行業(yè)盛會圓滿落幕。
2025-04-29 11:39:30881

半導體器件中微量摻雜元素的EDS表征

微量摻雜元素在半導體器件的發(fā)展中起著至關重要的作用,可以精準調控半導體的電學、光學性能。對器件中微量摻雜元素的準確表征和分析是深入理解半導體器件特性、優(yōu)化器件性能的關鍵步驟,然而由于微量摻雜元素含量極低,對它的檢測和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531705

SC2020晶體管參數測試儀/?半導體分立器件測試系統(tǒng)介紹

SC2020晶體管參數測試儀/?半導體分立器件測試系統(tǒng)-日本JUNO測試儀DTS-1000國產平替 ?專為半導體分立器件測試而研發(fā)的新一代高速高精度測試機。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:200

最全最詳盡的半導體制造技術資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

。 第1章 半導體產業(yè)介紹 第2章 半導體材料特性 第3章 器件技術 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導體制造中的化學品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學和缺陷檢查 第8章 工藝腔內的氣體控制
2025-04-15 13:52:11

半導體邀您相約2025年慕尼黑上海電子展

2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日半導體攜其在大功率分立器件領域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基、三極管等系列產品亮相展會。在此誠邀各位電子領域的同行共賞盛宴,共同交流!
2025-04-14 15:49:06758

半導體亮相第105屆中國電子展

第104屆中國電子展即CITE2025即將在深圳會展中心(福田)隆重舉辦。2025年4月9-11日半導體受邀參展,攜其在大功率分立器件領域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列產品亮相展會。與參展者圍繞“科技創(chuàng)新·‘圳’在變革”的主題共襄盛典,展望電子產業(yè)的未來。
2025-04-09 16:22:41907

有機半導體材料及電子器件電性能測試方案

有機半導體材料是具有半導體性質的有機材料,1986年第一個聚噻吩場效應晶體管發(fā)明以來,有機場效應晶體管(OFET)飛速發(fā)展。有機物作為半導體甚至是導體制備電子器件來代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產品,利用有機物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢,市場前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064

強強聯(lián)合!易創(chuàng)新與納微半導體達成戰(zhàn)略合作,打造智能、高效、高功率密度的數字電源解決方案

易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布與納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS)達成戰(zhàn)略合作伙伴關系,通過將易創(chuàng)新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優(yōu)勢整合
2025-04-09 09:30:43736

易創(chuàng)新與納微半導體達成戰(zhàn)略合作 高算力MCU+第三代功率半導體的數字電源解決方案

? ? ? 今日,易創(chuàng)新宣布與納微半導體正式達成戰(zhàn)略合作!雙方將強強聯(lián)合,通過將易創(chuàng)新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優(yōu)勢整合,打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885

意法半導體推出STM32WBA6系列MCU新品

??????最近,意法半導體(ST)重磅升級STM32WBA產品系列,推出STM32WBA6系列新品,能夠在單芯片上同時支持藍牙低功耗(Bluetooth LE)和IEEE 802.15.4標準的器件
2025-03-21 09:40:521827

先輯半導體HPM6E00系列產品能用來做EtherCAT的主站嗎

雖然明確說明了先輯半導體HPM6E00系列產品能用來做EtherCAT的從站,但它可以用來做主站嗎,還是說必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43

砥礪創(chuàng)新 芯耀未來——武漢芯源半導體榮膺21ic電子網2024年度“創(chuàng)新驅動獎”

2024年,芯途璀璨,創(chuàng)新不止。武漢芯源半導體有限公司(以下簡稱“武漢芯源半導體”)在21ic電子網主辦的2024年度榮耀獎項評選中,憑借卓越的技術創(chuàng)新實力與行業(yè)貢獻,榮膺“年度創(chuàng)新驅動獎”。這一
2025-03-13 14:21:54

半導體器件可靠性測試中常見的測試方法有哪些?

半導體器件可靠性測試方法多樣,需根據應用場景(如消費級、工業(yè)級、車規(guī)級)和器件類型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測試組合。測試標準(如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD)為測試提供了詳細的指導,確保器件在極端條件下的可靠性和壽命。
2025-03-08 14:59:291107

AEC-Q102:汽車電子分立光電半導體器件的測試標準

AEC-Q102是汽車電子領域針對分立光電半導體器件的應力測試標準,由汽車電子委員會(AEC)制定。該標準于2017年3月首次發(fā)布,隨后在2020年4月更新為AEC-Q102REVA版本,成為目前
2025-03-07 15:35:151610

BW-AH-5520”是針對半導體分立器件在線高精度高低溫溫度實驗系統(tǒng)專用設備

RS-232接口及Ethernet接口,可實現遠程自動控制。 可針對以下封裝的半導體器件進行高精度自動溫度實驗測量 (1)石英晶體諧振器、振蕩器 (2)電阻、電容、電感 (3)二極管、三極管、場效應管
2025-03-06 10:48:56

北京市最值得去的十家半導體芯片公司

北京市最值得去的十家半導體芯片公司 原創(chuàng) 芯片失效分析 半導體工程師 2025年03月05日 09:41 北京 北京市作為中國半導體產業(yè)的重要基地,聚集了眾多在芯片設計、制造、設備及新興技術領域具有
2025-03-05 19:37:43

走進半導體塑封世界:探索工藝奧秘

半導體塑封工藝是半導體產業(yè)中不可或缺的一環(huán),它通過將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中,實現對半導體器件的保護、固定、連接和散熱等功能。隨著半導體技術的不斷發(fā)展,塑封工藝也在不斷演進,以適應更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412565

通新品發(fā)布:高功率1550nm SOA器件震撼上市

近日,先導科技集團旗下子公司——武漢海通公司,正式推出了一款備受矚目的新品:高功率1550nm SOA(半導體光放大器)器件。這款器件以其卓越的性能和獨特的設計,迅速吸引了業(yè)界的廣泛關注。 據悉
2025-02-20 10:13:19961

優(yōu)恩半導體推出多功能電源保護模塊

優(yōu)恩半導體(UNSEMI)推出的多功能電源保護模塊,專為工業(yè)電源在應用中可能會遇到的各種復雜問題而設計。
2025-02-19 14:42:01995

第三代半導體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:301609

AIS328DQTR 是意法半導體(STMicroelectronics)推出的一款高性能三軸加速度傳感器

AIS328DQTR 產品概述 如需了解價格貨期等具體信息,歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言,留言會被吞,收不到留言。 AIS328DQTR 是意法半導體
2025-02-10 07:40:46

半導體常用器件

半導體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210

濕度大揭秘!如何影響功率半導體器件芯片焊料熱阻?

近年來,隨著電力電子技術的快速發(fā)展,功率半導體器件在風力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應用日益廣泛。然而,這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導體器件的運行可靠性構成了嚴峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527

意法半導體新能源功率器件解決方案

在《意法半導體新能源功率解決方案:從產品到應用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640

意法半導體推出250W MasterGaN參考設計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151133

半導體封裝的主要類型和制造方法

半導體封裝是半導體器件制造過程中的一個重要環(huán)節(jié),旨在保護芯片免受外界環(huán)境的影響,同時實現芯片與外部電路的連接。隨著半導體技術的不斷發(fā)展,封裝技術也在不斷革新,以滿足電子設備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細介紹半導體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637

碳化硅在半導體中的作用

碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352663

LED芯片巨頭馳,全面進軍化合物半導體!

▍全球最大數字智能化LED芯片廠加碼化合物半導體 來源:LEDinside等網絡資料 近日,馳集團二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會在江西隆重召開,在盛典上,馳集團明確了未來10到20年
2025-01-23 11:49:081624

泰克與遠山半導體合作推進1700V GaN器件

近日,泰克科技與遠山半導體的合作再次取得了突破性進展,雙方共同對遠山半導體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估,取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗證了遠山半導體
2025-01-20 11:07:33962

遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案

遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題,他們采用特有的極化超級結
2025-01-14 09:42:281899

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

銀燒結技術助力功率半導體器件邁向高效率時代

隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領域的蓬勃發(fā)展,功率半導體器件作為其核心組件,正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機遇。在這些領域中,功率半導體器件不僅需要有更高的效率和可靠性,還要滿足壽命長、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-06 17:05:481328

半導體在熱測試中遇到的問題

半導體器件的實際部署中,它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱,過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此,熱測試對于驗證半導體組件的性能及評估其可靠性至關重要。然而,半導體熱測試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580

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