30. 測(cè)試選擇按鍵：

　?、拧白蟆?、“右”、“二簇”：可以在測(cè)試時(shí)任選左右兩個(gè)被測(cè)管的特性，當(dāng)置于“二簇”時(shí)，即通過(guò)電子開(kāi)關(guān)自動(dòng)地交替顯示左右二簇特性曲線，此時(shí)“級(jí)/簇”應(yīng)置適當(dāng)位置，以利于觀察。二簇特性曲線比較時(shí)，請(qǐng)不要誤按單簇按鍵。

　　⑵“零電壓”鍵：按下此鍵用于調(diào)整階梯信號(hào)的起始級(jí)在零電平的位置，見(jiàn)（22）項(xiàng)。

　?、恰傲汶娏鳌辨I：按下此鍵時(shí)被測(cè)管的基極處于開(kāi)路狀態(tài)，即能測(cè)量ICEO特性。

　　31、32. 左右測(cè)試插孔：插上專用插座（隨機(jī)附件），可測(cè)試F1、F2型管座的功率晶體管。

　　33、34、35.晶體管測(cè)試插座。

　　36. 二極管反向漏電流專用插孔（接地端）。

　　37. 二簇移位旋鈕：在二簇顯示時(shí)，可改變右簇曲線的位置，更方便于配對(duì)晶體管各種參數(shù)的比較。

　　38. Y軸信號(hào)輸入：Y軸選擇開(kāi)關(guān)置外接時(shí)，Y軸信號(hào)由此插座輸入。

　　39. X軸信號(hào)輸入：X軸選擇開(kāi)關(guān)置外接時(shí)，X軸信號(hào)由此插座輸入。

　　40. 校準(zhǔn)信號(hào)輸出端：1V、0.5V校準(zhǔn)信號(hào)由此二孔輸出。

　　四、測(cè)試前注意事項(xiàng)

　　為保證儀器的合理使用，既不損壞被測(cè)晶體管，也不損壞儀器內(nèi)部線路，在使用儀器前應(yīng)注意下列事項(xiàng)：

　　1. 對(duì)被測(cè)管的主要直流參數(shù)應(yīng)有一個(gè)大概的了解和估計(jì)，特別要了解被測(cè)管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。

　　2. 選擇好掃描和階梯信號(hào)的極性，以適應(yīng)不同管型和測(cè)試項(xiàng)目的需要。

　　3. 根據(jù)所測(cè)參數(shù)或被測(cè)管允許的集電極電壓，選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下，應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零，更改掃描電壓范圍時(shí)，也應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零。選擇一定的功耗電阻，測(cè)試反向特性時(shí)，功耗電阻要選大一些，同時(shí)將X、Y偏轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)置于合適擋位。測(cè)試時(shí)掃描電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。

　　4. 對(duì)被測(cè)管進(jìn)行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，一般宜先小一點(diǎn)，再根據(jù)需要逐步加大。測(cè)試時(shí)不應(yīng)超過(guò)被測(cè)管的集電極最大允許功耗。

　　5. 在進(jìn)行ICM的測(cè)試時(shí)，一般采用單簇為宜，以免損壞被測(cè)管。

　　6. 在進(jìn)行IC或ICM的測(cè)試中，應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實(shí)際情況選擇，不應(yīng)超過(guò)本儀器規(guī)定的最大電流，見(jiàn)表A-3。

　　表A-3 最大電流對(duì)照表

　　7. 進(jìn)行高壓測(cè)試時(shí)，應(yīng)特別注意安全，電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。觀察完畢，應(yīng)及時(shí)將峰值電壓調(diào)到零。

　　五、基本操作步驟

　　1. 按下電源開(kāi)關(guān)，指示燈亮，預(yù)熱15分鐘后，即可進(jìn)行測(cè)試。

　　2. 調(diào)節(jié)輝度、聚焦及輔助聚焦，使光點(diǎn)清晰。

　　3. 將峰值電壓旋鈕調(diào)至零，峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開(kāi)關(guān)置于測(cè)試所需位置。

　　4. 對(duì)X、Y軸放大器進(jìn)行10度校準(zhǔn)。

　　5. 調(diào)節(jié)階梯調(diào)零。

　　6. 選擇需要的基極階梯信號(hào)，將極性、串聯(lián)電阻置于合適擋位，調(diào)節(jié)級(jí)/簇旋鈕，使階梯信號(hào)為10級(jí)/簇，階梯信號(hào)置重復(fù)位置。

　　7. 插上被測(cè)晶體管，緩慢地增大峰值電壓，熒光屏上即有曲線顯示。

　　六、測(cè)試實(shí)例

　　1. 晶體管hFE和β值的測(cè)量

　　以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊(cè)得知3DK2 hFE的測(cè)試條件為VCE =1V、IC=10mA。將光點(diǎn)移至熒光屏的左下角作座表零點(diǎn)。儀器部件的置位詳見(jiàn)表A-4。

　　逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線，如圖A-26所示。讀出X軸集電極電壓Vce =1V時(shí)最上面一條曲線（每條曲線為20μA，最下面一條IB=0不計(jì)在內(nèi)）IB值和Y軸IC值，可得

　　若把X軸選擇開(kāi)關(guān)放在基極電流或基極源電壓位置，即可得到圖A-27所示的電流放大特性曲線。即

　　PNP型三極管hFE和β的測(cè)量方法同上，只需改變掃描電壓極性、階梯信號(hào)極性、并把光點(diǎn)移至熒光屏右上角即可。

　　2.晶體管反向電流的測(cè)試

　　以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊(cè)得知3DK2 ICBO、ICEO的測(cè)試條件為VCB、VCE均為10V。測(cè)試時(shí)，儀器部件的置位詳見(jiàn)表A-5。

　　逐漸調(diào)高“峰值電壓”使X軸VCB=10V，讀出Y軸的偏移量，即為被測(cè)值。被測(cè)管的接線方法如圖1-28，其中圖A-28（a）測(cè)ICBO值，圖A-28（b）測(cè)ICEO值、圖A-28（c）測(cè)IEBO值。

　　表A-5 3DK2晶體管反向電流測(cè)試時(shí)儀器部件的置位

　　測(cè)試曲線如圖A-29所示。

　　圖A-29 反向電流測(cè)試曲線

　　PNP型晶體管的測(cè)試方法與NPN型晶體管的測(cè)試方法相同?？砂礈y(cè)試條件，適當(dāng)改變擋位，并把集電極掃描電壓極性改為“—”，把光點(diǎn)調(diào)到熒光屏的右下角（階梯極性為“+”時(shí)）或右上角（階梯極性為“—”時(shí)）即可。