3.晶體管擊穿電壓的測(cè)試

　　以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊(cè)得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的測(cè)試條件IC分別為100μA、200μA和100μA。測(cè)試時(shí)，儀器部件的置位詳見表A-6。

　　逐步調(diào)高“峰值電壓”，被測(cè)管按圖A-30（a）的接法，Y軸IC=0.1mA時(shí)，X軸的偏移量為BVCEO值；被測(cè)管按圖A-30（b）的接法，Y軸IC=0.2m A時(shí)，X軸的偏移量為BVCEO值；被測(cè)管按圖A-30（c）的接法，Y軸IC=0.1mA時(shí)，X軸的偏移量為BVEBO值。

　　表A-6 3DK2晶體管擊穿電壓測(cè)試時(shí)儀器部件的置位

　　圖A-31 反向擊穿電壓曲線（PNP）

　　PNP型晶體管的測(cè)試方法與NPN型晶體管的測(cè)試方法相似。其測(cè)試曲線如圖1-31所示。

　　4.穩(wěn)壓二極管的測(cè)試

　　以2CW19穩(wěn)壓二極管為例，查手冊(cè)得知2CW19穩(wěn)定電壓的測(cè)試條件IR=3mA。測(cè)試時(shí)。儀器部件置位詳見表A-7。

　　逐漸加大“峰值電壓”，即可在熒光屏上看到被測(cè)管的特性曲線，如圖A-32所示。

　　表A-7 2CW19穩(wěn)壓二極管測(cè)試時(shí)儀器部件的置位

　　讀數(shù)：正向壓降約0.7V，穩(wěn)定電壓約12.5V。

　　5.整流二極管反向漏電電流的測(cè)試

　　以2DP5C整流二極管為例，查手冊(cè)得知2DP5的反向電流應(yīng)≤500nA。測(cè)試時(shí)，儀器各部件的置位詳見表A-8。

　　逐漸增大“峰值電壓”，在熒光屏上即可顯示被測(cè)管反向漏電電流特性，如圖A-33所示。

　　讀數(shù)：IR=4div×0.2μA×0.1（倍率）=80 nA

　　測(cè)量結(jié)果表明，被測(cè)管性能符合要求。

　　圖A-32 穩(wěn)壓二極管特性曲線 圖A-33 二極管反向電流測(cè)試

　　表A-8 2DP5C整流二極管測(cè)試時(shí)儀器部件的置位

　　6.二簇特性曲線比較測(cè)試

　　以NPN型3DG6晶體管為例，查手冊(cè)得知3DG6晶體管輸出特性的測(cè)試條件為IC=10 mA、VCE=10V。測(cè)試時(shí)，儀器部件的置位詳見表A-9。

　　將被測(cè)的兩只晶體管，分別插入測(cè)試臺(tái)左、右插座內(nèi)，然后按表1-8置位各功能鍵，參數(shù)調(diào)至理想位置。按下測(cè)試選擇按鈕的“二簇”琴鍵，逐步增大峰值電壓，即可要熒光屏上顯示二簇特性曲線，如圖A-34所示。

　　表A-9 二簇特性曲線測(cè)試時(shí)儀器部件的置位

　　當(dāng)測(cè)試配對(duì)管要求很高時(shí)，可調(diào)節(jié)“二簇位移旋鈕”（37），使右簇曲線左移，視其曲線重合程度，可判定其輸出特性的一致程度。

　　七、晶體管測(cè)試儀使用注意事項(xiàng)

　　①使用儀器前，應(yīng)檢查儀器有關(guān)旋鈕位置， “測(cè)試選擇”　　開關(guān)置于“關(guān)”， “峰值電壓”旋鈕調(diào)至零， “階梯作用”置于“關(guān)”。

　　②開啟電源，指示燈亮，預(yù)熱5min。調(diào)整“標(biāo)尺亮度”，觀察時(shí)用紅色標(biāo)尺，攝影時(shí)用黃色標(biāo)尺。調(diào)整“輝度”，使屏幕上光點(diǎn)和線條至適中的亮度。調(diào)整“聚焦”及“輔助聚焦”　　旋鈕，使屏幕上顯示清晰的線條或亮點(diǎn)。

　?、圻M(jìn)行基極階梯信號(hào)調(diào)零。將光點(diǎn)移至屏幕左下角作為坐標(biāo)零點(diǎn)，進(jìn)行基極階梯信號(hào)調(diào)零。當(dāng)熒光屏上出現(xiàn)基極階梯信號(hào)后，按下測(cè)試臺(tái)上的“零電壓”鍵，觀察光點(diǎn)停留在熒光屏上的位置。復(fù)位后調(diào)節(jié)“階梯調(diào)零”旋鈕，使階梯信號(hào)的起始級(jí)光點(diǎn)仍在該處，則基極階梯信號(hào)的零位即被校準(zhǔn)。

　?、芨鶕?jù)被測(cè)管的類型（PNP型或NPN型）和接地形式（E接地或B接地），選擇“極性”開關(guān)位置，然后插上被測(cè)晶體管。

　　⑤根據(jù)需要顯示的醢線和需要測(cè)試的參數(shù)，選擇相應(yīng)的作用開關(guān)以及合適的量程，即可進(jìn)行有關(guān)圖形顯示和參數(shù)測(cè)定。晶體管圖示測(cè)試系統(tǒng)在運(yùn)用的過(guò)程中：

　　a.測(cè)試時(shí)逐漸加大峰值電壓，即可得到輸出特性曲線。在測(cè)試中，由于晶體管的離散性較大，其輸出特性曲線可能會(huì)超出屏幕坐標(biāo)，此時(shí)可將Y軸作用開關(guān)置于其他擋位。由于輸出特性曲線可以反映被測(cè)管特性的全貌，因此，可依此對(duì)晶體管性能的優(yōu)劣迅速作出判斷。

　　b.測(cè)量晶體三極管的h FE值。連接方法與調(diào)整同上，調(diào)整儀器的開關(guān)旋鈕置于適當(dāng)位置，即可得到k與，。關(guān)系的一條直線，根據(jù)^匝= A/C/A/B可求得晶體管的hFF值。

　　c.觀察晶體三極管的輸入特性曲線。使用晶體管特性圖示儀觀察晶體三極管的輸入特性曲線的連接方法與調(diào)整同上。測(cè)試時(shí)，逐漸加大峰值電壓，可得到晶體三極管的輸入特性曲線。讀出工作點(diǎn)Q處的基極電壓UBE和基極電流厶的值，可得到輸入電阻R。：塵UBE鞏。：SVA/B（3）在操作使用JT-1型晶體管圖示儀時(shí)，要注意以下幾點(diǎn)。

　　總結(jié)：晶體管圖示測(cè)試系統(tǒng)在使用的過(guò)程中應(yīng)該遵從以上事項(xiàng)，并且儀器在長(zhǎng)時(shí)間的使用中，由于元件老化和變值，有可能引起一定的誤差，因此需要大家進(jìn)行定期計(jì)量和維修。