源測(cè)量單元（SMU）可同時(shí)輸出和測(cè)量電壓、電流，廣泛用于器件與材料的I-V特性表征，尤其擅長(zhǎng)低電流測(cè)量。在測(cè)試系統(tǒng)中存在長(zhǎng)電纜或高寄生電容的情況下，部分SMU可能因無法容忍負(fù)載電容而產(chǎn)生讀數(shù)噪聲或振蕩。
2025-06-04 10:19:37
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使用TSP Toolkit腳本開發(fā)插件（Visual Studio Code擴(kuò)展程序）可降低對(duì)多種被測(cè)器件，例如如多端半導(dǎo)體元件、太陽(yáng)能電池等，進(jìn)行電流-電壓（I-V特性）測(cè)試的開發(fā)時(shí)間與復(fù)雜度
2025-11-24 13:53:552871 
用例。 那么參照 GB/T 17626.4 與實(shí)際的試驗(yàn)情況，低壓端測(cè)試主要分為供電端口與信號(hào)端口。供電端口即 12V 端口，包括電源與 GND；電源端口又包含繼電器供電與單板供電兩種，兩個(gè)是一起做的；試驗(yàn)的布局結(jié)構(gòu)如下圖，脈沖群發(fā)生器通過耦合網(wǎng)絡(luò)將信號(hào)注入到 12V 與 GND 上；鉛酸電池正負(fù)
2021-02-04 11:49:007842 
可以通過很多方式在bioFETs上進(jìn)行DC I-V測(cè)試。最簡(jiǎn)便的方式是使用多個(gè)源測(cè)量單元（SMUs），SMU是一種同時(shí)提供和測(cè)量電流和電壓的儀器。
2021-04-28 09:47:572032 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
曲線追蹤儀是一種基礎(chǔ)電子測(cè)試設(shè)備，通過分析半導(dǎo)體器件（如二極管、晶體管、晶閘管等）的特點(diǎn)，用來執(zhí)行I-V曲線追蹤。它們通常用于器件可靠性應(yīng)用中，如故障分析和參數(shù)表征。
2021-09-14 10:51:522752 
1. I-V放大器的放大倍數(shù)是如何計(jì)算的，倍數(shù)就等于Rf的值嗎？等同這里的10M？
2. 如果是這樣，那么設(shè)計(jì)的帶寬范圍很窄了，一般OP的單位增益帶寬是10M的很大了，這樣帶寬幾乎就1HZ了
2023-11-28 06:45:13
150K左右，所以反饋電阻兩端不能并聯(lián)較大電容來限制帶寬。嘗試在Rf兩端并聯(lián)5pF電容后，整體噪聲是降低了，但是諧波還是比較明顯。I-V轉(zhuǎn)換電路中，當(dāng)反饋電阻取值較大(>1Mohm)時(shí)，為什么輸出
2018-11-08 09:34:58
電阻兩端不能并聯(lián)較大電容來限制帶寬。嘗試在Rf兩端并聯(lián)5pF電容后，整體噪聲是降低了，但是諧波還是比較明顯。I-V轉(zhuǎn)換電路中，當(dāng)反饋電阻取值較大(>1Mohm)時(shí)，為什么輸出電壓中會(huì)出現(xiàn)明顯的諧波？該如何消除這些諧波？是不是器件AD8512的電流噪聲引起的？希望高手解答！
2023-11-27 06:10:09
PD是光敏管，接收紅外發(fā)射管的紅外光，紅外發(fā)射頻率200KHZ，
I-V轉(zhuǎn)換由R1實(shí)現(xiàn)，運(yùn)放的帶寬和壓擺率選多大的好？麻煩幫忙推薦一款運(yùn)放，十分感謝！
2024-08-22 07:53:04
I-V通過249R電阻轉(zhuǎn)電壓1-5V 的問題？ 將4--20ma電流，通過電阻249歐姆，轉(zhuǎn)換為1--5V電壓。本案的接法，將249R接在ADG1409模擬切換通道的輸入端，當(dāng)給通道一
2018-09-10 11:13:57
應(yīng)變會(huì)沿導(dǎo)線產(chǎn)生壓電勢(shì)，基板的反復(fù)彎曲就會(huì)形成脈沖輸出電壓。平行使用大量納米線（如20000根），可以增大功率。此外，還可在基板上縱向整齊排列ZnO納米線或ZnO纖維制造柔性壓電納米發(fā)電機(jī)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">圖9
2020-08-25 10:59:35
特點(diǎn)在電路應(yīng)用中尤為突出。與類似的宏觀器件相比，其開關(guān)速度更快、功率損耗更低。然而，這也意味著測(cè)量此類器件I-V曲線的測(cè)試儀器在跟蹤較短反應(yīng)時(shí)間的同時(shí)必須對(duì)小電流進(jìn)行測(cè)量。 因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">納米級(jí)測(cè)試應(yīng)用中激勵(lì)
2009-10-14 15:58:21
，其次為pFA。eFA通常為非破壞性的，包括I-V Curve測(cè)試，Bitmap，失效定位(Thermal/EMMI/OBIRCH)。pFA通常為破壞性的，包括wire cutting
2016-07-22 12:49:00
labview measure I-V是自帶的嗎？為什么我在文件夾里找不到？
2015-12-14 10:18:24
如何進(jìn)行超快I-V測(cè)量？下一代超快I-V測(cè)試系統(tǒng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些?
2021-04-15 06:33:03
光電測(cè)試技術(shù)分析有源的光電器件是一個(gè)基本的半導(dǎo)體結(jié)，為了更全面的測(cè)試，不僅要求對(duì)其做正向的I-V特性測(cè)試，也要求監(jiān)測(cè)反向的I-V特性。傳統(tǒng)的激光二極管電流驅(qū)動(dòng)在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別是合適的，但是對(duì)于開發(fā)半導(dǎo)體
2009-12-09 10:47:38
負(fù)反饋I-V轉(zhuǎn)換電路如下圖，運(yùn)放的輸出要0-3.3V（單片機(jī)的輸入電壓），請(qǐng)問我該如何選擇運(yùn)放？另外就是我這個(gè)圖在實(shí)際中可行嗎？要不要加什么電阻？反饋電阻和電容又要如何選擇呢？如何實(shí)現(xiàn)0-3.3V的輸出呢？新手上路 求詳細(xì)一點(diǎn)的解答 太感謝了?。。?！
2023-11-20 06:23:44
我的程序是基于labview的I-V測(cè)試系統(tǒng)，利用串口接收數(shù)據(jù)，怎么將數(shù)據(jù)中的電流、電壓用I-V曲線波形 顯示出來？？求高手給個(gè)例程。
2012-05-31 12:37:48
半導(dǎo)體二極管的I-V特性
2019-10-16 17:32:16
`吉時(shí)利——半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等，是組成集成電路的基礎(chǔ)。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
信息和測(cè)試數(shù)據(jù)可選擇 CSV 格式或者 txt 格式導(dǎo)出。 ◆系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)I-V、I-P、I-R、V-P、V-R、R-P、R-t、V/A-t、P-t的圖像。NS-SourceMeter雙通道源表程控軟件
2023-03-10 17:37:05
%（Keithley 2611A回收）基本精度V 0.015% 0.015%（Keithley 2611A回收）典型應(yīng)用 I-V功能測(cè)試和特性分析，（Keithley 2611A回收）晶圓級(jí)可靠性測(cè)試
2022-02-26 11:07:00
I-V Curve 電特性量測(cè)原理是 ，利用自動(dòng)曲線追縱儀電特性量測(cè)的方式，快速計(jì)算阻值，藉此確認(rèn)各腳位(Pin)關(guān)系并實(shí)時(shí)篩檢出異常(Open / Short)，另可產(chǎn)出曲線圖文件。 提供DC組件
2018-08-24 09:02:36
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫(kù)里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
大家好：我正在使用E5270B儀器對(duì)MOS器件進(jìn)行基本的I-V測(cè)量（改變漏極電壓和監(jiān)測(cè)一個(gè)柵極電壓下的漏極電流）。與設(shè)定合規(guī)性不同，我想知道一旦測(cè)量的漏極電流值達(dá)到特定點(diǎn)，是否有任何方法可以停止測(cè)量
2019-08-21 06:06:43
如何利用2420型高電流源表去測(cè)量光電池I-V特性？有哪些步驟？
2021-05-11 06:12:00
打算測(cè)量1nA~100nA的電流，求I-V轉(zhuǎn)換電路，以及和電流傳感器的接法，
2015-03-15 22:04:00
精確的光伏 I-V 特性分析用于 PV 電池板模塊的 I-V 掃描測(cè)試電路
2021-01-21 07:26:08
源、電壓/電流表、掃描分析儀、函數(shù)發(fā)生器，為這類測(cè)試提供了完美的解決方案。源表還包括可編程負(fù)載，可以測(cè)量元器件上的I-V特點(diǎn)，從幾μV到3KV，從幾fA到100A。一個(gè)很好的插件是IVy應(yīng)用，可以從
2016-08-18 16:23:38
前者理論是清楚的，但從器件發(fā)展到電路，所需的技術(shù)仍處于發(fā)展之中，要進(jìn)入到比較普遍的應(yīng)用估計(jì)仍需一二十年的時(shí)間。至于納米器件，目前多以原子和分子自組裝技術(shù)與微電子超深亞微米加工技術(shù)相結(jié)合的方法進(jìn)行
2018-08-24 16:30:27
1. I-V放大器的放大倍數(shù)是如何計(jì)算的，倍數(shù)就等于Rf的值嗎？等同這里的10M？2. 如果是這樣，那么設(shè)計(jì)的帶寬范圍很窄了，一般OP的單位增益帶寬是10M的很大了，這樣帶寬幾乎就1HZ了<
2018-11-26 10:02:42
請(qǐng)問一下納米器件有幾安（A）、伏（V）？
2021-05-17 06:33:41
對(duì)一大電阻器件施加1V直流電，將通過的電流（大約2mA）經(jīng)過I-V轉(zhuǎn)換和放大，采集后用發(fā)現(xiàn)信號(hào)是這樣對(duì)稱的，按道理我的電流是正的信號(hào)至少應(yīng)該恒為正，不知道為什么產(chǎn)生了這樣的結(jié)果，求指導(dǎo)。 [img=110,0][/img] 圖1 測(cè)試系統(tǒng)圖[img=110,0][/img]圖2 信號(hào)圖
2020-05-16 08:52:05
負(fù)反饋I-V轉(zhuǎn)換電路如下圖，運(yùn)放的輸出要0-3.3V（單片機(jī)的輸入電壓），請(qǐng)問我該如何選擇運(yùn)放？另外就是我這個(gè)圖在實(shí)際中可行嗎？要不要加什么電阻？反饋電阻和電容又要如何選擇呢？如何實(shí)現(xiàn)0-3.3V的輸出呢？新手上路 求詳細(xì)一點(diǎn)的解答 太感謝了?。。?！
2018-08-18 07:45:11
晶體硅光伏（PV）方陣I-V特性的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量:本標(biāo)準(zhǔn)描述晶體硅光伏方陣特性的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量及將測(cè)得的數(shù)據(jù)外推到標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件或其他選定的溫度和輻照度條件下的程序.
2009-02-23 22:01:14
17 數(shù)字源表用于光電I-V測(cè)試使用手冊(cè)
吉時(shí)利數(shù)字源表系列是專為緊密結(jié)合精密電壓源和電流源以及同時(shí)測(cè)量（包括源回讀）的測(cè)試應(yīng)用要求開發(fā)的。在特性分析過
2010-03-13 09:21:5719
摩托羅拉手機(jī)V3i維修測(cè)試點(diǎn)圖
2008-10-16 19:29:231259
摩托羅拉手機(jī)V3i維修測(cè)試點(diǎn)圖
2008-10-16 19:39:081318 吉時(shí)利宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測(cè)試模塊
吉時(shí)利儀器公司今日宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測(cè)試模塊，進(jìn)一步豐富了4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)的可選儀器系
2010-02-24 10:12:241247 與直流電流-電壓(I-V)和電容-電壓(C-V)測(cè)量一樣，是否能夠進(jìn)行超快I-V測(cè)量對(duì)于從事新材料、器件或工藝研發(fā)特征
2010-12-27 08:56:482325 
Ultra-fast I-V tests (pulsed I-V, transient I-V, and pulsed sourcing ) have become increasingly
2011-03-28 17:15:140 脈沖式電測(cè)試是一種能夠減少器件總能耗的測(cè)量技術(shù)。它通過減少焦耳熱效應(yīng)（例如I2R和V2/R），免對(duì)小型納米器件可能造成的損壞。脈沖測(cè)試采用足夠高的電源對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加間
2011-04-09 16:05:5044 脈沖式電測(cè)試是一種能夠減少器件總能耗的測(cè)量技術(shù)。它通過減少焦耳熱效應(yīng)(例如I2R和V2/R)，避免對(duì)小型納米器件可能造成的損壞
2011-05-04 09:45:221460 脈沖測(cè)試為人們和研究納米材料、納米電子和目前的半導(dǎo)體器件提供了一種重要手段。在加電壓脈沖的同時(shí)測(cè)量直流電流是電荷泵的基本原理
2011-05-11 11:49:242280 
致茂電子最新太陽(yáng)能電池?cái)?shù)組I-V仿真電源，型號(hào)62150H-1000S提供最高可仿真太陽(yáng)能電池?cái)?shù)組的開路電壓(Voc)達(dá)1000V及短路電流(Isc)達(dá)15A于3U高電源模塊
2011-06-24 09:08:241748 利用吉時(shí)利2450或2460型觸摸屏數(shù)字源表，可以輕松生成這些I-V特性，該儀器可以提供電流和電壓源和測(cè)量。由于2450型和2460型數(shù)字源表儀器都具有4象限源能力，因此它們可以起到施加電壓的作用
2015-05-28 11:23:47125 考察了當(dāng)前執(zhí)行的最常見的 DC 電流與電壓 （I-V） 測(cè)試、每項(xiàng)測(cè)試本身的復(fù)雜性以及新技術(shù)可以怎樣幫助您克服這些挑戰(zhàn)，同時(shí)增強(qiáng)效率和生產(chǎn)力。在研發(fā)中，會(huì)在各種雙端子電子器件上定期執(zhí)行 I-V 檢定
2015-10-27 16:11:55199 本文提出了一種基于拉格朗日插值多項(xiàng)式的光伏電池I-V特性的新的建模方法。該方法利用桑迪亞（Sandia）國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室I-V特性曲線上的五個(gè)點(diǎn)的值作為節(jié)點(diǎn)進(jìn)行拉格朗日插值，最終得到 特性顯式表達(dá)
2016-01-04 17:13:4922 電子元件應(yīng)用筆記——MAX189 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀
2016-08-18 18:24:010 MAX478 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀
2016-08-18 18:24:010 MAX663_664 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀
2016-08-18 18:28:550 MAX531 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀
2016-08-18 18:28:550 本文詳細(xì)介紹了用4225-PRM遠(yuǎn)程放大器_開關(guān)模型實(shí)現(xiàn)對(duì)DC I-V、C-V、脈沖I-V測(cè)量的自動(dòng)轉(zhuǎn)換。
2017-11-15 15:29:0515 虛斷指在理想情況下，流入集成運(yùn)算放大器輸入端電流為零。虛短是指在分析運(yùn)算放大器處于線性狀態(tài)時(shí)，可把兩輸入端視為等電位，這一特性稱為虛假短路。本文主要介紹了I-V轉(zhuǎn)化電路中運(yùn)放的虛短虛斷電路分析。
2017-12-26 17:19:386435 
以6種常見的DC測(cè)試作為接入點(diǎn)，為大家介紹如何更高效的進(jìn)行直流I-V特性分析。海報(bào)內(nèi)容包括：電阻測(cè)試，兩端子器件測(cè)量，記錄測(cè)量器件數(shù)據(jù)，分析三端子器件的I-V參數(shù)，計(jì)算器件功率和效率，捕獲瞬態(tài)測(cè)量。
2018-08-31 10:41:0843 探測(cè)器的I-V特性可以為讀出電路設(shè)計(jì)提供重要依據(jù)，為此在光電測(cè)試平臺(tái)采用keithley 4200-SCS半導(dǎo)體特性測(cè)試儀測(cè)試探測(cè)器特性。探測(cè)器陣列為2×8元，單元探測(cè)器面積為80×80μm.測(cè)試過程中作為公共電極的襯底電位固定，掃描單元探測(cè)器一端的電壓。
2018-11-20 09:03:006683 
本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進(jìn)行穩(wěn)定的弱電流測(cè)量的多種應(yīng)用實(shí)例，包括測(cè)試：平板顯示器上的OLED像素器件、長(zhǎng)電纜MOSFET傳遞特點(diǎn)、通過開關(guān)矩陣連接的FET、卡盤上的納米FET I-V測(cè)量、電容器泄漏測(cè)量。
2019-12-09 15:03:392671 
對(duì)于氮化鎵（GaN）功率放大器，設(shè)計(jì)師需要考慮非線性操作，包括RF電流-電壓（I-V）波形會(huì)發(fā)生的狀況。優(yōu)化非線性行為設(shè)計(jì)的一種方法就是仿真內(nèi)部I-V波形。
2020-07-17 10:25:009 2657A專門做了這些優(yōu)化：二極管、FETs和IGBTs等功率半導(dǎo)體器件的高壓測(cè)試應(yīng)用以及氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等新材料及其它復(fù)合半導(dǎo)體材料和器件的特性分析。而且，2657A還適于高速瞬態(tài)分析以及在高達(dá)3000V的各種電子器件上進(jìn)行故障測(cè)試和漏電測(cè)試。
2020-08-09 00:08:391839 的電氣特性成為研究開發(fā)和制造過程中的一部分。對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行 I-V 特性分析對(duì)推導(dǎo)有關(guān)其性能的重要參數(shù)至關(guān)重要，包括最大電流Imax和電壓Vmax、開路電壓Voc、短路電流Isc以及效率η。
2020-09-29 09:11:432174 
二極管是兩端口電子器件，支持電流沿著一個(gè)方向流動(dòng)（正向壓），并阻礙電流從反方向流動(dòng)（反向偏壓）。無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線，都要對(duì)封裝器件或在晶圓上進(jìn)行二極管I－V測(cè)試。
2020-09-29 15:19:475838 
， LED 照明和顯示 ，半導(dǎo)體器件特性，過載保護(hù)測(cè)試等等。PL系列脈沖電流源內(nèi)置18 位高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器，使它可以同時(shí)獲得高速脈沖電壓和脈沖光功率波形，而不需要額外使用單獨(dú)的儀器。PL系列脈沖電流源是一套強(qiáng)大的測(cè)試解決方案，可以顯著提高生產(chǎn)力，應(yīng)用范圍從臺(tái)式表測(cè)試到高度自動(dòng)化的脈沖I-V生產(chǎn)測(cè)試
2020-10-16 09:45:361844 半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V
2021-01-14 16:47:24896 4200A-SCS是一個(gè)模塊化、可定制、高度一體化的參數(shù)分析儀，可同時(shí)進(jìn)行電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）和超快脈沖I-V電學(xué)測(cè)試。使用其可選的4200A-CVIV多通道開關(guān)模塊，可輕松
2021-02-11 14:36:002358 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供納米器件的測(cè)試工具資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-24 08:44:426 吉時(shí)利源表廣泛應(yīng)用于低壓/電阻，LIV， IDDQ ，I-V特征分析，隔離度與引線電阻，溫度系數(shù)，正向電壓、反向擊穿、漏電流 ，直流參數(shù)測(cè)試，直流電源，HIPOT，介質(zhì)耐壓性等測(cè)試，是廣大
2021-04-29 15:00:391969 
近期有很多用戶在網(wǎng)上咨詢I-V特性測(cè)試， I-V特性測(cè)試是很多研發(fā)型企業(yè)和高校研究的對(duì)象，分立器件I-V特性測(cè)試可以幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣
2021-05-19 10:50:253047 
I-V測(cè)試是二級(jí)管測(cè)試必不可少的項(xiàng)目。二極管I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。吉時(shí)利源表2450是二極管特性分析的理想選擇，提供四象限精密電壓和電流源/負(fù)載，可精確地發(fā)起電壓或電流以及同時(shí)測(cè)量電壓和/或電流，其電壓和電流測(cè)量分辨率分別達(dá)到10 nV和10 fA。
2021-08-27 15:14:501299 
TVS的雙極性和單極性區(qū)別的I-V圖
2022-06-21 15:03:445 精密型數(shù)字源表（SMU）是對(duì)太陽(yáng)能電池和各種其他器件的I-V特性進(jìn)行表征的最佳解決方案。其寬廣的電流和電壓測(cè)量范圍，可以為科研及生產(chǎn)制造提供卓越的測(cè)量性能。結(jié)合太陽(yáng)光模擬器以及專用的上位機(jī)軟件，支持
2022-11-11 15:25:241587 
基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)：內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
2022-12-26 10:16:232984 
基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)：I-V 曲線中有什么？（第二部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:252556 
器件的I-V功能測(cè)試和特征分析是實(shí)驗(yàn)過程中經(jīng)常需要測(cè)試的參數(shù)之一，一般我們用到源表進(jìn)行IV參數(shù)的測(cè)試，如果需要對(duì)測(cè)試的數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)IV曲線圖顯示及保存，可以用到源表測(cè)試軟件
2023-02-02 10:50:592392 
參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器
件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 ，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。
用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其
恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
2023-02-23 10:00:200 Agilent BA1500半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀 直流I-V測(cè)試： 具有4路SMU，其中2路中等功率SMU，2路高分辨率SMU, 可同時(shí)測(cè)量最小電壓分辨率0.5μV、最小電流分辨率0.1fA DC
2023-03-07 15:54:37764 IV曲線測(cè)試是一種常用的電源表測(cè)試方法，它可以測(cè)量電源表的輸出電壓和電流之間的關(guān)系，以及電源表的負(fù)載特性。在測(cè)試測(cè)量實(shí)驗(yàn)中，可以借助源表測(cè)試軟件來測(cè)試I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出等。下面納米軟件Namisoft小編給大家分享一下：用源表測(cè)試軟件如何輸出I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出。
2023-03-28 16:28:083215 
開啟高效準(zhǔn)確地光伏系統(tǒng)安裝與運(yùn)維 2023 年 8 月3日,福祿克公司重磅推出SMFT-1000系列多功能光伏I-V曲線測(cè)試儀,它擁有Fluke一貫的堅(jiān)固品質(zhì),滿足光伏現(xiàn)場(chǎng)對(duì)運(yùn)維工具簡(jiǎn)單輕便、智能
2023-08-24 14:40:191670 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《由運(yùn)放組成的V-I、I-V轉(zhuǎn)換電路.zip》資料免費(fèi)下載
2023-11-21 09:38:259 SPA6100型半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式
2023-12-01 14:00:362010 
雙脈沖測(cè)試的基本原理是什么？雙脈沖測(cè)試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)？ 雙脈沖測(cè)試是一種常用的測(cè)試方法，用于測(cè)量和評(píng)估各種器件的性能和特性。它基于一種簡(jiǎn)單而有效的原理，通過發(fā)送兩個(gè)脈沖信號(hào)并分析其響應(yīng)來
2024-02-18 09:29:233717 發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。解決了傳統(tǒng)多臺(tái)測(cè)試儀表之間編程、同步、接線繁雜及總線傳輸慢等問題。常見測(cè)試 半導(dǎo)體分立器件包含大
2024-06-06 16:07:150 I-V測(cè)試是評(píng)估太陽(yáng)能電池性能的基本手段，它通過測(cè)量太陽(yáng)能電池在不同電壓下的電流輸出，得到電池的電流-電壓曲線（I-V曲線）。這條曲線不僅直接反映了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，還提供了諸如開路電壓
2024-07-15 11:25:061928 
I-V特性分析 納米材料與器件（如石墨烯、碳納米管）的測(cè)試對(duì)精度和穩(wěn)定性要求極高。2450數(shù)字源表兼具高精度電源和測(cè)量功能，可同步實(shí)現(xiàn)電壓源與電流計(jì)的雙向切換。例如，在測(cè)試某新型納米線電阻率時(shí)，傳統(tǒng)儀器需多次切換設(shè)備、手動(dòng)記
2025-09-03 17:42:59501 
)）、導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、閾值電壓等?。 動(dòng)態(tài)參數(shù)：脈沖測(cè)試（脈寬300μs-5ms）抑制溫升，結(jié)合Kelvin四線法消除接觸電阻誤差?。 I-V特性曲線生成：支持全自動(dòng)百點(diǎn)曲線測(cè)試，耗時(shí)僅數(shù)秒?。 二、技術(shù)特點(diǎn) ?高效性?：?jiǎn)螀?shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù)，支持多
2025-09-12 16:54:012347 
阻（RDS(on)）、閾值電壓等?。 ? 動(dòng)態(tài)參數(shù) ?：采用脈沖測(cè)試法（脈寬300μs-5ms）抑制溫升，結(jié)合Kelvin四線法消除接觸電阻誤差?。 ? I-V特性曲線生成 ?：支持全自動(dòng)百點(diǎn)曲線測(cè)試，耗時(shí)僅數(shù)秒?。 ? 高效智能化操作 ? 單參數(shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù)，支持多設(shè)備并
2025-10-16 10:59:58343 在現(xiàn)代材料研究與光伏組件測(cè)試中，I-V曲線（電流-電壓特性曲線）是評(píng)估器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)。吉時(shí)利數(shù)字源表憑借其高精度、多功能集成與自動(dòng)化特性，顯著提升了測(cè)試效率，為科研與工業(yè)應(yīng)用提供了高效解決方案
2025-11-13 11:47:01135 在半導(dǎo)體器件分析、光伏電池研究及材料科學(xué)領(lǐng)域，對(duì)多個(gè)器件或同一器件的不同端口進(jìn)行同步、精確的電流-電壓（I-V）特性測(cè)量是至關(guān)重要的。 吉時(shí)利（Keithley，現(xiàn)為是德科技旗下品牌）2612B
2025-12-18 11:09:15145 
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