兩種高效能電源設(shè)計(jì)及拓?fù)浞治?在本文中，我們將提出兩個(gè)能符合更高效能要求，并可控制目標(biāo)成本的設(shè)計(jì)方式，并將之和傳統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行比較。
2011-11-24 11:11:48
2122 
PCI Express? （PCIe?） 當(dāng)成一種連接運(yùn)算、嵌入式及自定義主機(jī)處理器，以及以太網(wǎng)絡(luò)端口、USB 端口、視頻卡及儲(chǔ)存裝置等「終端」周邊裝置的方式，已經(jīng)成為高效能互連技術(shù)的參考基準(zhǔn)。
2021-07-29 17:39:514233 
LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因?yàn)樗鼈儾粌H具有高效能、長(zhǎng)壽命和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類(lèi)型、工作原理以及其優(yōu)點(diǎn)三個(gè)方面來(lái)探討LED能夠
2023-09-27 08:15:014809 
,使人感到防不勝防。幸好,一種高效能的電路保護(hù)器件TVS的出現(xiàn)使瞬態(tài)干擾得到了有效抑制TVS（TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR） 或稱(chēng)瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上...
2021-09-09 08:37:37
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來(lái)（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類(lèi)第一次制備出能夠發(fā)出藍(lán)
2023-06-15 15:50:54
的選擇。 生活更環(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開(kāi)始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
的系統(tǒng)級(jí)解決方案，其市場(chǎng)潛力剛剛開(kāi)始被關(guān)注。氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無(wú)線基站到射頻能量等商業(yè)射頻領(lǐng)域的主流應(yīng)用，它從一項(xiàng)高深的技術(shù)發(fā)展為市場(chǎng)的中流砥柱，這一發(fā)展歷程融合了多種因素，是其一致發(fā)揮作用的結(jié)果
2017-08-15 17:47:34
的關(guān)鍵時(shí)刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，這推動(dòng)了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用，并使其定位為最適合未來(lái)5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的實(shí)際促技術(shù)，其轟動(dòng)性市場(chǎng)影響可能會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出手機(jī)連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
發(fā)光引擎技術(shù)，鎖定更低功耗且預(yù)算考慮的應(yīng)用。這些小尺寸的LED封裝極適合低流明數(shù)的市場(chǎng)，能加速促進(jìn)市場(chǎng)從傳統(tǒng)光源，例如白熾燈與鹵素?zé)?，轉(zhuǎn)換至更環(huán)保、更高效能的固態(tài)照明。本新聞來(lái)自大聯(lián)大云端
2014-01-07 10:22:05
有限公司承辦。 本屆論壇為期3天，同期二十余場(chǎng)次會(huì)議，25日上午 “氮化鎵材料與器件技術(shù)”分會(huì)如期召開(kāi)，分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子
2018-11-05 09:51:35
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專(zhuān)家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
應(yīng)用的企圖心。到2020年時(shí)，氮化鎵組件將進(jìn)軍600～900伏特市場(chǎng)，與碳化硅組件的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系升溫。問(wèn)題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門(mén)）2.
2021-09-23 15:02:11
封裝亦朝向更高密度發(fā)展?！ ≡夹g(shù) 為讓封裝更小、更薄，內(nèi)部的LED元件也必須同時(shí)採(cǎi)用小型薄型規(guī)格。因此，業(yè)者從晶圓上的發(fā)光層成膜到晶片化均採(cǎi)用自行研發(fā)的製程技術(shù)，終于成功地將磷化鋁鎵銦
2014-01-24 15:57:20
。IGBT模塊已被廣泛的應(yīng)用在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，氮化鋁陶瓷基板在電力電子模塊技術(shù)中，作為芯片承載體。陶瓷基板設(shè)計(jì)的優(yōu)劣直接影響到模塊的電氣性能，遵循一定的設(shè)計(jì)原則，合理的進(jìn)行基板的版圖設(shè)計(jì)，就可以完成優(yōu)秀的陶瓷基板設(shè)計(jì)，從而較好的完成IGBT模塊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
2017-09-12 16:21:52
一種基于藍(lán)牙的電臺(tái)自動(dòng)控制裝置設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-06-02 06:57:27
本文設(shè)計(jì)了一種基于LPC2378和AD8112的視頻矩陣切換裝置。
2021-06-03 06:49:11
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
本文采用小波分析和模式識(shí)別方法分析車(chē)輛噪聲信號(hào)，設(shè)計(jì)了一種基于DSP的車(chē)輛碰撞聲檢測(cè)裝置，該裝置能有效檢測(cè)車(chē)輛碰撞事件，實(shí)現(xiàn)交通事故的自動(dòng)識(shí)別。相對(duì)于已有交通事故檢測(cè)裝置具有識(shí)別率高、實(shí)時(shí)性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，而且價(jià)格較低。
2021-05-12 06:32:52
如何設(shè)計(jì)并制作一個(gè)高效可控白光LED照明燈及其檢測(cè)裝置？
2022-02-11 06:56:45
安森美高效能LED驅(qū)動(dòng)方案全攻略
2012-08-18 10:10:58
使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管后，只需一顆氮化鎵開(kāi)關(guān)管就能取代兩顆傳統(tǒng)硅MOS了。氮化鎵開(kāi)關(guān)管內(nèi)部沒(méi)有體二極管，只需一顆即可實(shí)現(xiàn)雙向開(kāi)關(guān)，完全阻斷電池的充電和放電電流。氮化鎵具有低導(dǎo)阻高效率優(yōu)勢(shì)，使用一顆氮化鎵開(kāi)關(guān)管
2023-02-21 16:13:41
請(qǐng)問(wèn)怎樣利用熱處理去實(shí)現(xiàn)高效能LED？
2021-04-23 06:28:02
實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案
2022-11-10 06:36:09
`氮化鋁陶瓷基板因其熱導(dǎo)率高、絕緣性好、熱膨脹系數(shù)低及高頻性低損耗等優(yōu)點(diǎn)廣為人知，在LED照明、大功率半導(dǎo)體、智能手機(jī)、汽車(chē)及自動(dòng)化等生活與工業(yè)領(lǐng)域得到大量應(yīng)用。但氮化鋁陶瓷散熱基板制備廠商主要
2020-11-16 14:16:37
氮化鎵器件于2010年3月開(kāi)始進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)，激光雷達(dá)是第一種應(yīng)用能夠發(fā)揮氮化鎵晶體管的高速開(kāi)關(guān)和小尺寸優(yōu)勢(shì)，以實(shí)現(xiàn)最高性能，成為“殺手級(jí)應(yīng)用”。緊隨其后，是用于高密度計(jì)算的48 V DC/DC轉(zhuǎn)換器
2023-06-25 14:17:47
一種自動(dòng)沖水控制裝置的設(shè)計(jì)
2019-07-11 05:55:21
尋求AMD R系列與AMD SOC系列嵌入式高效能解決方案
2021-05-10 06:05:01
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開(kāi)發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
問(wèn)題?！ D3 半橋拓補(bǔ)電路結(jié)構(gòu) 新興拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 為了符合更高效能的要求，業(yè)界已開(kāi)發(fā)了數(shù)種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些新電路拓?fù)洳?b class="flag-6" style="color: red">一定是指新發(fā)明，而是新近在商業(yè)大批量應(yīng)用的。其中，兩種最受
2009-02-04 10:10:32
藍(lán)牙5.1厘米級(jí)定位主要應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？
2021-06-16 07:04:24
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
怎么設(shè)計(jì)一種智能信號(hào)裝置？智能信號(hào)裝置系統(tǒng)是如何組成的？具有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-15 06:46:23
為什么要提出一種基于AVR的新型防汽車(chē)追尾安全裝置設(shè)計(jì)？怎樣去設(shè)計(jì)一種新型防汽車(chē)追尾安全裝置？
2021-05-12 06:02:32
高效能穩(wěn)壓電源原理圖
2019-10-16 09:03:15
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
商標(biāo)卡片條碼印刷UV油墨的干燥和固化、電腦報(bào)表紙干燥和固化，印刷速度可達(dá)50-250M/min. 產(chǎn)品特點(diǎn)：1.采用高光效LED晶片和氮化鋁基板專(zhuān)業(yè)封裝制作。更低的電力消耗、更強(qiáng)的UV能量輸出、超長(zhǎng)
2015-12-03 11:57:24
則好比一個(gè)馬拉松。金剛石和氮化鋁的帶隙更大，但它們不具備氧化鎵所具備的幸運(yùn)特性，氧化鎵有助于制造價(jià)格低廉但功能強(qiáng)大的器件。一種材料僅僅有寬帶隙是不夠的。 所有的電介質(zhì)和陶瓷都有寬帶隙，否則它們就不會(huì)
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
傳統(tǒng)的計(jì)米裝置存在較大的系統(tǒng)誤差,最大的問(wèn)題是隨繩徑不同其計(jì)米值會(huì)有較大的變化,不能滿足用戶(hù)的要求。針對(duì)傳統(tǒng)計(jì)米器存在的問(wèn)題,研制出了一種新型的計(jì)米裝置,計(jì)米精度高,
2009-07-06 09:01:27
29 Freescale高效能儀表控制處理器
Freescale推出經(jīng)濟(jì)高效的16位元微控制器系列，專(zhuān)為入門(mén)級(jí)汽車(chē)的電子儀表板而設(shè)計(jì)。入門(mén)級(jí)汽車(chē)應(yīng)用，是汽車(chē)業(yè)發(fā)展最
2009-11-11 16:59:09664 熱處理實(shí)現(xiàn)高效能LED技術(shù)
LED是一種半導(dǎo)體元器件，核心是 p型及n型半導(dǎo)體組成的芯片。在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個(gè)過(guò)渡層，稱(chēng)為p-n結(jié)。當(dāng)注
2010-05-25 10:17:311133 目前廣泛應(yīng)用在可攜式設(shè)備LCD與鍵盤(pán)背光的白光LED,透過(guò)以淡黃色螢光物質(zhì)涂布在氮化鎵（GaN）與銦氮化鎵（InGaN）材質(zhì)的藍(lán)光LED上來(lái)達(dá)成白光的效果。
2011-08-11 10:58:462448 
安森美高效能LED驅(qū)動(dòng)方案全攻略
2017-01-14 12:50:4068 土耳其伊斯坦堡市的科克大學(xué)（Ko? University）研究團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出一款高效能LED。研究人員將位于液體中的量子點(diǎn)，直接放置于LED裝置中，發(fā)光效率比位于固態(tài)量子點(diǎn)高出50%。
2018-07-30 16:48:001073 美國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)的研究人員利用奈米材料制作出白光LED，發(fā)光效能達(dá)每瓦105流明，寫(xiě)下新紀(jì)錄。研究人員進(jìn)一步研究后，更讓發(fā)光效能達(dá)到每瓦200流明，未來(lái)可以應(yīng)用在家用、辦公室或電視等領(lǐng)域。
2018-07-16 14:00:002135 近期，沙特阿卜都拉國(guó)王科技大學(xué)(KAUST)研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出奈米級(jí)氮化鋁鎵（AlGaN）發(fā)光裝置。
2018-07-28 09:01:273808 近期，沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)(KAUST)研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出納米級(jí)氮化鋁鎵（AlGaN）發(fā)光裝置。
2018-07-28 10:39:463711 近期，沙特阿卜都拉國(guó)王科技大學(xué)(KAUST)研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出奈米級(jí)氮化鋁鎵(AlGaN)發(fā)光裝置。研究人員以漸變折射率分布限制結(jié)構(gòu)層(GRINSCH)裝置，制作出奈米級(jí)GRINSCH二極體，研究人員期望未來(lái)能應(yīng)用在奈米高效能UV LED裝置，像是激光、光感測(cè)器、調(diào)幅器以及積體光學(xué)相關(guān)裝置上。
2018-07-29 09:05:023822 美國(guó)羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高M(jìn)icro LED顯示器的效率。
2019-03-13 15:58:002414 據(jù)報(bào)道，法國(guó)研究機(jī)構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法，這項(xiàng)新工藝更簡(jiǎn)單且更高效。
2019-05-17 15:14:173107 語(yǔ)音控制應(yīng)用逐漸多元化，讓使用者能透過(guò)最直覺(jué)方式達(dá)到目的。未來(lái)更好的使用，MEMS麥克風(fēng)逐漸朝高效能邁進(jìn)。
2019-05-31 08:40:591095 日本一研究團(tuán)隊(duì)宣布，他們利用半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）研發(fā)的逆變器，已首次成功應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)上，有望讓電動(dòng)汽車(chē)節(jié)能20％以上。
2019-12-09 10:07:052388 據(jù)BusinessKorea報(bào)道，韓國(guó)科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉，這是韓國(guó)在努力減少在材料與零部件領(lǐng)域?qū)θ毡镜囊蕾?lài)之際實(shí)現(xiàn)的技術(shù)突破。
2020-03-10 14:05:481351 沙特阿拉伯阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)的研究人員成功地制造了基于自然發(fā)藍(lán)光的半導(dǎo)體氮化銦鎵的紅色LED，這種紅色LED與基于磷化銦鎵的發(fā)光二極管更穩(wěn)定，有望成為下一代顯示技術(shù)的主流。
2020-07-10 11:16:116653 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2020-11-20 14:08:177688 器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。 氮化鎵技術(shù)是指一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，具有相對(duì)寬的帶隙。所以寬帶隙器件可以在高壓、高溫、高頻率下工作。
2023-02-03 14:14:454122 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
2023-02-03 17:52:385234 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
2023-02-03 18:21:213899 氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:522352 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2023-02-05 15:41:322876 的導(dǎo)通電阻，因此能夠降低損耗、減少發(fā)熱，提供高效節(jié)能，使得元器件的體積能夠更加精簡(jiǎn)，正因如此，氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用也越來(lái)越多，本文就帶大家了解一下氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面。 氮化鎵器件現(xiàn)在普遍應(yīng)用在了構(gòu)建放大器電路的
2023-02-06 09:32:013967 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:093645 
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體， 氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微電子（微波功率和電力電子器件），場(chǎng)效電晶體（MOSFET）。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。
2023-02-06 17:38:136685 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2023-02-12 17:32:164700 氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412178 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號(hào)：JFKJ-21-1173作者：華林科納 一直在使用碳化硅（碳化硅）襯底生長(zhǎng)氮化鋁(AlGaN)結(jié)構(gòu)，針對(duì)278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:151497 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:4613933 電源模塊在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用，而高效能量轉(zhuǎn)換是實(shí)現(xiàn)可持續(xù)和高性能電源的關(guān)鍵。本文介紹了一種基于斯利通氮化鋁陶瓷電路板的先進(jìn)電源模塊技術(shù)，通過(guò)優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性能和電氣絕緣特性，實(shí)現(xiàn)了高效能量轉(zhuǎn)換。文章將詳細(xì)討論該電源模塊的設(shè)計(jì)原理、制造工藝以及性能評(píng)估結(jié)果。
2023-07-10 15:05:35994 電源模塊是電子設(shè)備中用于提供穩(wěn)定電壓和電流的關(guān)鍵組件，在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用，而高效能量轉(zhuǎn)換是實(shí)現(xiàn)可持續(xù)和高性能電源的關(guān)鍵。本文介紹了一種基于斯利通氮化鋁陶瓷電路板的先進(jìn)電源模塊技術(shù)
2023-07-27 16:22:101143 開(kāi)關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。
2023-10-11 09:49:18973 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)開(kāi)始在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹120W氮化鎵芯片的特點(diǎn)及其應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)探討該技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向。
2023-10-27 13:47:521329 什么是高效能交流電源供應(yīng)器？有什么特性？ 高效能交流電源供應(yīng)器是一種電氣設(shè)備，主要用于將交流電轉(zhuǎn)換為所需電壓和電流的直流電源。它采用先進(jìn)的變換技術(shù)和控制算法，以提供穩(wěn)定、可靠、高效的電源輸出
2023-11-07 10:08:351183 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011011 什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:117183 本文介紹了一種飛米級(jí)電子顯微鏡的原理，未來(lái)這種技術(shù)有望用于探測(cè)遠(yuǎn)離穩(wěn)定谷的核。
2023-12-13 15:59:121734 
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)屬于菱面
2024-01-10 10:05:092860 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點(diǎn)備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進(jìn)步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過(guò)程至關(guān)重要。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵
2024-01-10 10:11:392150 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的潛力。以下是幾個(gè)氮化鎵芯片的應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:193278 、氮化鎵充電器的優(yōu)勢(shì)以及其在未來(lái)的應(yīng)用前景等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們先來(lái)了解一下氮化鎵的基本特性。氮化鎵是一種寬能隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高電學(xué)飽和速度和高電熱導(dǎo)率的特點(diǎn)。這些特性使得氮化鎵在高頻
2024-01-10 10:20:292311 BOSHIDA AC/DC電源模塊的高效能源管理與效率優(yōu)化 AC/DC電源模塊是一種常見(jiàn)的電源轉(zhuǎn)換裝置，用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。它被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等
2024-05-06 13:31:32957 
下。 首先，UVLED固化烘箱的核心技術(shù)——LED發(fā)光技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)高效能固化的關(guān)鍵。LED光源具有發(fā)光效率高、能耗低的特點(diǎn)，其能量轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源。這意味著UVLED固化烘箱在固化過(guò)程中，能夠更快速、更均勻地照射到材料表面，從而引發(fā)光敏材
2024-05-09 14:44:291324 
。本文將探討高效能UVLED固化箱如何實(shí)現(xiàn)快速固化并提升生產(chǎn)效率。 一、UVLED固化箱的工作原理 UVLED固化箱采用LED光源作為發(fā)光體，通過(guò)發(fā)出特定波長(zhǎng)的紫外線來(lái)觸發(fā)光敏材料中的光化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)快速固化。與傳統(tǒng)UV固化設(shè)備相比，UVLED固化箱
2024-05-27 14:54:001009 在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131737
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